Commande d'un transistor MOS de puissance
    2.
    发明公开
    Commande d'un transistor MOS de puissance 有权
    Steuerung eines MOS-Leistung晶体管

    公开(公告)号:EP1071213A1

    公开(公告)日:2001-01-24

    申请号:EP00410076.4

    申请日:2000-07-17

    CPC classification number: H03K17/063 H03K17/18

    Abstract: L'invention concerne la détection de la présence d'une charge associée à un transistor MOS (2) de puissance intégré avec son circuit de commande, ayant recours à un retard d'un instant de prise en compte de la détection par rapport à l'apparition d'une commande en ouverture du transistor de puissance. L'invention asservit le temps de filtrage sur le temps de citation du transistor de puissance.

    Abstract translation: 用于控制MOS功率晶体管(2)的集成电路(1')包括用于检测外部负载的存在的电路(20),所述检测电路用作阻止输出电压检测的时刻 用于切换功率晶体管的控制信号的出现,并且包括用于将滤波时间从属于功率晶体管的切换时间的装置。 功率晶体管(2)的开关时间由第一电流源对第一电容器充电和放电的过程进行参数化,滤波装置包括与滤波电容器(C2)并联连接的第二电流源(18) 。 第二电流源(18)的恒定电流(12)的值与第一电流源的值成正比。 电路还包括在切换时使第二电容器(C2)的预充电电压与第一电容器的端子上的初始或最终电压成比例的装置。 第二电容器(C2)的放电电流取决于用于参数化功率晶体管的开关时间的第一电容器的充电电流的值,并且第一电容器的预充电电压与集成的 电路。 电路可以包括用于将滤波时间设置为最小的齐纳二极管(DZ),独立于开关时间的条件。 电路还包括与外部负载并联连接的分压器(R1,R2),分压器的中点(15)经由二极管(D)连接到滤波电容器(C2)的第一端子(16),其中 与输出(7')连接到反相器(17)的输入端,输出检测结果。 电路还包括由信号Vc控制的开关(19),以在切换功率晶体管(2)时停止对电容器(C2)的预充电。 在第二实施例中,恒流源由电流镜连接中的一个或多个晶体管和构成另一个恒流源的晶体管构成。

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