PROCEDE D'INTEGRATION DE MICRO-INTERRUPTEURS DE TYPE MEMS SUR DES SUBSTRATS EN GaN COMPORTANT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES DE PUISSANCE
    1.
    发明申请
    PROCEDE D'INTEGRATION DE MICRO-INTERRUPTEURS DE TYPE MEMS SUR DES SUBSTRATS EN GaN COMPORTANT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES DE PUISSANCE 审中-公开
    用于在包含电子元件的基底上集成MEMS微结构的方法

    公开(公告)号:WO2010136322A1

    公开(公告)日:2010-12-02

    申请号:PCT/EP2010/056278

    申请日:2010-05-07

    Abstract: Le domaine général de l'invention est celui des procédés de réalisation des modules électroniques comprenant d'une part des composants électroniques de puissance (3) réalisés sur substrat (1) en nitrure de gallium (GaN) et d'autre part des micro-interrupteurs (10) à activation électrostatique de type MEMS (Micro Electro Mechanical System). Les composants électroniques et les micro-interrupteurs selon l'invention sont réalisés sur un seul substrat en nitrure de gallium et le procédé de réalisation comporte au moins les étapes suivantes :- Etape 1 : Réalisation des composants de puissance (3) sur le substrat en nitrure de gallium; - Etape 2 : Dépôt d'une première couche de passivation commune (4) sur lesdits composants et sur le substrat; - Etape 3 : Réalisation des micro-interrupteurs (10) sur ledit substrat.

    Abstract translation: 本发明涉及用于制造电子模块的方法的一般领域,包括在氮化镓(GaN)衬底(1)上制造的电子功率部件(3)以及静电激活的MEMS(微机电系统)微型开关(10) 。 根据本发明的电子部件和微型开关在单个氮化镓衬底上制造,并且制造方法至少包括以下步骤:步骤1:在氮化镓衬底上制造功率部件(3) 步骤2:在所述组件和衬底上沉积第一公共钝化层(4); 和步骤3:在所述衬底上制备微动开关(10)。

    COMPOSANTS MICRO-ELECTRONIQUES PASSIFS, APTES A LAISSER CIRCULER UN SIGNAL RADIOFREQUENCE OU HYPERFREQUENCE SELON UNE SEULE DIRECTION
    2.
    发明申请
    COMPOSANTS MICRO-ELECTRONIQUES PASSIFS, APTES A LAISSER CIRCULER UN SIGNAL RADIOFREQUENCE OU HYPERFREQUENCE SELON UNE SEULE DIRECTION 审中-公开
    被动式微电子元件,能够通过无线电频率或超频率信号进行单向旅行

    公开(公告)号:WO2014016285A2

    公开(公告)日:2014-01-30

    申请号:PCT/EP2013/065495

    申请日:2013-07-23

    Applicant: THALES

    Abstract: L'invention concerne des composants micro-électroniques radiofréquence passifs pour circuit intégré, du type comportant un substrat diélectrique (S) et au moins une couche conductrice métallique disposée sur ledit substrat, ladite couche conductrice comportant au moins une première partie conductrice métallique (C1) et une deuxième partie conductrice métallique (C2) séparées par une isolation (I). Un composant micro-électronique selon l'invention comporte au moins une couche de graphène (G) disposée de manière à ce qu'un signal radiofréquence ou hyperfréquence traverse ladite au moins une couche de graphène (G) lorsqu'il est transmis entre ladite première partie conductrice métallique et ladite deuxième partie conductrice métallique, ladite couche de graphène (G) étant apte, lorsqu'elle est soumise à un potentiel électrique, à transmettre ledit signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une première direction et à atténuer ledit signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une deuxième direction opposée à ladite première direction. L'invention s'applique en particulier pour les composants micro- électroniques de type ligne de transmission, de type capacitif et de type micro-commutateur.

    Abstract translation: 本发明涉及用于集成电路的无源射频微电子部件,包括电介质基片(S)和设置在所述基片上的至少一个金属导电层,所述导电层至少包括第一金属导电部分(C1)和第二金属 绝缘层(I)隔开的导电部分(C2)。 根据本发明的微电子部件包括至少一个石墨烯层(G),其布置成使得当射频或超频信号在所述第一金属导电部分和 所述第二金属导电部分,所述石墨烯层(G)在受到电位时能够沿第一方向传输所述射频或超频信号,并且能够衰减所述射频或超高频信号, 频率信号在与所述第一方向相反的第二方向上。 本发明特别适用于传输线,电容器和微型开关微电子器件。

    MICRO-COMMUTATEUR RF A CAPACITE EN TRANCHÉE

    公开(公告)号:WO2022229173A2

    公开(公告)日:2022-11-03

    申请号:PCT/EP2022/061034

    申请日:2022-04-26

    Applicant: THALES

    Abstract: L'invention a pour objet un Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif comprenant une membrane métallique (10) suspendue au-dessus d'une ligne de transmission RF (30) recouverte d'un empilement comprenant au moins une première couche de diélectrique (31) et une couche métallique (32), ladite membrane reposant via deux bras (20a, 20b) sur des plans de masse au-dessus d'un substrat (40), et étant apte à être commandée de manière à passer : • d'une position dite haute séparant ladite membrane par un gap au-dessus de ladite ligne RF recouverte dudit empilement et définissant une première capacité (CUP) à; • une position dite basse dans laquelle ladite membrane est en contact avec ladite ligne RF (30) via ladite couche métallique (32) dudit empilement recouvrant ladite ligne RF de manière à définir une seconde capacité (CDOWN) caractérisé en ce que la ligne RF (30), la première couche de diélectrique (31) et la couche métallique (32) présentent une structure en trois dimensions, c'est-à-dire en relief, de manière à définir un condensateur en 3 dimensions de type MIM ou condensateur en tranchée.

    COMMUTATEUR MEMS-RF COMPORTANT DES ELEMENTS INCLUANT UN MATERIAU FERROMAGNETIQUE

    公开(公告)号:WO2019129720A1

    公开(公告)日:2019-07-04

    申请号:PCT/EP2018/086634

    申请日:2018-12-21

    Applicant: THALES

    CPC classification number: B81B3/0016 B81B2201/016 H01H59/0009

    Abstract: Le domaine de l'invention est celui des commutateurs MEMS-RF comportant une membrane (1) souple disposée au-dessus d'une électrode de commande (2). La membrane et l'électrode de commande du commutateur selon l'invention sont réalisées en matériaux ferromagnétiques ou comportent au moins une couche de matériau ferromagnétique. Au repos, la membrane est sensiblement plane et maintenue au-dessus de l'électrode de commande par deux piliers, la déformation de la membrane se faisant selon un axe perpendiculaire à ce plan et selon une direction joignant les deux piliers, l'électrode de commande étant alimentée par une ligne (22) de commande en courant, ladite ligne de commande est disposée de façon que le sens de l'intensité du courant soit perpendiculaire audit axe et à ladite direction de façon que les forces magnétiques créées par ledit courant soient parallèles à l'axe de déformation.

    MEMS RF CAPACITIF DESTINE A DES APPLICATIONS DE FORTE PUISSANCE.
    6.
    发明申请
    MEMS RF CAPACITIF DESTINE A DES APPLICATIONS DE FORTE PUISSANCE. 审中-公开
    适用于大功率应用的电容RF MEMS

    公开(公告)号:WO2016102650A1

    公开(公告)日:2016-06-30

    申请号:PCT/EP2015/081127

    申请日:2015-12-23

    Applicant: THALES

    Abstract: Selon un aspect de l'invention, il est proposé un Microsystème ElectroMécanique radiofréquence capacitif ou MEMS RF capacitif comprenant une membrane métallique (1) suspendue au-dessus d'une ligne de transmission RF (3) et reposant sur des plans de masse (6a, 6b), et présentant une face inférieure (lb), une face supérieure (la) opposée à la face inférieure et une première couche (7) comprenant un matériau métallique réfractaire (Matl) recouvrant au moins partiellement la face supérieure de la membrane de manière à empêcher réchauffement de la membrane.

    Abstract translation: 根据本发明的一个方面,一种电容性射频机电微系统或电容RF MEMS,其包括悬挂在RF传输线(3)上方并搁置在接地平面(6a,6b)上的金属膜(1),并且具有下表面 1b)和与下表面相对的上表面(1a)和包括至少部分地覆盖膜的上表面以防止膜加热的难熔金属材料(Matl)的第一层(7) 。

    COMPOSANT DE TYPE NANO-ELECTRO-MECHANICAL-SYSTEM RADIO-FREQUENCE (NEMS RF) COMPORTANT UN NANO-COMMUTATEUR A CONTACT AMELIORE
    7.
    发明申请
    COMPOSANT DE TYPE NANO-ELECTRO-MECHANICAL-SYSTEM RADIO-FREQUENCE (NEMS RF) COMPORTANT UN NANO-COMMUTATEUR A CONTACT AMELIORE 审中-公开
    具有改进联系的纳米技术的无线电频率纳米电子系统(RF NEMS)组件

    公开(公告)号:WO2012126871A1

    公开(公告)日:2012-09-27

    申请号:PCT/EP2012/054759

    申请日:2012-03-19

    Abstract: L'invention a pour objet un composant RF comprenant au moins une ligne RF (Ls) coplanaire avec une surface métallique (M 1 , M 2 ) à la surface d'un substrat (S) et une structure de nano-commutateur située entre ladite ligne coplanaire et la surface métallique, la ligne RF et la surface métallique étant parallèle entre elles selon une première direction, la ligne RF et la surface métallique comprenant des éléments latéraux (L sb1 , L sb2 , M b11 , M b12 , M b21 , M b22 ) perpendiculaires à ladite première direction, caractérisé en ce que : - un élément latéral (L sb1 , L sb2 ) de la ligne RF coopère avec au moins un élément latéral de la surface métallique (M b11 , M b12 , M b21 , M b22 ) qui comporte une série de nanotubes ou nanofils (Nb 11i , Nb 12i ), via une commutation mettant en contact direct la série de nanotubes ou de nanofils avec l'élément latéral de ladite ligne RF; - ladite structure de nano-commutateur comportant en outre au moins une électrode de commutation à la surface dudit substrat, permettant de contacter ladite série de nanotubes ou nanofils audit élément latéral de ladite ligne RF.

    Abstract translation: 本发明的主题是RF元件,其包括至少一个共面RF带状线(Ls),在基底(S)的表面上具有金属区域(M1,M2),以及位于所述共面带状线和 所述金属区域,所述RF带状线和所述金属区域沿着第一方向彼此平行地放置,并且所述RF带状线和所述金属区域包括垂直于所述第一方向的横向元件(Lsb1,Lsb2,Mb11,Mb12,Mb21,Mb22) 方向,其特征在于:RF带状线的一个横向元件(Lsb1,Lsb2)与至少一个横向金属区域元件(Mb11,Mb12,Mb21,Mb22)相互作用,该元件包括一系列纳米管或纳米线(Nb11i,Nb12i ),通过使一系列纳米管或纳米线与所述RF带状线的横向元件直接接触的切换动作; 并且所述纳米开关结构还包括在所述衬底的表面上的至少一个开关电极,使所述一系列纳米管或纳米线与所述RF带状线的所述横向元件接触成为可能。

    MEMS RF CAPACITIF DESTINE A DES APPLICATIONS DE FORTE PUISSANCE.
    9.
    发明公开
    MEMS RF CAPACITIF DESTINE A DES APPLICATIONS DE FORTE PUISSANCE. 审中-公开
    MEMS RF CAPACITIF DESTINE DES应用DE FORTE PUISS​​ANCE。

    公开(公告)号:EP3237324A1

    公开(公告)日:2017-11-01

    申请号:EP15828494.3

    申请日:2015-12-23

    Applicant: THALES

    Abstract: According to one aspect of the invention, a capacitive radiofrequency electromechanical microsystem or capacitive RF MEMS comprising a metal membrane (1) suspended above an RF transmission line (3) and resting on ground planes (6a, 6b), and having a lower face (1b), and an upper face (1a) opposite the lower face and a first layer (7) comprising a refractory metal material (Matl) at least partially covering the upper face of the membrane so as to prevent heating of the membrane, is provided.

    Abstract translation: 根据本发明的一个方面,提供了一种电容射频机电微系统或电容RF MEMS,其包括悬挂在RF传输线(3)上方并搁置在接地平面(6a,6b)上的金属膜(1),并且具有下表面 1b)以及与下表面相对的上表面(1a),并且第一层(7)包括难熔金属材料(Mat1),所述难熔金属材料至少部分地覆盖膜的上表面以防止膜的加热 。

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