公开(公告)号：EP0309333A1

公开(公告)日：1989-03-29

申请号：EP88402366.4

申请日：1988-09-20

Applicant: THOMSON-CSF

Inventor： Razeghi, Manijeh ,  Blondeau, Robert ,  Omnes, Franck ,  Defour, Martin ,  Doriath, Gérard

IPC: H01L33/00 ,  H01L31/18 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L33/0066 ,  H01L31/1852 ,  Y02E10/544

Abstract: L'invention concerne un dispositif optoélectronique implanté sur substrat silicium (1) et comprenant notamment sur ce substrat un ensemble de couches d'adaptation (2) sur lequel est réalisé une première couche de confinement (3) à base de phosphure d'indium, une couche active (4) à base de
Ga x In 1-x As y P 1-y
et une deuxième couche active (5) du phosphure d'indium.
Applications : Dispositif optoélectronique du domaine des télécommunications notamment.

Abstract translation: 该器件主要由一组植入硅衬底（1）上的接口层（2）组成。 在层（2）上产生以下层：第一基于磷化铟的限制层（3），基于GaxIn1-xAsyP1-y的有源层（4）和磷化铟的第二有源层（5） 。 ... 应用于光电子器件，特别是在电信领域。 ... ...

公开(公告)号：EP0480780A1

公开(公告)日：1992-04-15

申请号：EP91402304.9

申请日：1991-08-23

Applicant: THOMSON-CSF

Inventor： Razeghi, Manijeh ,  Omnes, Franck

IPC: H01L31/0352 ,  H01L33/00 ,  H01S3/19

CPC classification number: H01S5/34313 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/035236

Abstract: Dispositif optoélectronique à semiconducteur dans lequel les couches de confinement (2, 4) sont en GaInP et la couche active (3) comprend au moins un puis quantique (31) Ga x In 1-x As compris entre deux couches 30 et 40 en GaAs;
APPLICATIONS : Ce dispositif est applicable à la réalisation de lasers et de photodétecteurs.

Abstract translation: 光电子半导体器件，其中所述限制层（2,4）由GaInP制成的与有源层（3）包括至少一个镓中的X 1-x As形成量子阱包含在两个层30和40由GaAs制成（31）之间; 应用：此设备是适用于生产激光器和的光电检测器。