公开(公告)号：EP1895578A1

公开(公告)日：2008-03-05

申请号：EP06425606.8

申请日：2006-09-01

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Bresolin, Camillo ,  Erbetta, Davide ,  Marangon, Maria Santina

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115

CPC classification number: H01L21/31111 ,  H01L21/31144 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11531

Abstract: Method for manufacturing an integrated circuit (101; 102; 1) formed on a semiconductor substrate (201; 2) comprising the steps of:
- forming at least one shielding structure (60; 61; 6A, 6B) on said semiconductor substrate (201; 2),
- forming a protective layer (100, 190; 19, 11') at least on portions of the semiconductor substrate (201; 2) that surround said shielding structure (60; 6A, 6B),
- carrying out a ionic implantation step with a tilt angle with respect to a normal to a plane defined by said semiconductor substrate (201; 2) so that said at least one shielding structure (60; 61; 6A, 6B) shields first portions (200; 202; 20, 11A) of the protective layer (100, 190; 19, 11'),
- removing second portions (210; 211; 21, 11B) of the protective layer (100, 190; 19, 11') that have been subjected to the ionic implant.

Abstract translation: 用于制造集成电路的方法（101; 102; 1）形成在半导体衬底上（201; 2）包括以下步骤： - 形成至少一个屏蔽结构（60; 61; 6A，6B）在所述半导体衬底（201 ; 2）， - 形成保护层（100，190;在半导体衬底（201的部分的至少19，11“），2）没有环绕所述屏蔽结构（60; 6A，6B）， - 执行一个离子 有倾斜角度相对于一个垂直于由所述半导体衬底限定的平面注入步骤（201，2），使得所述至少一个屏蔽结构（60; 61; 6A，6B）屏蔽的第一部分（200; 202; 20 中，保护层（100的11A），190; 19，11 '）， - 去除第二部分（210;保护层（100，190的21，图11B）; 211 19，11'）并已经经受 离子植入。