公开(公告)号：EP1748493A1

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：EP06117667.3

申请日：2006-07-21

Applicant: STMicroelectronics S.A.

Inventor： Villaret, Alexandre ,  Mazoyer, Pascale ,  Ranica, Rossella

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7841 ,  H01L29/1075

Abstract: L'invention concerne une cellule mémoire à un transistor MOS formé dans une région de corps flottant (1) isolée sur sa face inférieure par une jonction. Une région (41) du même type de conductivité que la région de corps flottant mais plus fortement dopée que celle-ci est disposée sous la région de drain (10) du transistor MOS.

Abstract translation: 所述细胞具有一个MOS晶体管形成在由一个结隔离在其下表面上的浮体区域（1）那样。 p型区域（41）的漏极区（10）下方，并且被更重度掺杂于体区的其余部分。 漏极区域包括漏极接触区（10-1）和一个栅极侧较轻度掺杂漏扩展区（10-2）。 的区域（41）位于所述接触区（10-1）下，毗邻的区域（10-1）。 源极区域（9）具有一个源极接触区（9-1）和源极延伸区（9-2）没被间隔物下区分（7）。 因此独立权利要求中包括了以下内容：一种用于制造存储器单元（2）集成电路，包括一个存储单元（1）的方法。