公开(公告)号：DE112006000261T5

公开(公告)日：2007-12-13

申请号：DE112006000261

申请日：2006-01-23

Applicant: ULVAC INC

Inventor： KOKAZE YUTAKA ,  UEDA MASAHISA ,  ENDO MITSUHIRO ,  SUU KOUKOU

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

Abstract: An etching technique suitable for miniaturization is provided. An inorganic film is formed on an object to be subjected, the object having a lower electrode film, a dielectric film, and an upper electrode film laminated in that order on a substrate. A patterned organic resist film is disposed on the surface of the inorganic film. The inorganic film, upper electrode film, and the dielectric film are etched using the organic resist film as a mask, and then, the organic resist film is removed with the gas used to etch the lower electrode film; and the lower electrode film is etched using the inorganic film as a mask that has been exposed. Since the film serving as a mask is not re-formed, a fine pattern can be produced with good precision.

公开(公告)号：DE112006000261B4

公开(公告)日：2014-05-08

申请号：DE112006000261

申请日：2006-01-23

Applicant: ULVAC INC

Inventor： KOKAZE YUTAKA ,  UEDA MASAHISA ,  ENDO MITSUHIRO ,  SUU KOUKOU

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8239 ,  H01L29/43 ,  H01L41/47

Abstract: Es wird ein Ätzverfahren, welches zur Miniaturisierung geeignet ist, bereitgestellt. Ein anorganischer Film 15 ist auf einem Objekt 5, welches unterzogen werden soll, gebildet, wobei das Objekt einen unteren Elektrodenfilm 12, einen dielektrischen Film 13 und einen oberen Elektrodenfilm 14 hat, welche in dieser Reihenfolge auf einem Substrat 10 laminiert sind. Ein bemusterter organischer Fotolackfilm 20 ist auf der Fläche des anorganischen Films 15 angeordnet. Der anorganische Film 15, der obere Elektrodenfilm 14 und der dielektrische Film 13 werden unter Verwendung des organischen Fotolackfilms 20 als Maske geätzt, und danach wird der organische Fotolackfilm 20 mit dem Gas beseitigt, welches verwendet wird, um den unteren Elektrodenfilm 12 zu ätzen, und der untere Elektrodenfilm 12 wird unter Verwendung des anorganischen Films 15 als Maske, welche belichtet wurde, geätzt. Da der Film, der als Maske dient, nicht wieder gebildet wird, kann ein feines Muster mit guter Genauigkeit erzeugt werden.