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1.发明公开Circuit à régulateur de tension intégré et son procédé de fabrication 有权Integrierte Spannungsreglerschaltung und deren Herstellungsverfahren
公开(公告)号：EP1450407A1
公开(公告)日：2004-08-25
申请号：EP04300071.0
申请日：2004-02-10
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： Blisson, Fabrice , Debeurme, Gilles
IPC: H01L23/528 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/0203 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: L'invention concerne un circuit intégré à régulateur continu-continu de tension et son procédé de fabrication, comprenant au moins un étage de puissance pourvu d'au moins deux transistors et d'au moins un condensateur reliant une électrode de commande du transistor à un potentiel de référence (GND), un même étage de commande du régulateur fournissant un signal (CTRL) de commande desdits transistors, l'étage de puissance étant réalisé sous un rail (33) de distribution de signaux d'alimentation du circuit intégré, ledit rail distribuant au moins deux potentiels extrêmes (Vps, GND) d'alimentation provenant de l'extérieur du circuit intégré et au moins un potentiel (Vdd) régulé par ledit régulateur de tension.
Abstract translation: 集成电路具有位于电源轨（33）下方的功率级。 电源轨从集成电路外部提供两个极端电源（Vps，GND）和由稳压器调节的电位（Vdd）。 功率级包括两个晶体管和电容。 轨道提供用于控制两个晶体管的控制信号（CTRL）。 还包括用于生产电压调节器的功率级的过程的独立权利要求。
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2.发明公开Protection d'un circuit intégré contre des décharges électrostatiques et autres surtensions 有权Schutz einer integrierten Schaltung gegen ESD und andereÜberspannungen
公开(公告)号：EP1309005A1
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：EP02354167.5
申请日：2002-10-21
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： Malherbe, Alexandre , Blisson, Fabrice
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: L'invention concerne la réalisation d'un circuit intégré comprenant au moins un élément de protection électronique dudit circuit constitué d'au moins un commutateur (MOSSWI) de court-circuit de conducteurs d'alimentation (12, 13) disposés en rail, ledit commutateur étant intégré dans ledit rail, sous lesdits conducteurs.
Abstract translation: 集成电路（20）包括金属氧化物半导体（MOS）晶体管，其被设置用于使设置在电源轨道（11）中的供电导体（12,13）短路。 MOS晶体管集成在电源导轨的下方。 控制电路（6）检测供电导体之间的静电放电（ESD）和过电压。 还包括用于集成用于使供电导体短路的MOS晶体管的方法的独立权利要求。
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3.发明授权
公开(公告)号：EP1309005B1
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：EP02354167.5
申请日：2002-10-21
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： Malherbe, Alexandre , Blisson, Fabrice
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0266
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公开(公告)号：EP1450407B1
公开(公告)日：2006-04-19
申请号：EP04300071.0
申请日：2004-02-10
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： Blisson, Fabrice , Debeurme, Gilles
IPC: H01L23/528 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/0203 , H01L23/5286 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
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