公开(公告)号：EP1944763A1

公开(公告)日：2008-07-16

申请号：EP07425012.7

申请日：2007-01-12

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Albasini, Guido ,  Fedeli, Michele ,  Introini, Mattia ,  Zuffada, Maurizio

IPC: G11B9/02

CPC classification number: G11B9/02 ,  G11C7/067 ,  G11C11/22

Abstract: Described herein is a reading circuit (10) for reading a datum stored in a storage material (34). In the reading circuit (10), a generating stage (3) generates a read electrical quantity (V r ) to be applied to the storage material (34), and a sensing stage (12) is configured to generate an output electrical quantity (V out ) that is indicative of a charge variation (ΔQ) associated to the datum stored, and that occurs in the storage material (34) due to application of the read electrical quantity (V r ); in particular, the sensing stage uses a charge-sensing amplifier (12) electrically connected to the storage material (34).

Abstract translation: 这里描述了一种用于读取存储在存储材料（34）中的数据的读取电路（10）。 在读取电路（10）中，生成级（3）生成要施加到存储材料（34）的读取电量（V r），并且感测级（12）被配置为产生输出电量 V out），其指示与存储的数据相关联的电荷变化（“Q”），并且由于应用读取的电量（V r）而在存储材料（34）中发生的电荷变化（“Q”）。 特别地，感测级使用电连接到存储材料（34）的电荷感测放大器（12）。