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公开(公告)号:CN102219478B
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201110065883.0
申请日:2011-03-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/01 , C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/491
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/761 , C04B2235/79
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物,其特征在于,作为主成分,含有用一般式ABO3表示的具有钙钛矿型结晶结构的化合物,相对于100摩尔的化合物,作为副成分,含有用各元素换算,0.6~2.0摩尔的Mg的氧化物、0.010~0.6摩尔的Mn和/或Cr的氧化物、0.010~0.2摩尔的从V、Mo以及W中选出的一种以上元素的氧化物、0.10~1.0摩尔的R1的氧化物(R1是从Y、Yb、Er以及Ho选出的一种以上)、0.10~1.0摩尔的R2的氧化物(R2是从Dy、Gd、以及Tb中选出的一种以上)、以及0.2~1.5摩尔的,包括Ba的氧化物和/或Ca的氧化物以及Si的氧化物的成分。如果采用本发明,则能够提供即使是使电介质层薄型化的情况下,也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物。
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公开(公告)号:CN102219478A
公开(公告)日:2011-10-19
申请号:CN201110065883.0
申请日:2011-03-09
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/465 , C04B35/48 , C04B35/491
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/465 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3239 , C04B2235/3241 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/36 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6582 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/761 , C04B2235/79
Abstract: 本发明的电介质瓷组成物,其特征在于,作为主成分,含有用一般式ABO3表示的具有钙钛矿型结晶结构的化合物,相对于100摩尔的化合物,作为副成分,含有用各元素换算,0.6~2.0摩尔的Mg的氧化物、0.010~0.6摩尔的Mn和/或Cr的氧化物、0.010~0.2摩尔的从V、Mo以及W中选出的一种以上元素的氧化物、0.10~1.0摩尔的R1的氧化物(R1是从Y、Yb、Er以及Ho选出的一种以上)、0.10~1.0摩尔的R2的氧化物(R2是从Dy、Gd、以及Tb中选出的一种以上)、以及0.2~1.5摩尔的,包括Ba的氧化物和/或Ca的氧化物以及Si的氧化物的成分。如果采用本发明,则能够提供即使是使电介质层薄型化的情况下,也能够显示出良好的特性的电介质瓷组成物。
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