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1.发明授权
公开(公告)号：EP0599745B1
公开(公告)日：2001-07-18
申请号：EP93420458.7
申请日：1993-11-19
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： Barret, Jean , Quessada, Daniel
CPC classification number: H01L29/7802 , H01L27/0248 , H01L27/0251 , H01L27/0255 , H01L29/7803 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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2.发明授权Composant de protection d'un transitor MOS intégré contre des gradients de tension 失效用于保护集成MOS器件对电压降的装置
公开(公告)号：EP0881681B1
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：EP98410056.0
申请日：1998-05-22
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： Barret, Jean , Pavlin, Antoine , Fichera, Pietro
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0251 , H01L27/0288 , Y10S257/904
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3.发明授权Dispositif de protection contre des surtensions d'un transistor MOS de puissance intégré 失效为一个集成的功率MOS晶体管的高电压保护装置
公开(公告)号：EP0881682B1
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：EP98410057.8
申请日：1998-05-22
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： Barret, Jean
CPC classification number: H01L29/7808 , H01L27/0255 , H01L29/7803
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