公开(公告)号：EP1271629A3

公开(公告)日：2006-04-12

申请号：EP02291499.8

申请日：2002-06-14

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Ferreira, Paul ,  Coronel, Philippe

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L21/033 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823807

Abstract: L'invention concerne un procédé de traitement d'une portion de la surface (2) d'un substrat selon un premier et un deuxième traitements de surface différents l'un de l'autre et destinés respectivement à un premier groupe de zones (3a) et à un deuxième groupe de zones (3b) de ladite portion de surface (2), ces deux groupes de zones étant complémentaires l'un de l'autre par rapport à ladite portion, le procédé permettant de ne mettre en oeuvre qu'une seule opération de positionnement d'un masque qui différencie les zones des premier et deuxième groupes de zones, en utilisant les mêmes matériaux de protection pour les zones de chaque groupe de zones contre les effets du traitement destiné aux zones de l'autre groupe de zones. Application à l'obtention de produits semi-conducteurs.

公开(公告)号：EP1271629A2

公开(公告)日：2003-01-02

申请号：EP02291499.8

申请日：2002-06-14

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Ferreira, Paul ,  Coronel, Philippe

IPC: H01L21/266 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/823892 ,  H01L21/033 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823807

Abstract: L'invention concerne un procédé de traitement d'une portion de la surface (2) d'un substrat selon un premier et un deuxième traitements de surface différents l'un de l'autre et destinés respectivement à un premier groupe de zones (3a) et à un deuxième groupe de zones (3b) de ladite portion de surface (2), ces deux groupes de zones étant complémentaires l'un de l'autre par rapport à ladite portion, le procédé permettant de ne mettre en oeuvre qu'une seule opération de positionnement d'un masque qui différencie les zones des premier et deuxième groupes de zones, en utilisant les mêmes matériaux de protection pour les zones de chaque groupe de zones contre les effets du traitement destiné aux zones de l'autre groupe de zones. Application à l'obtention de produits semi-conducteurs.

Abstract translation: 用于处理基板的表面的（1）包括两个组区的一部分的方法（3A，3B），它们是相互互补的，并设计成接收不同的处理包括四个步骤：从效果区域（3b）中的选择性保护 在第一次治疗的，进行与表面的第一处理，以实现仅区域（3a），从所述第二处理的效果区域（3a）的选择性保护，并进行与表面的第二处理，以实现仅区 （图3b）。 第三步包括五个子步骤：执行对区域（3a）相对于所述第二处理，部分去除屏幕层的的效果的画面层，实现对区域（3a）的屏幕保护层，部分移除该屏幕保护的 层，并且上述区域的去除屏蔽层的（图3b）。 屏幕保护层呈现两个不同的状态，所述第二具有较高电阻的到移除比屏幕布局的保护层的属性。 上的区域中选择性地除去保护层（3b）的包括机械磨损，干式蚀刻，平面化蚀刻，溶解，或化学作用的工序; 选择性去除被控制相对于所述移除存在于同一区域上方的屏幕保护层的。 屏幕保护层通过施加在就地处理从第一到第二状态通过。 屏幕保护层是光敏性的且易于开发。 所述表面处理是通过向原子或离子物质，其允许不同的掺杂区的创建的植入。 一种半导体产品进行处理或通过实施该方法获得。

公开(公告)号：EP1385198A1

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：EP03354067.5

申请日：2003-07-23

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Ferreira, Paul ,  Coronel, Philippe

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation d'ouvertures de contact en divers emplacements de la surface supérieure d'un circuit intégré comprenant des zones surélevées, des ouvertures critiques (42) devant être formées entre deux zones surélevées voisines, comprenant les étapes consistant à recouvrir la structure d'une première couche de protection (20) ; former des ouvertures non critiques (41) dans la première couche de protection ; revêtir la structure d'une seconde couche de protection (30) ; procéder à une irradiation oblique de sorte que la seconde couche de protection n'est pas irradiée au fond des régions situées entre deux zones surélevées ; éliminer les parties non irradiées de la seconde couche de protection ; éliminer les parties de la première couche de protection situées sous la seconde couche de protection aux emplacements où cette seconde couche de protection a été éliminée ; et éliminer les parties irradiées de la seconde couche de protection.

Abstract translation: 在较高区域之间的区域中在集成电路的上表面中形成接触开口的方法在两个情况下应用，当较高区域与非临界开口（41）良好间隔时，并且当较高区域与临界开口接近时 （42）。 该方法包括用第一保护层（20）覆盖上表面结构的步骤; 使非临界开口（41）在第一保护层中; 用二级保护层覆盖结构; 进行倾斜照射，使得第二保护层不在两个较高区域之间的区域的底部照射; 消除第二保护层的非照射部分; 在第二保护层已被去除的位置消除第一保护层的部分; 并消除第二保护层的照射部分。 第一保护层（20）是氮化硅。 第二保护层是多晶硅。 照射过程是硼注入工艺。 倾斜照射以45-60度的角度进行。 较高的区域对应于MOS晶体管的栅极（3）。 容易接触的区域即短路区域被金属硅化物覆盖。 制造非临界开口（41）的步骤包括用平坦化层覆盖结构的步骤; 在开口的位置消除平坦化层; 蚀刻第一保护层中的开口; 并消除平坦化层。 平坦化层为树脂。