公开(公告)号：EP1475830A2

公开(公告)日：2004-11-10

申请号：EP04300255.9

申请日：2004-04-30

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Marty, Michel ,  Martinet, Bertrand ,  Fellous, Cyril

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66287 ,  H01L29/66242

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire, comportant les étapes suivantes :

former, sur un substrat (1), un premier semiconducteur (2) ;
déposer une couche d'encapsulation (3) gravable par rapport au premier semiconducteur ;
former un bloc sacrificiel au niveau de la jonction base-émetteur ;
découvrir le premier semiconducteur (2) autour d'espaceurs (6-1) formés autour dudit bloc ;
former un deuxième semiconducteur (7) puis un troisième semiconducteur gravable par rapport au deuxième semi-conducteur, à la couche d'encapsulation et aux espaceurs, la somme des épaisseurs du deuxième semiconducteur et de la couche sacrificielle étant égale à la somme des épaisseurs de la couche d'encapsulation et dudit bloc ;
éliminer ledit bloc et la couche d'encapsulation ;
déposer un quatrième semiconducteur (9) ;
éliminer le troisième semiconducteur ; et
graver une couche isolante (11) pour la maintenir sur les parois de l'émetteur et entre celui-ci et le deuxième semiconducteur.

Abstract translation: 该方法包括在铺设在基层（2）上的封装层上形成用作发射极窗口的牺牲块。 牺牲层铺设在基底接触层（7）上。 层（7）和牺牲层的厚度之和等于封装层和封装层的厚度之和。 去除块和封装层并铺设发射极层（9）。 牺牲层被去除。 牺牲块形成在基极 - 发射极结的水平面上。

公开(公告)号：EP1475830A3

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：EP04300255.9

申请日：2004-04-30

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Marty, Michel ,  Martinet, Bertrand ,  Fellous, Cyril

IPC: H01L21/331

CPC classification number: H01L29/66287 ,  H01L29/66242

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'un transistor bipolaire, comportant les étapes suivantes : former, sur un substrat (1), un premier semiconducteur (2) ; déposer une couche d'encapsulation (3) gravable par rapport au premier semiconducteur ; former un bloc sacrificiel au niveau de la jonction base-émetteur ; découvrir le premier semiconducteur (2) autour d'espaceurs (6-1) formés autour dudit bloc ; former un deuxième semiconducteur (7) puis un troisième semiconducteur gravable par rapport au deuxième semi-conducteur, à la couche d'encapsulation et aux espaceurs, la somme des épaisseurs du deuxième semiconducteur et de la couche sacrificielle étant égale à la somme des épaisseurs de la couche d'encapsulation et dudit bloc ; éliminer ledit bloc et la couche d'encapsulation ; déposer un quatrième semiconducteur (9) ; éliminer le troisième semiconducteur ; et graver une couche isolante (11) pour la maintenir sur les parois de l'émetteur et entre celui-ci et le deuxième semiconducteur.