公开(公告)号：EP3715925A1

公开(公告)日：2020-09-30

申请号：EP20163751.9

申请日：2020-03-17

Applicant: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS ,  STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： BOEUF, Frederic ,  MAGGI, Luca

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/136 ,  G02B6/30 ,  G02B6/34 ,  H01L33/58 ,  H01L33/62 ,  G02B6/12 ,  G02B6/42

Abstract: La présente description concerne une puce (1000) de circuit intégré photonique comprenant : une pluralité de coupleurs (18) à réseau de diffraction verticale définis dans une première couche semiconductrice (10) ou isolante surmontée d'une structure d'interconnexion (24) comprenant plusieurs niveaux de métal (M1, M2, M3, M4) noyés dans des deuxièmes couches isolantes (28A, 28B) ; et une cavité (200) s'étendant en profondeur à travers les deuxièmes couches isolantes (28A, 28B) jusqu'à un niveau intermédiaire entre les coupleurs (18) et le niveau de métal (M1) le plus proche des coupleurs (18), la cavité ayant des dimensions latérales telles que la cavité est adaptée à recevoir un bloc de maintien (302) d'un réseau de fibres optiques (304) destinées à être couplées optiquement avec les coupleurs (18).

公开(公告)号：EP3767376A1

公开(公告)日：2021-01-20

申请号：EP20186360.2

申请日：2020-07-17

Applicant: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

Inventor： BOEUF, Frederic ,  BARRERA, Cyrille

IPC: G02F1/025

Abstract: La présente description concerne un modulateur électro-optique capacitif comprenant : une première couche (108) de silicium ; un empilement d'une première bande (302) de germanium ou de silicium-germanium reposant sur la première couche (108) et d'une deuxième bande (300) de silicium reposant sur la première bande, la première bande étant moins large que la deuxième bande ; un isolant (400) bordant latéralement l'empilement et affleurant une face supérieure de la deuxième bande (300) ; une couche isolante (402) reposant sur l'isolant (400) et la deuxième bande (300) ; et une couche (500) de matériaux III-V reposant sur la couche isolante (402) et comprenant une troisième bande (501) disposée au-dessus et en regard de la deuxième bande (300). La présente description concerne également un procédé de fabrication d'un tel modulateur.

公开(公告)号：EP2253019A1

公开(公告)日：2010-11-24

申请号：EP09719461.7

申请日：2009-03-11

Applicant: NXP B.V. ,  STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

Inventor： BIDAL, Gregory ,  BOEUF, Frederic ,  LOUBET, Nicolas

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7613

Abstract: The present invention relates to a method for position-controlled fabrication of a semiconductor quantum dot, the method comprising: providing a substrate (102) of a substrate material; depositing a sacrificial layer (108) of a sacrificial material; depositing an active layer (110) of a semiconductive active material on the sacrificial layer, wherein the substrate, sacrificial and active materials are chosen such that the sacrificial layer is selectively removable with respect to the substrate and the active layer, depositing and patterning a mask layer on the active layer so as to define desired quantum-dot positions in lateral directions, fabricating a lateral access to the sacrificial layer in regions underneath the patterned mask layer; selectively removing, with respect to the substrate and the active layer, the sacrificial layer from underneath the active layer at least under the patterned mask layer; and etching the active layer under the patterned mask layer from underneath the active layer so as to assume a desired quantum-dot shape.

公开(公告)号：EP2253019B1

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：EP09719461.7

申请日：2009-03-11

Applicant: STMicroelectronics (Crolles 2) SAS

Inventor： BIDAL, Gregory ,  BOEUF, Frederic ,  LOUBET, Nicolas

IPC: H01L29/06

CPC classification number: H01L29/127 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/7613