一种黑体腔吸收比的测量方法

    公开(公告)号:CN108106725A

    公开(公告)日:2018-06-01

    申请号:CN201711193590.4

    申请日:2017-11-24

    CPC classification number: G01J1/1626 G01J1/42 G01J2001/4285

    Abstract: 本发明实施例公开一种黑体腔吸收比的测量方法。该方法将黑体腔吸收比的测量装置中的第一积分球安装于二维平台上;在黑体腔入光孔所在的平面内建立二维坐标系,将信号光的光斑中心位置作为坐标点;二维平台带动第一积分球以预设的步距在坐标系内移动;穿过第一积分球的信号光分别扫描黑体腔、标准白板和背景,从而获得相应的信号光电压矩阵和参考光电压矩阵;根据所获得的信号光电压矩阵和参考光电压矩阵,计算黑体腔吸收比矩阵。本发明实施例所提供的方法采用扫描方式,使得激光的单点光源也可以照亮黑体腔的整个底面,有效地提高了测量精度和准确性。

    光传感器和包括该光传感器的显示装置

    公开(公告)号:CN101680803B

    公开(公告)日:2011-06-15

    申请号:CN200880019640.X

    申请日:2008-08-05

    Abstract: 本发明提供光传感器和包括该光传感器的显示装置。本发明的光传感器是至少一部分整体地形成在显示装置的有源矩阵基板中的光传感器。为了将杂散光和光检测元件的特性偏差的影响排除而精度良好地检测周围光,该光传感器包括检测用光电二极管(11)和由遮光膜(15)覆盖的参考用光电二极管(12)。该光传感器还包括:差动放大器(16),该差动放大器(16)的一个输入端子与检测用光电二极管(11)的阴极连接,另一个输入端子与参考用光电二极管(12)的阴极连接;积分电容器(19);和复位开关(22)。该光传感器还包括比较器(21)和低通滤波器(20),以使参考用光电二极管(12)和检测用光电二极管(11)的阳极的电位等于比参考用光电二极管(12)的阴极电位高开路电压(VOC)的电位。

    二极管和包括该二极管的光传感器电路以及显示装置

    公开(公告)号:CN101933165A

    公开(公告)日:2010-12-29

    申请号:CN200980103935.X

    申请日:2009-01-14

    CPC classification number: H01L31/105 G01J1/1626 G01J1/46

    Abstract: 构成本发明的二极管的偶数个光电二极管(1、2)具备各区域(1a~1c和2a~2c),各区域(1a~1c和2a~2c)沿上述特定方向的尺寸与基准二极管(5)相同,沟道宽度相对于基准二极管(5)的沟道宽度W为1/2。另外,沿与基准二极管(5)的沟道长度L平行的特定方向平行地布局各区域(1a~1c和2a~2c),相互的位置关系整体成为线对称或者点对称。进而,光电二极管(1、2)相互电并联连接,由此起到与上述基准二极管(5)同等的作用。由此,提供能够使得特性稳定,并且能够缩小二极管占基板的占有面积的二极管的结构。

    光检测装置
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101393051A

    公开(公告)日:2009-03-25

    申请号:CN200810126962.6

    申请日:2008-06-20

    Inventor: 千叶正

    CPC classification number: G01J1/1626 G01J1/32 G01J1/44 H01L31/02019 H01L31/09

    Abstract: 本发明提供一种能够检测照射在电子设备机框上的照射光的小型的、消耗功率少的光检测装置,包括具有相互不同的受光波长特性、配置为通过中间点串联连接且面对电子设备的机框的开口的方式的2个受光元件,该受光元件的串联电路的两端维持在基准电位,将表示从该中间点提取的电流的信号作为检测信号。

Patent Agency Ranking