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公开(公告)号：EP1120714B1
公开(公告)日：2007-05-30
申请号：EP01400195.2
申请日：2001-01-24
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： Pomet, Alain , Malherbe, Alexandre , Marinet, Fabrice
IPC: G06F13/42
CPC classification number: G06K19/07 , G06F13/426
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2.发明授权
公开(公告)号：EP1309005B1
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：EP02354167.5
申请日：2002-10-21
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： Malherbe, Alexandre , Blisson, Fabrice
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0266
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Patent Agency Ranking3.发明授权DIMINUTION IRREVERSIBLE DE LA VALEUR D UNE RESISTANCE EN SILICIUM POLYCRISTALLIN 有权多晶硅电阻器的电阻值的不可逆还原
公开(公告)号：EP1476897B1
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：EP03718864.6
申请日：2003-02-11
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： WUIDART, Luc , Malherbe, Alexandre , BARDOUILLET, Michel
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L28/20
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4.发明公开Circuit de contrôle d'aléa d'un générateur de nombres aléatoires 有权Schaltung zumÜberprüfenderZufälligkeiteines Zufallszahlengenerators
公开(公告)号：EP1489489A1
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：EP04300321.9
申请日：2004-06-10
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： Bardouillet, Michel , Orlando, William , Malherbe, Alexandre , Anguille, Claude
IPC: G06F7/58
CPC classification number: G06F7/58
Abstract: L'invention concerne un circuit (4) de contrôle du caractère aléatoire d'un flux de bits, comportant un registre d'entrée (41) à décalage recevant le flux de bits et dont les sorties sont exploitées en parallèle, au moins un élément de comparaison (42) du contenu au moins partiel du registre d'entrée par rapport à des motifs prédéterminés (PATT), une pluralité de compteurs (CNT) en nombre au plus égal au nombre de motifs prédéterminés, et un élément de détection (44) du dépassement d'au moins un seuil par l'un des compteurs, le résultat de cette détection conditionnant l'état d'un mot ou bit (VAL) indicateur du caractère aléatoire ou non du flux de bits.
Abstract translation: 电路具有用于接收比特流的输入移位寄存器（41）和用于将寄存器的内容与存储在表（43）中的预定模式进行比较的比较器（42）。 负载检测器（44）检测计数器相对于确定的阈值的溢出。 检测器提供结果来调节由随机数发生器提供的位流的字或随机性验证位的状态。
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5.发明公开DIMINUTION IRREVERSIBLE DE LA VALEUR D UNE RESISTANCE EN SILICIUM POLYCRISTALLIN 有权多晶硅电阻器的电阻值的不可逆还原
公开(公告)号：EP1476897A1
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：EP03718864.6
申请日：2003-02-11
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： WUIDART, Luc , Malherbe, Alexandre , BARDOUILLET, Michel
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L28/20
Abstract: The invention relates to a method and device for the irreversible reduction of the value of an integrated polycrystalline silicon resistor. The inventive method consists in temporarily subjecting the resistor to a stress current which is greater than a current (Im) for which the value of the resistor is maximum.
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公开(公告)号：EP1489489B1
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：EP04300321.9
申请日：2004-06-10
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： Bardouillet, Michel , Orlando, William , Malherbe, Alexandre , Anguille, Claude
CPC classification number: G06F7/58
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7.发明公开Protection d'un circuit intégré contre des décharges électrostatiques et autres surtensions 有权Schutz einer integrierten Schaltung gegen ESD und andereÜberspannungen
公开(公告)号：EP1309005A1
公开(公告)日：2003-05-07
申请号：EP02354167.5
申请日：2002-10-21
Applicant: STMicroelectronics S.A.
Inventor： Malherbe, Alexandre , Blisson, Fabrice
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/0266
Abstract: L'invention concerne la réalisation d'un circuit intégré comprenant au moins un élément de protection électronique dudit circuit constitué d'au moins un commutateur (MOSSWI) de court-circuit de conducteurs d'alimentation (12, 13) disposés en rail, ledit commutateur étant intégré dans ledit rail, sous lesdits conducteurs.
Abstract translation: 集成电路（20）包括金属氧化物半导体（MOS）晶体管，其被设置用于使设置在电源轨道（11）中的供电导体（12,13）短路。 MOS晶体管集成在电源导轨的下方。 控制电路（6）检测供电导体之间的静电放电（ESD）和过电压。 还包括用于集成用于使供电导体短路的MOS晶体管的方法的独立权利要求。
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