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    Phase-change memory device with error correction capability
    1.
    发明公开
    Phase-change memory device with error correction capability 审中-公开
    Phasenwechsel-Speichervorrichtung mit Fehlerkorrekturfunktion

    公开(公告)号：EP1947652A1

    公开(公告)日：2008-07-23

    申请号：EP07425569.6

    申请日：2007-09-13

    Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

    Inventor： Donze, Enzo Michele ,  Bedeschi, Ferdinando ,  Jagasivamani, Meenatchi

    IPC: G11C29/52 ,  G11C16/02 ,  G11C13/02 ,  G06F11/10

    CPC classification number: B01F7/04 ,  B01F7/00258 ,  B01F7/00425 ,  B01F13/06 ,  B01F2015/0221 ,  G06F11/1068 ,  G11C13/02

    Abstract: A phase-change memory device includes a plurality of data PCM cells (13), for storing data bits; data decoding circuits (14, 27, 28a), for selectively addressing sets of data PCM cells (13); and data read/program circuits (20a), for reading and programming the selected data PCM cells (13). The device further includes a plurality of parity PCM cells (25), for storing parity bits associated to data bits stored in the data PCM cells (13); parity decoding circuits (14, 27, 28b), for selectively addressing sets of parity PCM cells (25); and parity read/program circuits (20b), for reading and programming the selected parity PCM cells (25).

    Abstract translation: 相变存储器件包括用于存储数据位的多个数据PCM单元（13）; 数据解码电路（14,27,28a），用于选择性寻址数据PCM单元（13）; 和数据读取/编程电路（20a），用于读取和编程所选择的数据PCM单元（13）。 该装置还包括多个奇偶校验PCM单元（25），用于存储与存储在数据PCM单元（13）中的数据位相关联的奇偶校验位; 奇偶校验解码电路（14,27,28b），用于选择性地寻址奇偶校验PCM单元（25）组; 以及用于读取和编程所选奇偶校验PCM单元（25）的奇偶校验读/写电路（20b）。

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