公开(公告)号：WO1992009100A1

公开(公告)日：1992-05-29

申请号：PCT/US1991005063

申请日：1991-07-23

Applicant: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ...

Inventor： THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ... ,  HAWK, Roger, M. ,  GADEPALLY, Kamesh, V.

IPC: H01L21/302

CPC classification number: B05B5/032 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658

Abstract: A novel method for the deposition of silicon and the formation of silicon films, more specifically, the process provides an aerosol generating technique, wherein silicon powder of optimum particle size is aerosolized by air supply (14), acquired an electric charge (17) within a corona discharge area which extends from the tip of the electrode (12) to a distance outside of the gun (11), and then electrostatically deposited onto high melting point substrates (18), which may include semiconducting, insulating, and conducting materials such as silicon, sapphire, and molybdenum, respectively. The powder coated substrates (18) are subsequently heat treated at optimum times and temperatures, resulting in the formation of polycrystalline silicon films.

公开(公告)号：EP0510128A1

公开(公告)日：1992-10-28

申请号：EP91915552.0

申请日：1991-07-23

Applicant: THE BOARD OF TRUSTEES OF THE UNIVERSITY OF ARKANSAS

Inventor： HAWK, Roger, M. ,  GADEPALLY, Kamesh, V.

IPC: C30B23 ,  B05B5 ,  H01L21

CPC classification number: B05B5/032 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02425 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02658

Abstract: Nouveau procédé servant à déposer du silicium afin de former des films de cette substance. Ledit procédé utilise plus particulièrement une technique de production d'aérosol, au moyen de laquelle de la poudre de silicium de granulométrie optimale est transformée en aérosol par un apport d'air (14), acquiert une charge électrique (17) à l'intérieur d'une zone de décharge par effet de couronne qui s'étend de l'extrémité de l'électrode (12) jusqu'à une certaine distance en dehors du pistolet (11), et est ensuite déposée par effet électrostatique sur des substrats (18) possédant un point de fusion élevé, et pouvant comprendre des matières semi-conductrices, isolantes et conductrices telles que respectivement du silicium, du saphir et du molybdène. Les substrats (18) revêtus de poudre sont ensuite traités à chaud pendant des durées et à des températures optimales, ce qui permet de former des films de silicium polycristallins.