Abstract:
Le domaine général de l'invention est celui des procédés de réalisation des modules électroniques comprenant d'une part des composants électroniques de puissance (3) réalisés sur substrat (1) en nitrure de gallium (GaN) et d'autre part des micro-interrupteurs (10) à activation électrostatique de type MEMS (Micro Electro Mechanical System). Les composants électroniques et les micro-interrupteurs selon l'invention sont réalisés sur un seul substrat en nitrure de gallium et le procédé de réalisation comporte au moins les étapes suivantes :- Etape 1 : Réalisation des composants de puissance (3) sur le substrat en nitrure de gallium; - Etape 2 : Dépôt d'une première couche de passivation commune (4) sur lesdits composants et sur le substrat; - Etape 3 : Réalisation des micro-interrupteurs (10) sur ledit substrat.
Abstract:
L'invention concerne des composants micro-électroniques radiofréquence passifs pour circuit intégré, du type comportant un substrat diélectrique (S) et au moins une couche conductrice métallique disposée sur ledit substrat, ladite couche conductrice comportant au moins une première partie conductrice métallique (C1) et une deuxième partie conductrice métallique (C2) séparées par une isolation (I). Un composant micro-électronique selon l'invention comporte au moins une couche de graphène (G) disposée de manière à ce qu'un signal radiofréquence ou hyperfréquence traverse ladite au moins une couche de graphène (G) lorsqu'il est transmis entre ladite première partie conductrice métallique et ladite deuxième partie conductrice métallique, ladite couche de graphène (G) étant apte, lorsqu'elle est soumise à un potentiel électrique, à transmettre ledit signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une première direction et à atténuer ledit signal radiofréquence ou hyperfréquence selon une deuxième direction opposée à ladite première direction. L'invention s'applique en particulier pour les composants micro- électroniques de type ligne de transmission, de type capacitif et de type micro-commutateur.
Abstract:
Ce dispositif (20), qui comporte une ligne de transmission (23), entre une entrée une sortie (1, 2), et un résonateur, se caractérise par : une première piste micro-ruban (28), un premier composant de type microsystème électromécanique - MEMS (27), et une seconde piste micro-ruban (26), connectés en série entre la ligne de transmission et un point de masse, ainsi qu'un second composant MEMS (25), connecté en parallèle de la seconde piste micro-ruban (26), les premier et second composants MEMS fonctionnant en interrupteur et étant commandés par un circuit de commande (50, 51) de l'état ouvert ou fermé de chacun des premier et second MEMS permettant de placer le dispositif de filtrage soit dans une mode de fonctionnement « passe-tout », soit dans un mode de fonctionnement « coupe-bande » autour d'une fréquence caractéristique (F0) du résonateur (24).
Abstract:
L'invention a pour objet un Microsystème Electromécanique radiofréquence capacitif comprenant une membrane métallique (10) suspendue au-dessus d'une ligne de transmission RF (30) recouverte d'un empilement comprenant au moins une première couche de diélectrique (31) et une couche métallique (32), ladite membrane reposant via deux bras (20a, 20b) sur des plans de masse au-dessus d'un substrat (40), et étant apte à être commandée de manière à passer : • d'une position dite haute séparant ladite membrane par un gap au-dessus de ladite ligne RF recouverte dudit empilement et définissant une première capacité (CUP) à; • une position dite basse dans laquelle ladite membrane est en contact avec ladite ligne RF (30) via ladite couche métallique (32) dudit empilement recouvrant ladite ligne RF de manière à définir une seconde capacité (CDOWN) caractérisé en ce que la ligne RF (30), la première couche de diélectrique (31) et la couche métallique (32) présentent une structure en trois dimensions, c'est-à-dire en relief, de manière à définir un condensateur en 3 dimensions de type MIM ou condensateur en tranchée.
Abstract:
Le domaine de l'invention est celui des commutateurs MEMS-RF comportant une membrane (1) souple disposée au-dessus d'une électrode de commande (2). La membrane et l'électrode de commande du commutateur selon l'invention sont réalisées en matériaux ferromagnétiques ou comportent au moins une couche de matériau ferromagnétique. Au repos, la membrane est sensiblement plane et maintenue au-dessus de l'électrode de commande par deux piliers, la déformation de la membrane se faisant selon un axe perpendiculaire à ce plan et selon une direction joignant les deux piliers, l'électrode de commande étant alimentée par une ligne (22) de commande en courant, ladite ligne de commande est disposée de façon que le sens de l'intensité du courant soit perpendiculaire audit axe et à ladite direction de façon que les forces magnétiques créées par ledit courant soient parallèles à l'axe de déformation.
Abstract:
Selon un aspect de l'invention, il est proposé un Microsystème ElectroMécanique radiofréquence capacitif ou MEMS RF capacitif comprenant une membrane métallique (1) suspendue au-dessus d'une ligne de transmission RF (3) et reposant sur des plans de masse (6a, 6b), et présentant une face inférieure (lb), une face supérieure (la) opposée à la face inférieure et une première couche (7) comprenant un matériau métallique réfractaire (Matl) recouvrant au moins partiellement la face supérieure de la membrane de manière à empêcher réchauffement de la membrane.
Abstract:
L'invention a pour objet un composant RF comprenant au moins une ligne RF (Ls) coplanaire avec une surface métallique (M 1 , M 2 ) à la surface d'un substrat (S) et une structure de nano-commutateur située entre ladite ligne coplanaire et la surface métallique, la ligne RF et la surface métallique étant parallèle entre elles selon une première direction, la ligne RF et la surface métallique comprenant des éléments latéraux (L sb1 , L sb2 , M b11 , M b12 , M b21 , M b22 ) perpendiculaires à ladite première direction, caractérisé en ce que : - un élément latéral (L sb1 , L sb2 ) de la ligne RF coopère avec au moins un élément latéral de la surface métallique (M b11 , M b12 , M b21 , M b22 ) qui comporte une série de nanotubes ou nanofils (Nb 11i , Nb 12i ), via une commutation mettant en contact direct la série de nanotubes ou de nanofils avec l'élément latéral de ladite ligne RF; - ladite structure de nano-commutateur comportant en outre au moins une électrode de commutation à la surface dudit substrat, permettant de contacter ladite série de nanotubes ou nanofils audit élément latéral de ladite ligne RF.
Abstract:
According to one aspect of the invention, a capacitive radiofrequency electromechanical microsystem or capacitive RF MEMS comprising a metal membrane (1) suspended above an RF transmission line (3) and resting on ground planes (6a, 6b), and having a lower face (1b), and an upper face (1a) opposite the lower face and a first layer (7) comprising a refractory metal material (Matl) at least partially covering the upper face of the membrane so as to prevent heating of the membrane, is provided.