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公开(公告)号：DE112014003132T5
公开(公告)日：2016-04-07
申请号：DE112014003132
申请日：2014-05-14
Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
Inventor： HORI TSUTOMU , KAWASE TOMOHIRO , SASAKI MAKOTO
IPC: C30B29/36
Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Einkristallsubstrats (10) umfasst die folgenden Schritte. Zunächst werden ein Impfkristall (2), der eine Hauptfläche (2a) aufweist und aus Siliziumkarbid gebildet ist, und ein Siliziumkarbid-Ausgangsmaterial (3) hergestellt. Ein Siliziumkarbid-Einkristall (1) wird auf der Hauptfläche (2a) durch Sublimieren des Siliziumkarbid-Ausgangsmaterials (3) gewachsen, indem ein Temperaturgradient zwischen zwei beliebigen Punkten in dem Siliziumkarbid-Ausgangsmaterial (3) bei 30°C/cm oder weniger gehalten wird. Die Hauptfläche (2a) des Impfkristalls (2) ist eine {0001}-Ebene oder eine Ebene mit einem Abweichungswinkel von 10° oder weniger bezogen auf die {0001}-Ebene, und die Hauptfläche (2a) weist eine Schraubenversetzungsdichte von 20/cm2 oder mehr auf. Auf diese Weise werden ein Siliziumkarbid-Einkristallsubstrat mit einer verbesserten Kristallqualität und ein Verfahren zur Herstellung desselben bereitgestellt.
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公开(公告)号：DE112011101177T5
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：DE112011101177
申请日：2011-03-28
Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
Inventor： KAWASE TOMOHIRO , HAGI YOSHIAKI , SAKURADA TAKASHI
Abstract: Bezieht sich auf ein Verfahren zum Fertigen eines Halbleiterkristalls, bei dem die Erzeugung eines Baufehlers in dem Halbleiter-Einkristall unterdrückt wird. Das Fertigungsverfahren beinhaltet die folgenden Schritte: Ausbilden eines Boroxidfilms (31) auf der inneren Wand eines Züchtungsbehälters (10), der einen unteren Abschnitt und einen Hauptteilabschnitt aufweist, der mit dem unteren Abschnitt zusammenhängend ist; Inkontaktbringen des Boroxidfilms (31) mit einer Siliciumoxid enthaltenden Boroxidschmelze, um einen Siliciumoxid enthaltenden Boroxidfilm (32) auf der inneren Wand des Züchtungsbehälters (10) auszubilden; Ausbilden einer Ausgangsmaterialschmelze (34) oberhalb eines Impfkristalls (20), der in und auf dem unteren Abschnitt des Züchtungsbehälters (10) platziert ist; und Verfestigen der Ausgangsmaterialschmelze (34) von der Seite des Impfkristalls (20) aus, um einen Halbleiter-Einkristall zu züchten.
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公开(公告)号：DE69914820D1
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：DE69914820
申请日：1999-03-23
Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
Inventor： KAWASE TOMOHIRO , SAWADA SHINICHI , TATSUMI MASAMI
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公开(公告)号：DE69506600T2
公开(公告)日：1999-05-06
申请号：DE69506600
申请日：1995-03-09
Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
Inventor： KAWASE TOMOHIRO
IPC: C30B11/00
Abstract: Provided are a method of preparing a compound semiconductor crystal by forming a boron or boron compound containing layer on an inner surface of a crucible and heat treating the same thereby forming a B2O3 containing layer, and a crucible which is employed for preparing the compound semiconductor crystal. According to this method, it is possible to previously form a homogenous B2O3 film on the crucible surface while preventing the B2O3 film from incomplete coating and heterogeneous coating. Consequently, it is possible to prevent a raw material melt from wetting to a container and to suppress polycrystallization, thereby preparing a compound semiconductor single crystal in an excellent yield.
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公开(公告)号：DE69122599D1
公开(公告)日：1996-11-14
申请号：DE69122599
申请日：1991-07-24
Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
Inventor： MATSUMOTO KAZUHISA , TATSUMI MASAMI , KAWASE TOMOHIRO
Abstract: A method and apparatus for pulling up a single crystal from a molten material flowing into a second crucible through a through hole formed at its bottom, said second crucible being placed in a first crucible containing therein a molten material continuously prepared from a plurality of starting materials. A long single crystal can be obtained in one step of pulling up, because the single crystal is pulled up while the molten material is continuously prepared from the plurality of starting materials. Further it is possible to keep a good solid-liquid boundary state, because the single crystal is pulled up from the molten material in the second crucible.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE69609568T2
公开(公告)日：2001-02-01
申请号：DE69609568
申请日：1996-05-23
Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
Inventor： KAWASE TOMOHIRO , TATSUMI MASAMI , WAKAYAMA YOSHIHIRO
Abstract: Provided is a method which can industrially prepare a group II-VI or III-V compound single crystal having a small number of crystal defects by effectively preventing polycrystallization. The method is adapted to prepare a single-crystalline group II-VI or III-V compound from a polycrystalline group II-VI or III-V compound, and comprises the steps of coating an inner surface of a crucible with a film consisting of powdered solids and a vitreous substance, placing the polycrystalline compound in the coated crucible, placing the crucible which is provided therein with the polycrystalline compound in heating means, heating the crucible which is arranged in the heating means with the heating means for melting the polycrystalline compound in the crucible, and cooling the crucible and the melted compound for growing a single-crystalline compound.
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公开(公告)号：DE112011101177B4
公开(公告)日：2020-09-03
申请号：DE112011101177
申请日：2011-03-28
Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
Inventor： SAKURADA TAKASHI , KAWASE TOMOHIRO , HAGI YOSHIAKI
Abstract: Verfahren zum Fertigen eines Halbleiter-Einkristalls, das die folgenden Schritte umfasst:Ausbilden eines Boroxidfilms (31) auf einer inneren Wand eines Züchtungsbehälters (10), der einen unteren Abschnitt und einen Hauptteilabschnitt aufweist, der mit dem unteren Abschnitt zusammenhängend ist,Inkontaktbringen des Boroxidfilms (31) mit einer Siliziumoxid enthaltenden Boroxidschmelze (33), um einen Siliziumoxid enthaltenden Boroxidfilm (32) auf der inneren Wand des Züchtungsbehälters (10) auszubilden,Anordnen einer Ausgangsmaterialschmelze (34) in dem Züchtungsbehälter (10) und oberhalb eines in dem unteren Abschnitt platzierten Impfkristalls (20), undVerfestigen der Ausgangsmaterialschmelze (34) von der Seite des Impfkristalls (20) aus, um einen Halbleiter-Einkristall zu züchten,wobei es sich bei dem Siliziumoxid, das in dem festen, Siliziumoxid enthaltenden Boroxid (23) enthalten ist, um Siliziumdioxid handelt,wobei eine Konzentration des Siliziumdioxids in dem festen, Siliziumoxid enthaltenden Boroxid (23) höher als oder gleich 1 mol% und geringer als oder gleich 12 mol% ist.
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公开(公告)号：DE112010003035T5
公开(公告)日：2013-04-18
申请号：DE112010003035
申请日：2010-07-23
Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
Inventor： KAWASE TOMOHIRO , SAKURADA TAKASHI
IPC: C30B11/06 , C30B29/44 , H01L21/208
Abstract: Es wird ein Verfahren zum Erzeugen eines Halbleiterkristalls angegeben. Das Verfahren umfasst Schritte: zum Vorbereiten eines länglichen Behälters (1) mit einem Impfkristall (8) und einer Schmelze (9) mit einer darin enthaltenen Verunreinigung, die in einem unteren Abschnitt (1b) platziert sind, und mit einem Aufhängungsteil (2), der in einem oberen Abschnitt (1a) angeordnet ist und an dem ein tropfender Rohmaterialblock (11) aus einem Halbleitermaterial mit einer Verunreinigungskonzentration, die geringer als diejenige der Schmelze (9) mit der darin enthaltenen Verunreinigung ist, aufgehängt wird; zum Erzeugen eines Temperaturgradienten in der Längsrichtung des länglichen Behälters (1), um den tropfenden Rohmaterialblock (11) zu schmelzen; und zum Verfestigen des Schmelze mit der darin enthaltenen Verunreinigung (9) von der Seite, die in Kontakt mit dem Impfkristall (8) ist, während eine erzeugte Schmelze (13) in die Schmelze (9) mit einer darin enthaltenen Verunreinigung tropft, um einen Halbleiterkristall (12) zu erzeugen.
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公开(公告)号：DE69717531T2
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：DE69717531
申请日：1997-04-24
Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
Inventor： KAWASE TOMOHIRO , TATSUMI MASAMI
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公开(公告)号：DE69717531D1
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：DE69717531
申请日：1997-04-24
Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES
Inventor： KAWASE TOMOHIRO , TATSUMI MASAMI
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