公开(公告)号：EP1622177A1

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：EP05291583.2

申请日：2005-07-25

Applicant: STMicroelectronics SA ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Bouche, Guillaume ,  Ancey, Pascal ,  Viala, Bernard ,  Couderc, Sandrine

IPC: H01F41/30 ,  H01F41/18 ,  H01F10/13 ,  H01F10/00 ,  H01F17/00 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01F41/301 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/007 ,  H01F10/136 ,  H01F10/138 ,  H01F10/147 ,  H01F10/3227 ,  H01F41/18 ,  H01F41/302 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/256 ,  H01L2924/00

Abstract: L'invention concerne un procédé d'obtention d'un film mince magnétique doux, à forte aimantation et isolant, comprenant une nitruration de nanograins ferromagnétiques riches en Fe immergés dans un substrat amorphe et une oxydation sélective du substrat amorphe.
L'invention concerne également les films minces magnétiques doux à forte aimantation et isolant obtenus par le présent procédé.
L'invention propose également un circuit intégré comprenant un composant utilisant une membrane incorporant un film mince obtenu par le même procédé.

Abstract translation: 该方法涉及氮化铁磁性纳米颗粒富含铁浸渍在非晶衬底（SB），并且选择性地氧化该底物。 氮化通过反应阴极或离子溅射下磁场在氮的存在实现。 氧化通过反应性溅射在氧的存在下实现。 氧化和氮化同时进行。 因此独立权利要求被包括用于执行以下操作：（A）薄的软磁性薄膜具有高磁化强度和绝缘性; 和集成电路（B），包括成分利用的膜结合的膜。

公开(公告)号：EP1622177B1

公开(公告)日：2009-09-09

申请号：EP05291583.2

申请日：2005-07-25

Applicant: STMicroelectronics SA ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE

Inventor： Bouche, Guillaume ,  Ancey, Pascal ,  Viala, Bernard ,  Couderc, Sandrine

IPC: H01F41/30 ,  H01F41/18 ,  H01F10/13 ,  H01F10/00 ,  H01F17/00 ,  H01L23/552

CPC classification number: H01F41/301 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/007 ,  H01F10/136 ,  H01F10/138 ,  H01F10/147 ,  H01F10/3227 ,  H01F41/18 ,  H01F41/302 ,  H01L23/552 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/256 ,  H01L2924/00