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公开(公告)号：CN100355184C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200480009015.9
申请日：2004-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: H02K1/17
CPC classification number: H02K1/04 , H02K1/17 , H02K41/0358
Abstract: 本发明涉及音圈电动机(VCM)用永久磁体构件(10)，具备：磁体素体(1)和覆盖在该磁体素体表面上的耐腐蚀覆盖膜(Ni镀膜(2))，磁体素体(1)具有短周边(11)、与此短周边以规定的间隔隔开的长周边(12)、连接短周边(11)和长周边(12)的一对侧周边(13、14)，而且具有扇形的平面形状。在这样的VCM用永久磁体构件(10)中，其厚度的最大值与最小值之差为10～150μm。
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公开(公告)号：CN1768464A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200480009015.9
申请日：2004-03-31
Applicant: TDK株式会社
IPC: H02K1/17
CPC classification number: H02K1/04 , H02K1/17 , H02K41/0358
Abstract: 本发明涉及音圈电动机(VCM)用永久磁体构件(10)，具备：磁体素体(1)和覆盖在该磁体素体表面上的耐腐蚀覆盖膜(Ni镀膜(2))，磁体素体(1)具有短周边(11)、与此短周边以规定的间隔隔开的长周边(12)、连接短周边(11)和长周边(12)的一对侧周边(13、14)，而且具有扇形的平面形状。在这样的VCM用永久磁体构件(10)中，其厚度的最大值与最小值之差为10～150μm。
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公开(公告)号：CN1754011A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200480005433.0
申请日：2004-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C25D7/001 , C25D3/12 , C25D5/14 , H01F41/026
Abstract: 提供耐蚀性优良的稀土类磁铁的制造方法及用于该方法的电镀液。在含稀土类元素的磁铁基体上，依次层叠含镍的第1保护膜和含镍及硫的第2保护膜。第1保护膜使用包含镍源、导电性盐、pH稳定剂、镍源的镍原子单位浓度为0.3mol/l～0.7mol/l、电导率在80mS/cm以上的第1电镀液进行电镀而形成。因而，可以抑制稀土富集相的洗脱，减少针孔的生成，并且因此提高耐蚀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1799111A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200480015078.5
申请日：2004-06-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种R－T－B系永磁体(1)，其具有磁体基体(2)和包覆在磁体基体(2)表面上的保护膜(3)，所述磁体基体(2)由至少含有主相和晶界相的烧结体构成，而且在其表层部形成有富氢层(21)，该富氢层(21)中氢浓度达300ppm或以上的厚度为300μm或以下(不含0μm)，其中所述主相由R2T14B晶粒(其中，R为稀土类元素的1种、2种或更多种，T为以Fe或者Fe和Co为必须成分的1种、2种或更多种的过渡金属元素)构成，所述晶界相比该主相含有更多的R。根据该R－T－B系永磁体(1)，其不使磁特性退化而能够使形成有保护膜(3)的R－T－B系永磁体(1)的耐蚀性得以提高。另外，对采用电镀方法进行的保护膜(3)的形成也可能适用，且生产效率几乎不会降低，能够充分确保作为形成保护膜(3)的本来目的的耐蚀性。再者，能够提供表面部分的局部损坏(颗粒脱落)受到抑制、尺寸精度较高的R－T－B系永磁体(1)。
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公开(公告)号：CN100554530C
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200480005433.0
申请日：2004-03-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C25D7/001 , C25D3/12 , C25D5/14 , H01F41/026
Abstract: 提供耐蚀性优良的稀土类磁铁的制造方法及用于该方法的电镀液。在含稀土类元素的磁铁基体上，依次层叠含镍的第1保护膜和含镍及硫的第2保护膜。第1保护膜使用包含镍源、导电性盐、pH稳定剂、镍源的镍原子单位浓度为0.3mol/l～0.7mol/l、电导率在80mS/cm以上的第1电镀液进行电镀而形成。因而，可以抑制稀土富集相的洗脱，减少针孔的生成，并且因此提高耐蚀性。
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公开(公告)号：CN100508081C
公开(公告)日：2009-07-01
申请号：CN200480015078.5
申请日：2004-06-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 一种R-T-B系永磁体(1)，其具有磁体基体(2)和包覆在磁体基体(2)表面上的保护膜(3)，所述磁体基体(2)由至少含有主相和晶界相的烧结体构成，而且在其表层部形成有富氢层(21)，该富氢层(21)中氢浓度达300ppm或以上的厚度为300μm或以下(不含0μm)，其中所述主相由R2T14B晶粒(其中，R为稀土类元素的1种、2种或更多种，T为以Fe或者Fe和Co为必须成分的1种、2种或更多种的过渡金属元素)构成，所述晶界相比该主相含有更多的R。根据该R-T-B系永磁体(1)，其不使磁特性退化而能够使形成有保护膜(3)的R-T-B系永磁体(1)的耐蚀性得以提高。另外，对采用电镀方法进行的保护膜(3)的形成也可能适用，且生产效率几乎不会降低，能够充分确保作为形成保护膜(3)的本来目的的耐蚀性。再者，能够提供表面部分的局部损坏(颗粒脱落)受到抑制、尺寸精度较高的R-T-B系永磁体(1)。
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公开(公告)号：CN1308497C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410044686.0
申请日：2004-05-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明的筒镀装置是长轴长度(a)为5～60mm、长轴长度(a)与短轴长度(b)(单位mm)的比(a/b)的值为1.2以上，厚度(c)(单位mm)比短轴长度(b)小的平板形状物为被镀对象物进行筒镀用的筒镀装置，由于其构成是棒状的阴极导入部导入筒内后有距离(L)的水平部，利用与被镀对象物的长度(a)的关系，设定该距离使(L/a)≤0.9，所以即使是筒镀中有障碍的平板形状的被镀对象物，也可以减少或防止被镀对象物在筒内流动状态的偏倚或停留，可确保被镀对象物形成均匀厚度的镀膜、且可抑制龟裂或破裂的不良现象。
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公开(公告)号：CN1572915A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN200410044686.0
申请日：2004-05-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: C25D17/20
Abstract: 本发明的筒镀装置是长轴长度(a)为5～60mm、长轴长度(a)与短轴长度(b)(单位mm)的比(a/b)的值为1.2以上，厚度(c)(单位mm)比短轴长度(b)小的平板形状物为被镀对象物进行筒镀用的筒镀装置，由于其构成是棒状的阴极导入部导入筒内后有距离(L)的水平部，利用与被镀对象物的长度(a)的关系，设定该距离使(L/a)≤0.9，所以即使是筒镀中有障碍的平板形状的被镀对象物，也可以减少或防止被镀对象物在筒内流动状态的偏倚或停留，可确保被镀对象物形成均匀厚度的镀膜、且可抑制龟裂或破裂的不良现象。
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