公开(公告)号：EP2667411A1

公开(公告)日：2013-11-27

申请号：EP12180711.9

申请日：2012-08-16

Applicant: Unimicron Technology Corp.

Inventor： Chen, Tsung-Yuan ,  Cheng, Wei-Ming

IPC: H01L27/146 ,  H01L31/0203

CPC classification number: H01L27/14618 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/315 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14689 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/00

Abstract: A sensing device package structure including a middle dielectric layer (120), a sensing device (130), a front dielectric layer (150), a front patterned conductive layer (170) and at least one front conductive via (180A) is provided. The middle dielectric layer (120) has an anterior surface (120c), a posterior surface (120b) and a middle opening (120a). The sensing device (130) is disposed in the middle opening (120a). The sensing device (130) has a front surface (130a), a back surface (130b), a sensing region (130c), a blocking pattern (132), and at least one electrode (134). The front dielectric layer (150) is disposed on the anterior surface (120c) of the middle dielectric layer (120) and the front surface (130a) of the sensing device (130). The front dielectric layer (150) has a front opening (150a) exposed the sensing region (130c) and the blocking pattern (132). The front patterned conductive layer (170) is disposed on the front dielectric layer (150). The front conductive via (180A) penetrates through the front dielectric layer (150) and connects the front patterned conductive layer (170) and the electrode (134).

Abstract translation: 提供了包括中间介电层（120），感测装置（130），前介电层（150），前图案化导电层（170）和至少一个前导电通孔（180A）的感测装置封装结构。 中间电介质层（120）具有前表面（120c），后表面（120b）和中间开口（120a）。 感测装置（130）设置在中间开口（120a）中。 感测装置（130）具有前表面（130a），后表面（130b），感测区域（130c），阻挡图案（132）和至少一个电极（134）。 前介电层（150）设置在中介电层（120）的前表面（120c）和感测装置（130）的前表面（130a）之间。 前介电层（150）具有暴露感测区域（130c）和阻挡图案（132）的前开口（150a）。 前图案化导电层（170）设置在前介电层（150）上。 前导电通孔（180A）穿过前介电层（150）并连接前图案化导电层（170）和电极（134）。