公开(公告)号：JP2014220028A

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：JP2013099379

申请日：2013-05-09

Applicant: 株式会社東芝 ,  Toshiba Corp

Inventor： HASE NAOKI ,  TAKAGISHI MASAYUKI ,  HASHIMOTO SUSUMU ,  MURAKAMI SHUICHI ,  ISOWAKI YOSUKE ,  KADO MASATERU ,  IWASAKI HITOSHI

IPC: G11B5/39 ,  G11B5/31 ,  H01F10/16 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: G01R33/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/0024 ,  Y10T428/1121

Abstract: 【課題】結晶の規則化温度が低い磁性層を有しかつ抵抗変化率の大きな磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録再生装置、および磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、第1磁性膜と、第2磁性膜と、前記第1磁性膜と前記第2磁性膜との間に設けられた非磁性の中間膜と、を有する磁気抵抗効果膜を備え、AをCoと、FeおよびMnから選ばれた少なくとも1種の元素とを含む合金、BをSiおよびGeを含む合金とするとき、前記第1および第2磁性膜の少なくとも一方は、AxB1−x(65at%≦x≦85at%)と表され、前記少なくとも一方の磁性膜は、前記中間膜との界面から離れるにつれてSi濃度が減少するとともにGe濃度が増大するように、膜厚方向に組成が変化する。【選択図】図9

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种磁阻效应元件，其具有具有低晶体正则化温度和大电阻变化率的磁性层，磁头，磁记录再生装置和磁阻效应元件的制造方法。解决方案：磁阻 效应元件具有磁阻效应膜，其包括：第一磁性膜; 第二磁性膜; 以及形成在第一磁性膜和第二磁性膜之间的非磁性中间膜。 将A定义为含有Co和选自Fe和Mn中的至少一种元素并且将B定义为含有Si和Ge的合金的合金，第一和第二磁性膜中的至少一个由AB（65at％≤x≤ 85原子％）。 至少一个磁性膜的组成在膜厚度方向上变化，使得随着与中间膜的界面的距离增加，Si的密度降低，Ge的密度增加。

公开(公告)号：JP2014146405A

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：JP2013016014

申请日：2013-01-30

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： IWASAKI HITOSHI ,  MURAKAMI SHUICHI ,  TAKAGISHI MASAYUKI ,  HASHIMOTO SUSUMU ,  ISOWAKI YOSUKE ,  HASE NAOKI ,  KADO MASATERU

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: G11B5/3912

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a magnetoresistance effect magnetic head and a magnetic recording/reproducing device with high sensitivity and reduced noise.SOLUTION: A magnetic head according to the embodiment comprises: first and second magnetic shields facing one another; and a magnetoresistive film that includes a first magnetic layer provided between the first magnetic shield and the second magnetic shield and including a first metal layer containing 90 at% or more of Fe element and a first Heusler alloy layer, a second magnetic layer arranged so as to face the first Heusler alloy layer, and that includes an intermediate layer provided between the first Heusler alloy layer and the second magnetic layer.

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高灵敏度和降低噪声的磁阻效应磁头和磁记录/再现装置。解决方案：根据实施例的磁头包括：彼此面对的第一和第二磁屏蔽; 以及磁阻膜，其包括设置在所述第一磁屏蔽和所述第二磁屏蔽之间的第一磁性层，并且包括含有90原子％以上的Fe元素和第一Heusler合金层的第一金属层，第二磁性层布置为 面向第一Heusler合金层，并且其包括设置在第一Heusler合金层和第二磁性层之间的中间层。

公开(公告)号：JP2014220027A

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：JP2013099348

申请日：2013-05-09

Applicant: 株式会社東芝 ,  Toshiba Corp

Inventor： HASE NAOKI ,  TAKAGISHI MASAYUKI ,  HASHIMOTO SUSUMU ,  MURAKAMI SHUICHI ,  ISOWAKI YOSUKE ,  KADO MASATERU ,  IWASAKI HITOSHI

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3912 ,  G11B5/398 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/3268 ,  H01F10/3295 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1121

Abstract: 【課題】高いMR比を有するとともに大きな電流密度を供給できる磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、および磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、第1磁性膜と、第2磁性膜と、前記第1磁性膜と前記第2磁性膜との間に設けられた非磁性の中間膜と、を有する磁気抵抗効果膜を備え、Aを少なくともFeとMnとを含む合金、Bを少なくともSi、Al、およびGeを含む合金とするとき、前記第1および第2磁性膜の少なくとも一方は、Co100−x(AyB1.0−y(40at%≦x≦60at%、0.3≦y≦0.7)と表されたホイスラー合金であり、前記少なくとも一方の磁性膜は、前記中間膜との界面に近接し膜厚方向に設けられた第1領域におけるFe/(Fe+Mn)の比率が60%未満であり、前記第1領域に比べて前記界面から遠く膜厚方向に設けられた第2領域におけるFe/(Fe+Mn)の比率が60%以上であるように膜厚方向に組成が変調される。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有高MR比率并能够提供大电流密度的磁阻效应元件，磁头和磁记录再生装置。解决方案：磁阻效应元件包括：磁阻效应膜，其具有 第一磁性膜，第二磁性膜和形成在第一磁性膜和第二磁性膜之间的非磁性中间膜。 将A定义为至少含有Fe和Mn并且限定B至少包含Si，Al和Ge的合金的合金，第一和第二磁性膜中的至少一个是Heusler合金，其由Co（ AB（40at％≤x≤60at％，0.3≤y≤0.7），所述至少一个所述磁性膜的组成在膜厚方向调制，使得第一区域中的Fe /（Fe + Mn） 形成在与中间膜的界面附近且膜厚方向成为60％以下的Fe /（Fe + Mn）与膜界面相比形成的第二区域的Fe /（Fe + Mn）比第一区域 地区为60％以上。

公开(公告)号：JP2002110345A

公开(公告)日：2002-04-12

申请号：JP2000299219

申请日：2000-09-29

Applicant: TOSHIBA CORP

Inventor： KADO MASATERU

IPC: H05B33/10 ,  C23C14/04 ,  C23C14/12 ,  G09F9/30 ,  H01L27/32 ,  H01L51/50 ,  H05B33/12 ,  H05B33/14

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a mask and an organic EL display element that realizes an organic EL display element having a high fineness by a simple process and with a high yield of manufacture. SOLUTION: A stripe shape shadow mask is used in laminating the organic luminous layers 7R, 7G, 7B. By irradiating a laser beam, the organic luminous layers 7R, 7G, 7B are cut for each picture element. A highly fine display quality which has not been realized when using a lattice shape shadow mask that was difficult to make a fine processing in the conventional method is materialized by using a stripe shape shadow mask that is easy in processing.

公开(公告)号：JP2015179773A

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：JP2014057235

申请日：2014-03-19

Applicant: TOSHIBA CORP

Inventor： YUASA HIROMI ,  KADO MASATERU

IPC: H01L29/82 ,  H01F1/11 ,  H01F10/20 ,  H01L37/00 ,  H02N11/00

Abstract: 【課題】本発明の実施形態によれば、外部から磁場を印加せずに発電するスピンゼーベック効果を用いた熱電変換素子を提供することができる。【解決手段】熱電変換素子は、基板と、非磁性金属層と、前記基板と非磁性金属層との間に設けられ、磁化が面内の一方向に固定され、かつ硬磁性体からなる絶縁強磁性層と、を備える。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2014203495A

公开(公告)日：2014-10-27

申请号：JP2013080736

申请日：2013-04-08

Applicant: 株式会社東芝 ,  Toshiba Corp

Inventor： MURAKAMI SHUICHI ,  TAKAGISHI MASAYUKI ,  ISOWAKI YOSUKE ,  HASHIMOTO SUSUMU ,  HASE NAOKI ,  KADO MASATERU ,  IWASAKI HITOSHI

IPC: G11B5/39 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC classification number: G11B5/3912 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3932 ,  G11B5/398 ,  G11B5/4833 ,  Y10T428/1121

Abstract: 【課題】高感度で低ノイズの磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、第1、第2シールドと、積層部と、ハードバイアス部と、を含む磁気抵抗効果素子が提供される。積層部は、第1、第2シールドとの間に設けられた第1磁性層と、第1磁性層と第2シールドとの間に設けられた第2磁性層と、第1、第2磁性層との間に設けられた中間層と、を含む。ハードバイアス部は、第1、第2シールドとの間において積層部と並ぶ。第1磁性層の膜面垂直方向の結晶配向面は、立方晶(110)面である。第1磁性層は、互いに積層されたFe層及びCo層を含む積層体と、積層体と積層されたホイスラー合金層と、を含む。Fe層、Co層の厚さは、0.3nm以上0.6nm以下である。【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有更高灵敏度和更低噪声的磁阻效应元件，磁头，磁头组件和磁记录和再现装置。解决方案：根据实施例，提供了一种磁阻效应元件，包括 ：第一盾 第二个盾牌 层压板 和硬偏压部分。 层压体包括布置在第一和第二屏蔽之间的第一磁性层，布置在第一磁性层和第二屏蔽之间的第二磁性层和布置在第一和第二磁性层之间的中间层。 硬偏置部分沿着第一和第二屏蔽之间的层压体布置。 第一磁性层在垂直于膜表面的方向上的晶体取向平面是立方晶体（110）面。 第一磁性层包括层叠有含有Fe层和Co层的层压体; 和层叠在层压板上的Heusler合金层。 Fe层和Co层的厚度不小于0.3nm且不大于0.6nm。

公开(公告)号：JP2002289863A

公开(公告)日：2002-10-04

申请号：JP2001089609

申请日：2001-03-27

Applicant: TOSHIBA CORP

Inventor： TSUTSUMI JUNSEI ,  KIYOTA TOSHIYA ,  TORIYAMA SHIGETAKA ,  KADO MASATERU

IPC: G02F1/1333 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an array substrate that prevents the step-disconnection of wiring, improves the shape of wiring, prevents a resistance rise resulting from the oxidation of wiring and electrode materials caused in annealing step and also the occurrence of stray current corrosion with an ITO, and to provide a method of manufacturing the substrate and a liquid crystal display element. SOLUTION: The array substrate is provided with thin film transistors provided at every intersections of a plurality of scanning lines 5, with a plurality of signal lines being formed on a transparent substrate 1, pixel electrodes 10 which receive signals fetched by means of the transistors, and wiring 17 and 10 which is formed on insulation layers 9 and connects the electrodes 10 to their corresponding thin-film transistors. The wiring 17 and 10 is constituted in laminated wiring composed of first metal layers 17 formed on the insulation films 9 and second metal layers 10 formed on the layers 17. The second metal layers 10 contains at least one element selected from among silver, gold, and copper and the first metal layers 17 are constituted of a metal material, which is more easily oxidized than that of the second metal layers 10.

公开(公告)号：JP2003186418A

公开(公告)日：2003-07-04

申请号：JP2001383087

申请日：2001-12-17

Applicant: TOSHIBA CORP

Inventor： KADO MASATERU

IPC: G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G09F9/30 ,  G09F9/35

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a flat display equipped with an array substrate having a reflection electrode which has a high reflection factor and excellent contact with an insulating film and whose manufacturing process is easy. SOLUTION: The flat display is equipped with the array substrate comprising a substrate, a plurality of signal lines formed on the substrate, an insulating film which is formed covering the signal lines, a contact hole which is formed in part of the insulating film so that some of the signal lines are exposed, a 1st electrode which is formed in the contact hole and on the insulating film, brought into contact with the signal lines through the contact hole, and made of silver alloy or silver with oxygen of specified density added thereto, and a 2nd electrode which is formed on the 1st electrode and made of silver alloy or silver. COPYRIGHT: (C)2003,JPO

公开(公告)号：JP2002091338A

公开(公告)日：2002-03-27

申请号：JP2000276765

申请日：2000-09-12

Applicant: TOSHIBA CORP

Inventor： KADO MASATERU ,  HIRAYAMA HIDEO ,  TORIYAMA SHIGETAKA

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/136 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L29/786

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve a wiring shape and to prevent an electrical contact with an ITO while preventing the occurrence of row disconnection in wiring and the increase of the number of processes. SOLUTION: The array substrate has a transparent board 1, a plurality of scanning lines 5 formed on the board, a plurality of signal lines formed on the board so as to cross the scanning lines, thin film transistors which are provided for all crossings between the scanning lines and the signal lines and which captures signals from corresponding signal lines on the basis of the voltages of corresponding scanning lines, and pixel electrodes 10 which are provided correspondingly to each thin film transistor and which receive signals captured by the thin film transistors. The signal line is laminated wiring consisting of a first metallic layer 17 formed on an insulation layer 9 and a second metallic layer 10 formed on the first metallic layer. The first and second metallic layers have the same main components and contain at least one element among silver, gold, or copper.

公开(公告)号：JP2003055780A

公开(公告)日：2003-02-26

申请号：JP2001245420

申请日：2001-08-13

Applicant: Toshiba Corp ,  株式会社東芝

Inventor： KADO MASATERU ,  KIYOTA TOSHIYA

IPC: C23F1/30

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To suppress side etching as far as possible.
SOLUTION: In carrying out etching of laminated films consisting of silver or a silver alloy by using an etching solution consisting of mixed acids composed of a phosphoric acid, nitric acid and acetic acid, the etching solution is made to flow and the flow intensity thereof is specified to a range from the fluid intensity at which the etching reaction starts up to the fluid intensity of 67% thereof.
COPYRIGHT: (C)2003,JPO

Abstract translation: 要解决的问题：尽可能地抑制侧蚀刻。 解决方案：通过使用由磷酸，硝酸和乙酸组成的混合酸组成的蚀刻溶液对由银或银合金构成的叠层膜进行蚀刻，使蚀刻溶液流动，其流动强度为 指定为从蚀刻反应开始的流体强度到其67％的流体强度的范围。