公开(公告)号：EP1764847B1

公开(公告)日：2008-12-24

申请号：EP05108413.5

申请日：2005-09-14

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Karpov, Ilya ,  Kostylev, Sergey ,  Kuo, Charles

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/141 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/008 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

公开(公告)号：EP2017906A1

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：EP07425437.6

申请日：2007-07-17

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Kuo, Charles ,  Kim, Yudong

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1246 ,  H01L45/126 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

Abstract: A copper diffusion plug 21 is provided within a pore in dielectric layer (18, 20, 28, 30) over a copper signal line (16). By positioning the plug (21) below a chalcogenide region (36), the plug is effective to block copper diffusion upwardly into the pore and into the chalcogenide region and thus to avoid adversely affecting the electrical characteristics of the chalcogenide region.

Abstract translation: 铜扩散插头21在在铜信号线（16）电介质层（18，20，28，30）的孔内。 由插件（21）定位下方的硫族化物区域（36），插塞是有效的阻止铜扩散向上进入所述孔并进入所述硫族化物区域，从而避免了硫族化物区域的电特性产生不利影响。

公开(公告)号：EP1764847A1

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：EP05108413.5

申请日：2005-09-14

Applicant: STMicroelectronics S.r.l.

Inventor： Karpov, Ilya ,  Kostlev, Sergey ,  Kuo, Charles

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24 ,  G11C16/02

CPC classification number: H01L45/141 ,  G11C11/5678 ,  G11C13/0004 ,  G11C2013/008 ,  H01L27/2427 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1691

Abstract: A ring shaped heater (26) surrounds a chalcogenide region (36) along the length of a cylindrical solid phase portion (35) thereof defining a change phase memory element. The chalcogenide region (36) is formed in a sub-lithographic pore (34), so that a relatively compact structure is achieved. Furthermore, the ring contact between the heater and the cylindrical solid phase portion (35) results in a more gradual transition of resistance versus programming current, enabling multilevel memories to be formed.

Abstract translation: 环形加热器（26）围绕限定变化相位存储元件的圆柱形固相部分（35）的长度围绕硫族化物区域（36）。 硫族化物区（36）形成在亚光刻孔（34）中，使得获得相对紧凑的结构。 此外，加热器和圆柱形固相部分（35）之间的环接触导致电阻对编程电流的更渐进的转变，从而形成多层存储器。