公开(公告)号：CN1272905C

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN01145485.7

申请日：2001-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上憲司 ,  佐藤胜男 ,  守越広树 ,  川嵜克己 ,  佐藤淳

IPC: H03H9/64

CPC classification number: H03H9/02543

Abstract: 公开了一种紧凑并且频带宽的用于中频的表面声波器件。也公开了一种具有高的机电耦合因子和低的SAW速度的用于表面声波器件的压电基体。表面声波器件由压电基体(1)和成型于压电基体(1)上的交叉指型电极(2，2)组成。压电基体(1)具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构，可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示。发现用欧拉角(Φ，θ，Ψ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为-2.5°≤Φ≤2.5°，30°≤θ≤90°，和-65°≤Ψ≤65°的区内。

公开(公告)号：CN1359194A

公开(公告)日：2002-07-17

申请号：CN01145485.7

申请日：2001-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 井上憲司 ,  佐藤胜男 ,  守越広树 ,  川嵜克己 ,  佐藤淳

IPC: H03H9/64

CPC classification number: H03H9/02543

Abstract: 公开了一种紧凑并且频带宽的用于中频的表面声波器件。也公开了一种具有高的机电耦合因子和低的SAW速度的用于表面声波器件的压电基体。表面声波器件由压电基体1和成型于压电基体1上的交叉指型电极2,2组成。压电基体1具有Ca3Ga2Ge4O14型的晶体结构,可用化学式Ca3TaGa3Si2O14来表示。发现用欧拉角(Φ,θ,φ)表示的压电基体从单晶切割出的切割角和压电基体上表面声波的传播方向在表示为－2.5°≤Φ≤2.5°,30°≤θ≤90°,和－65°≤φ≤65°的区内。