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    1.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE112006000261T5

    公开(公告)日：2007-12-13

    申请号：DE112006000261

    申请日：2006-01-23

    Applicant: ULVAC INC

    Inventor： KOKAZE YUTAKA ,  UEDA MASAHISA ,  ENDO MITSUHIRO ,  SUU KOUKOU

    IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105

    Abstract: An etching technique suitable for miniaturization is provided. An inorganic film is formed on an object to be subjected, the object having a lower electrode film, a dielectric film, and an upper electrode film laminated in that order on a substrate. A patterned organic resist film is disposed on the surface of the inorganic film. The inorganic film, upper electrode film, and the dielectric film are etched using the organic resist film as a mask, and then, the organic resist film is removed with the gas used to etch the lower electrode film; and the lower electrode film is etched using the inorganic film as a mask that has been exposed. Since the film serving as a mask is not re-formed, a fine pattern can be produced with good precision.

    Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Elements
    2.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Elements 未知

    公开(公告)号：DE112010003192T5

    公开(公告)日：2012-07-12

    申请号：DE112010003192

    申请日：2010-07-29

    Applicant: ULVAC INC

    Inventor： UEDA MASAHISA ,  YOSHIDA YOSHIAKI ,  KOKAZE YUTAKA

    IPC: H01L41/22 ,  H01L41/09 ,  H01L41/187 ,  H01L41/332 ,  H02N2/00

    Abstract: Ein Verfahren zur Herstellung eines piezoelektrischen Elements, in dem eine dünne ferroelektrische Schicht durch Plasmaätzen in eine geeignete Form verarbeitet wird, wird bereitgestellt. Eine aus einer dünnen Metallschicht gefertigte Metallmaske, die schwer durch Sauerstoffgas zu ätzen ist, wird auf einem Objekt, das verarbeitet werden soll, platziert, indem eine untere Elektrodenschicht und eine dünne ferroelektrische Schicht in dieser Reihenfolge auf das Substrat laminiert werden. Ein Ätzgas, das ein Mischgas aus dem Sauerstoffgas und dem reaktiven Gas einschließlich Fluor in einer chemischen Struktur enthält, wird in Plasma verwandelt und wird mit der Metallmaske und dem Objekt, das verarbeitet werden soll, in Kontakt gebracht. Eine Wechselspannung wird an eine Elektrode angelegt, die unterhalb des Objekts, das verarbeitet werden soll, angeordnet ist, so dass bewirkt wird, dass Ionen in dem Plasma in das Objekt eintreten, um verarbeitet zu werden, um anisotropes Ätzen auf der dünnen ferroelektrischen Schicht durchzuführen. Dies erlaubt verlängertes Ätzen, und Ätzprodukte haften nicht an der geätzten Seitenfläche; und somit kann das piezoelektrische Element mit einer geeignet geformten dünnen ferroelektrischen Schicht erhalten werden.

    Veraschungsvorrichtung
    3.
    发明专利
    Veraschungsvorrichtung 未知

    公开(公告)号：DE112007003616B4

    公开(公告)日：2013-11-07

    申请号：DE112007003616

    申请日：2007-12-26

    Applicant: ULVAC INC

    Inventor： UEDA MASAHISA ,  KURIMOTO TAKASHI ,  ISHIKAWA MICHIO ,  SUU KOUKOU ,  YOGO TOSHIYA

    IPC: H05H1/46 ,  C23C16/50 ,  H01J37/32 ,  H01L21/311

    Abstract: Eine Veraschungsvorrichtung, die verhindert, dass die Bearbeitungseffizienz abnimmt. Eine Verströmungsplatte (31) ist einem Substrat-Objektträger (20) zugewandt, der ein Substrat (W) haltert, und verteilt Sauerstoffradikale, die einer Kammer (11) zugeführt werden. Eine Metallschutzplatte (34), die zwischen der Verströmungsplatte (31) und dem Substrat-Objektträger (20) angeordnet ist, umfasst Durchgangsöffnungen (41), durch welche Sauerstoffradikale hindurchgehen. Die Metallschutzplatte umfasst darüber hinaus auf einer dem Substrat (W) zugewandten Fläche eine erste Schicht (34b), die aus demselben Metall wie dem Metall gebildet ist, das aus dem Substrat (W) freigesetzt wird.

    Verfahren zur Herstellung eines kapazitiven Elements mittels Ätzverfahren
    4.
    发明专利
    Verfahren zur Herstellung eines kapazitiven Elements mittels Ätzverfahren 未知

    公开(公告)号：DE112006000261B4

    公开(公告)日：2014-05-08

    申请号：DE112006000261

    申请日：2006-01-23

    Applicant: ULVAC INC

    Inventor： KOKAZE YUTAKA ,  UEDA MASAHISA ,  ENDO MITSUHIRO ,  SUU KOUKOU

    IPC: H01L21/822 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/8239 ,  H01L29/43 ,  H01L41/47

    Abstract: Es wird ein Ätzverfahren, welches zur Miniaturisierung geeignet ist, bereitgestellt. Ein anorganischer Film 15 ist auf einem Objekt 5, welches unterzogen werden soll, gebildet, wobei das Objekt einen unteren Elektrodenfilm 12, einen dielektrischen Film 13 und einen oberen Elektrodenfilm 14 hat, welche in dieser Reihenfolge auf einem Substrat 10 laminiert sind. Ein bemusterter organischer Fotolackfilm 20 ist auf der Fläche des anorganischen Films 15 angeordnet. Der anorganische Film 15, der obere Elektrodenfilm 14 und der dielektrische Film 13 werden unter Verwendung des organischen Fotolackfilms 20 als Maske geätzt, und danach wird der organische Fotolackfilm 20 mit dem Gas beseitigt, welches verwendet wird, um den unteren Elektrodenfilm 12 zu ätzen, und der untere Elektrodenfilm 12 wird unter Verwendung des anorganischen Films 15 als Maske, welche belichtet wurde, geätzt. Da der Film, der als Maske dient, nicht wieder gebildet wird, kann ein feines Muster mit guter Genauigkeit erzeugt werden.

    6.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE112008000047T5

    公开(公告)日：2009-09-10

    申请号：DE112008000047

    申请日：2008-10-29

    Applicant: ULVAC INC

    Inventor： UEDA MASAHISA ,  KURIMOTO TAKASHI ,  NAKAMURA KYUZO ,  SUU KOUKOU ,  YOGO TOSHIYA ,  KOMATSU KAZUSHIGE ,  TACHIBANA NOBUSUKE

    IPC: H01L21/3065

    Abstract: An ashing device that prevents the ashing rate from changing over time. The ashing device ashes organic material on a substrate including an exposed metal in a processing chamber. The ashing device includes a path, which is formed in the processing chamber and through which active species supplied to the processing chamber pass. The path is defined by a surface on which the metal scattered from the substrate by the active species is collectible, with the surface being formed so as to expose a metal that is of the same kind.

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