公开(公告)号：EP1087424B1

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：EP00402612.6

申请日：2000-09-21

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Chantre, Alain ,  Marty, Michel ,  Baudry, Hélène

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/22 ,  H01L29/732 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/66272

公开(公告)号：EP0962966A1

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：EP99401337.3

申请日：1999-06-03

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  FRANCE TELECOM

Inventor： Chantre, Alain ,  Marty, Michel ,  Dutartre, Didier ,  Monroy, Augustin ,  Laurens, Michel ,  Guette, Francois

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/7378

Abstract: Le collecteur intrinsèque (4) est épitaxié sur une couche de collecteur extrinsèque (2) enterrée dans un substrat semiconducteur (1). Une région d'isolement latéral (5) entoure la partie supérieure du collecteur intrinsèque et on réalise un puits de collecteur extrinsèque déporté (60). On réalise une base à hétérojonction SiGe (8) située au-dessus du collecteur intrinsèque et de la région d'isolement latéral à partir d'une épitaxie non sélective, et on réalise un émetteur dopé in situ (11) par une épitaxie sur une fenêtre prédéterminée (80) de la surface de la base située au dessus du collecteur intrinsèque de façon à obtenir au moins au-dessus de ladite fenêtre une région d'émetteur formée de silicium monocristallin et directement en contact avec le silicium de la base.

Abstract translation: 垂直双极晶体管制造方法包括与硅锗异质结基底的上层直接接触的单晶硅发射极区的外延。 垂直双极晶体管的制造包括：（a）在掩埋在半导体衬底（1）中的外在集电极层上形成本征集电极（4）; （b）在本征收集器的上部周围形成侧向绝缘区域（5）和偏移的外在收集阱（60）; （c）通过包含硅锗层的多层（8）的非选择性外延形成在本征集电极（4）和侧绝缘区（5）之上形成硅锗异质结基底; 和（e）通过在位于本征收集器上方的多层表面的窗口上外延形成原位掺杂的发射体，以在窗口上方获得与多层的上层直接接触的单晶硅发射极区域 （8）。 对于通过上述方法制造的垂直双极晶体管，还包括独立权利要求。

公开(公告)号：EP1132955A1

公开(公告)日：2001-09-12

申请号：EP01400507.8

申请日：2001-02-28

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Chantre, Alain ,  Marty, Michel ,  Baudry, Hélène

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242

Abstract: Le procédé consiste à former successivement sur une région de base d'un substrat semi-conducteur une couche de poly Ge ou poly SiGe, une couche d'arrêt de gravure sur une zone choisie de la couche de Ge ou SiGe, une couche de poly Si de même type de conductivité que la région de base, puis une couche externe de matériau diélectrique, à graver les couches en s'arrêtant sur la couche d'arrêt, pour former une ébauche de fenêtre d'émetteur, éliminer le film d'arrêt et éliminer sélectivement la couche de Ge ou SiGe dans l'ébauche de fenêtre d'émetteur pour former une fenêtre d'émetteur et former un émetteur en poly Si de type de conductivité opposé à la région de base dans la fenêtre.
Application aux technologies BiCMOS.

公开(公告)号：EP0962967A1

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：EP99401338.1

申请日：1999-06-03

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  FRANCE TELECOM

Inventor： Marty, Michel ,  Chantre, Alain ,  Schwartzmann, Thierry

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/7378

Abstract: On effectue le dopage sélectif du collecteur par une première implantation de dopants avant l'épitaxie de la base et par une deuxième implantation de dopants à travers la base épitaxiée. On obtient deux zones implantées (SIC1, SIC2) de largeurs différentes. La base du transistor est amincie et la résistance collecteur optimisée.

Abstract translation: 垂直双极晶体管的本征集电极的选择性掺杂的硅锗异质结基的外延后外延和较低的能量和更低的剂量掺杂剂注入前包含高能量掺杂剂注入。 垂直双极晶体管的本征集电极的选择性掺杂是由下（a）形成到埋入在半导体衬底外在集电极层的固有收集器（4）; （B）形成围绕所述固有集电极的和，以抵消外在集电极以及上部的侧向绝缘区域（5）; （C）通过所述固有集电极上方的第一注入窗口 - 影响在本征集电极的第一掺杂剂注入; （D）在形成本征集电极上方的硅锗异质结基极（4）和由硅和硅锗的多层的非选择性外延侧向绝缘区域（5）（8）; 和（e）在位于所述多层（8）和上述第一注入窗口内的第二注入窗口 - 影响的第二较低的能量和更低的剂量掺杂剂注入到跨越多层的固有集电极与发射极的自对准。

公开(公告)号：EP0962967B1

公开(公告)日：2007-03-14

申请号：EP99401338.1

申请日：1999-06-03

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  FRANCE TELECOM

Inventor： Marty, Michel ,  Chantre, Alain ,  Schwartzmann, Thierry

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/08

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/7378

公开(公告)号：EP1241704A1

公开(公告)日：2002-09-18

申请号：EP02290545.9

申请日：2002-03-06

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Chantre, Alain ,  Baudry, Hélène ,  Dutartre, Didier

IPC: H01L21/331 ,  H01L29/737

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/7378

Abstract: Transistor et procédé de fabrication d'un transistor bipolaire du type double-polysilicium à base à hétérojonction, dans lequel on forme par épitaxie non sélective, une couche semi-conductrice à hétérojonction SiGe 2 sur une région active ZA d'un substrat SB et une région isolante STI entourant ladite région active ZA, on forme sur la couche semi-conductrice 2 au-dessus d'une partie de ladite région active, au moins une couche d'arrêt 3, on forme sur la couche semi-conductrice 2 et sur une partie de la couche d'arrêt 3 une couche de polysilicium 5 et une couche isolante supérieure 6 en laissant libre une fenêtre d'émetteur 7, et on forme par épitaxie une région d'émetteur 9 dans ladite fenêtre d'émetteur 7, reposant partiellement sur la couche isolante supérieure 6 et en contact avec la couche semi-conductrice 2.

Abstract translation: 具有异质结的besteht双多晶硅型的双极型晶体管的制造方法，包括：（a）在非选择性外延到有源区的半导体层与硅 - 锗异质结（2）形成（ZA） 的一个半导体衬底和上绝缘区域（STI）围绕所述有源区; （B）形成上述有源区的一部分的异质结半导体层上，至少一个雕刻停止层（3）; （C）形成的异质结半导体层上和所述雕刻停止的一部分在层上绝缘层（6）检测的多晶硅（5）和一个层在发射窗（7）游离左那样; （D）通过在所述发射窗在上绝缘层上，并在与所述异质结半导体层接触部分搁发射极区域（9）形成外延。 因此独立claimsoft被包括为双多晶硅与异质结型的双极型晶体管。

公开(公告)号：EP0962985A1

公开(公告)日：1999-12-08

申请号：EP99401339.9

申请日：1999-06-03

Applicant: STMicroelectronics S.A. ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  FRANCE TELECOM

Inventor： Marty, Michel ,  Chantre, Alain ,  Regolini, Jorge

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/737 ,  H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66242 ,  H01L29/0826 ,  H01L29/1004 ,  H01L29/7378

Abstract: Le transistor bipolaire vertical comprend une base à hétérojonction SiGe formée d'un empilement (8) de couches de silicium et de silicium-germanium reposant sur une couche initiale (17) de nitrure de silicium s'étendant sur une région d'isolement latéral (5) entourant la partie supérieure du collecteur intrinsèque (4), ainsi que sur la surface du collecteur intrinsèque (4) située à l'intérieur d'une fenêtre ménagée dans la couche initiale de nitrure de silicium (17).

Abstract translation: 该双极晶体管包括异质结的硅 - 锗的基部（BE）。 碱是在块与横向隔离的区域上的硅和硅 - 锗 - 到氮化硅扩散的初始层（17）的层（8）（5）。 内部集电器（4）被封闭并且位于氮化硅层中的窗口内。 该制造工艺包括二氧化硅层的半导体构成的块上的生长。 然后氮化硅的层（氮化硅）沉积，以及蚀刻直到二氧化硅的层。 化学工艺用于在窗口内除去二氧化硅的层的一部分。 氮化硅层的厚度为约300埃，并没有二氧化硅约200埃的。