中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

44 records (took 0.025 seconds)

    Verfahren zum Fertigen eines Halbleiter-Einkristalls
    2.
    发明专利
    Verfahren zum Fertigen eines Halbleiter-Einkristalls 未知

    公开(公告)号：DE112011101177T5

    公开(公告)日：2013-01-24

    申请号：DE112011101177

    申请日：2011-03-28

    Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

    Inventor： KAWASE TOMOHIRO ,  HAGI YOSHIAKI ,  SAKURADA TAKASHI

    IPC: C30B11/00 ,  C30B27/00 ,  C30B29/40

    Abstract: Bezieht sich auf ein Verfahren zum Fertigen eines Halbleiterkristalls, bei dem die Erzeugung eines Baufehlers in dem Halbleiter-Einkristall unterdrückt wird. Das Fertigungsverfahren beinhaltet die folgenden Schritte: Ausbilden eines Boroxidfilms (31) auf der inneren Wand eines Züchtungsbehälters (10), der einen unteren Abschnitt und einen Hauptteilabschnitt aufweist, der mit dem unteren Abschnitt zusammenhängend ist; Inkontaktbringen des Boroxidfilms (31) mit einer Siliciumoxid enthaltenden Boroxidschmelze, um einen Siliciumoxid enthaltenden Boroxidfilm (32) auf der inneren Wand des Züchtungsbehälters (10) auszubilden; Ausbilden einer Ausgangsmaterialschmelze (34) oberhalb eines Impfkristalls (20), der in und auf dem unteren Abschnitt des Züchtungsbehälters (10) platziert ist; und Verfestigen der Ausgangsmaterialschmelze (34) von der Seite des Impfkristalls (20) aus, um einen Halbleiter-Einkristall zu züchten.

    COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE-CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD
    4.
    发明专利
    COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE-CRYSTAL MANUFACTURING DEVICE AND MANUFACTURING METHOD 未知

    公开(公告)号：CA2694496A1

    公开(公告)日：2009-09-17

    申请号：CA2694496

    申请日：2009-03-06

    Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

    Inventor： SATOH ISSEI ,  MIZUHARA NAHO ,  TANIZAKI KEISUKE ,  MIYANAGA MICHIMASA ,  SAKURADA TAKASHI ,  NAKAHATA HIDEAKI

    IPC: C30B23/08 ,  C23C14/28 ,  H01L21/203

    Abstract: An apparatus (1) for manufacturing a compound semiconductor single crystal is provided with a laser light source (6) which can sublimate a material by applying a laser beam to the material; a reaction container (2), which has a laser introducing window (5) that can pass through the laser beam emitted from the laser light source (6) and that can introduce the laser beam into the container, and holds a base substrate (3) which recrystallizes the sublimated material; and a heater (7) which can heat the base substrate (3). The material in the reaction container (2) is sublimated by heating the material by applying the laser beam to the material, and the sublimated material is recrystallized on the base substrate (3) to grow the compound semiconductor single crystal. Then, the compound semiconductor single crystal is separated from the base substrate (3) by using the laser beam.

    GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND EPITAXIAL SUBSTRATE
    5.
    发明专利
    GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND EPITAXIAL SUBSTRATE 未知

    公开(公告)号：CA2572792A1

    公开(公告)日：2006-11-09

    申请号：CA2572792

    申请日：2006-01-20

    Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

    Inventor： MIURA KOUHEI ,  SAKURADA TAKASHI ,  KIYAMA MAKOTO

    IPC: H01L29/47 ,  H01L29/872

    Abstract: Affords a Group III nitride semiconductor device having a structure that can improve the breakdown voltage. A Schottky diode (11) consists of a Group III nitride support substrate (13), a gallium nitride region (15), and a Schottky electrode (17). The Group III nitride support substrate (13) has electrical conductivity. The Schottky electrode (17) forms a Schottky junction on the gallium nitride region (15). The gallium nitride region (15) is fabricated on a principal face (13a) of the Group III nitride support substrate (13). The gallium nitride region (15) has a (1012)-plane XRD full-width-at-half-maximum of 100 sec or less.

    GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND EPITAXIAL SUBSTRATE
    6.
    发明专利
    GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND EPITAXIAL SUBSTRATE 未知

    公开(公告)号：CA2564423A1

    公开(公告)日：2006-09-21

    申请号：CA2564423

    申请日：2006-03-03

    Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

    Inventor： KIYAMA MAKOTO ,  TANABE TATSUYA ,  SAKURADA TAKASHI ,  MIURA KOUHEI

    IPC: H01L21/338 ,  H01L21/205 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

    Abstract: Disclosed is a group III nitride semiconductor device wherein leakage curren t from a Schottky electrode is reduced. In a high-electron-mobility transistor (1), a supporting substrate (3) is composed of AlN, AlGaN and GaN. An AlYGa1 - YN epitaxial layer (5) has a surface roughness (Rms) of not more than 0.25 n m, and this surface roughness is defined by a 1 .mu.m square area. A GaN epitaxial layer (7) is formed between the AlYGa1-YN supporting substrate (3) and the AlYGa1-YN epitaxial layer (5). A Schottky electrode (9) is formed on the AlYGa1-YN epitaxial layer (5). A first ohmic electrode (11) is formed on the AlYGa1-YN epitaxial layer (5), and a second ohmic electrode (13) is form ed on the AlYGa1-YN epitaxial layer (5). One of the first and second ohmic electrodes (11, 13) is a source electrode, and the other is a drain electrod e. The Schottky electrode (9) is a gate electrode of the high-electron-mobility transistor (1).

    Verfahren zum Fertigen eines Halbleiter-Einkristalls
    7.
    发明专利
    Verfahren zum Fertigen eines Halbleiter-Einkristalls 未知

    公开(公告)号：DE112011101177B4

    公开(公告)日：2020-09-03

    申请号：DE112011101177

    申请日：2011-03-28

    Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

    Inventor： SAKURADA TAKASHI ,  KAWASE TOMOHIRO ,  HAGI YOSHIAKI

    IPC: C30B11/00 ,  C30B27/00 ,  C30B29/40

    Abstract: Verfahren zum Fertigen eines Halbleiter-Einkristalls, das die folgenden Schritte umfasst:Ausbilden eines Boroxidfilms (31) auf einer inneren Wand eines Züchtungsbehälters (10), der einen unteren Abschnitt und einen Hauptteilabschnitt aufweist, der mit dem unteren Abschnitt zusammenhängend ist,Inkontaktbringen des Boroxidfilms (31) mit einer Siliziumoxid enthaltenden Boroxidschmelze (33), um einen Siliziumoxid enthaltenden Boroxidfilm (32) auf der inneren Wand des Züchtungsbehälters (10) auszubilden,Anordnen einer Ausgangsmaterialschmelze (34) in dem Züchtungsbehälter (10) und oberhalb eines in dem unteren Abschnitt platzierten Impfkristalls (20), undVerfestigen der Ausgangsmaterialschmelze (34) von der Seite des Impfkristalls (20) aus, um einen Halbleiter-Einkristall zu züchten,wobei es sich bei dem Siliziumoxid, das in dem festen, Siliziumoxid enthaltenden Boroxid (23) enthalten ist, um Siliziumdioxid handelt,wobei eine Konzentration des Siliziumdioxids in dem festen, Siliziumoxid enthaltenden Boroxid (23) höher als oder gleich 1 mol% und geringer als oder gleich 12 mol% ist.

    Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Halbleiterkristalls, und Halbleiterkristall
    8.
    发明专利
    Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen eines Halbleiterkristalls, und Halbleiterkristall 未知

    公开(公告)号：DE112010003035T5

    公开(公告)日：2013-04-18

    申请号：DE112010003035

    申请日：2010-07-23

    Applicant: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES

    Inventor： KAWASE TOMOHIRO ,  SAKURADA TAKASHI

    IPC: C30B11/06 ,  C30B29/44 ,  H01L21/208

    Abstract: Es wird ein Verfahren zum Erzeugen eines Halbleiterkristalls angegeben. Das Verfahren umfasst Schritte: zum Vorbereiten eines länglichen Behälters (1) mit einem Impfkristall (8) und einer Schmelze (9) mit einer darin enthaltenen Verunreinigung, die in einem unteren Abschnitt (1b) platziert sind, und mit einem Aufhängungsteil (2), der in einem oberen Abschnitt (1a) angeordnet ist und an dem ein tropfender Rohmaterialblock (11) aus einem Halbleitermaterial mit einer Verunreinigungskonzentration, die geringer als diejenige der Schmelze (9) mit der darin enthaltenen Verunreinigung ist, aufgehängt wird; zum Erzeugen eines Temperaturgradienten in der Längsrichtung des länglichen Behälters (1), um den tropfenden Rohmaterialblock (11) zu schmelzen; und zum Verfestigen des Schmelze mit der darin enthaltenen Verunreinigung (9) von der Seite, die in Kontakt mit dem Impfkristall (8) ist, während eine erzeugte Schmelze (13) in die Schmelze (9) mit einer darin enthaltenen Verunreinigung tropft, um einen Halbleiterkristall (12) zu erzeugen.

Patent Agency Ranking