公开(公告)号：CN103840035A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201410106302.7

申请日：2014-03-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 尤立星 ,  李浩 ,  杨晓燕 ,  张伟君 ,  王镇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L39/16 ,  G01J1/0433 ,  G01J1/0488 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/442 ,  G01J2005/208 ,  G02B5/28 ,  H01L27/144 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/09 ,  H01L39/02 ,  H01L39/10

Abstract: 本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件，包括步骤：于所述超导纳米线单光子探测器件上集成多层薄膜滤波器；其中，所述多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有带通滤波功能的器件。所述非本征暗计数为由于光纤黑体辐射及外界杂散光触发的暗计数。所述超导纳米线单光子探测器件包括：衬底，其上下表面分别结合上抗反射层和下抗反射层；光学腔体结构；超导纳米线；以及反射镜。本发明操作简单，仅需在超导纳米线单光子探测器件（SNSPD）的衬底上集成多层薄膜滤波器，将非信号辐射过滤掉，该方法可以在保证信号辐射和器件的光耦合效率的同时，有效降低非本征暗计数，从而提高器件在特定暗计数条件下的探测效率。

公开(公告)号：CN106595878A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201611129045.4

申请日：2016-12-09

Applicant: 南京大学

Inventor： 姜寿禄 ,  陈健 ,  李先峰 ,  贾小氢 ,  康琳 ,  金飚兵 ,  许伟伟 ,  吴培亨

IPC: G01J5/20

CPC classification number: G01J5/20 ,  G01J2005/208

Abstract: 本发明公开了一种基于信号偏置和超导氮化铌测辐射热计的检测器，包括低温杜瓦、超导氮化铌测辐射热计芯片、聚焦透镜、偏置器、直流电源、环形器、偏置信号发生器和信号放大器。低温杜瓦设有透明窗。超导氮化铌测辐射热计芯片设置于低温杜瓦内。聚焦透镜用于将进入低温杜瓦内的太赫兹波聚焦于超导氮化铌测辐射热计芯片上。偏置器为T型偏置器，其射频直流端口、直流偏置端口和射频输出端口分别连接超导氮化铌测辐射热计芯片、直流电源和环形器。环形器为三端口环形器。环形器的三个端口分别连接偏置信号发生器、偏置器和信号放大器的输入端口。信号放大器的输出端口连接信号检测接口。

公开(公告)号：CN108793057A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810733468.X

申请日：2018-07-06

Applicant: 江苏心磁超导体有限公司

Inventor： 胡海涛

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L39/12 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/208 ,  H01L39/24

Abstract: 本发明公开了一种碳化硅基石墨烯超导TES器件及其制作方法，涉及太赫兹器件技术领域。所述TES器件采用在碳化硅基衬底上采用热升华的方式，升华硅原子，得到近自由态的石墨烯作为热沉基板，在石墨烯上制作超导薄膜，实现对太赫兹波的探测。所述器件的制作工艺简单，与现有TES器件工艺兼容；采用碳化硅基升华硅原子生长得到的二维高散热率石墨烯材料作为声子耦合材料，热耦合系数更高。因此所述TES器件的有效恢复时间更短，响应速率更高。

公开(公告)号：CN106165136A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201480065927.1

申请日：2014-11-04

Applicant: 华威大学 ,  芬兰VTT技术研究中心

Inventor： 大卫·贡纳松 ,  伊万·帕克 ,  马丁·普雷斯特 ,  米卡·普伦尼拉 ,  特伦斯·霍尔

IPC: H01L39/22 ,  G01J5/20

CPC classification number: G01J5/046 ,  G01J5/024 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/106 ,  G01J2005/208 ,  H01L31/09 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

Abstract: 描述了一种测辐射热仪。测辐射热仪包括超导体‑绝缘体‑半导体‑超导体结构(91；图2)或超导体‑绝缘体‑半导体‑绝缘体‑超导体结构(92)。半导体包括硅层、锗层或硅锗合金层(11)中的电子气(10)，在硅层、锗层或硅锗合金层(11)中，谷简并度至少部分地被提升。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括介电材料层(131、132)。绝缘体或者其中的一个绝缘体或两个绝缘体可包括非简并掺杂半导体层。

公开(公告)号：CN103840035B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201410106302.7

申请日：2014-03-20

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 尤立星 ,  李浩 ,  杨晓燕 ,  张伟君 ,  王镇

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/101

CPC classification number: H01L39/16 ,  G01J1/0433 ,  G01J1/0488 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/442 ,  G01J2005/208 ,  G02B5/28 ,  H01L27/144 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/09 ,  H01L39/02 ,  H01L39/10

Abstract: 本发明提供一种降低超导纳米线单光子探测器件非本征暗计数的方法及器件，包括步骤：于所述超导纳米线单光子探测器件上集成多层薄膜滤波器；其中，所述多层薄膜滤波器为通过多层介质薄膜实现的具有带通滤波功能的器件。所述非本征暗计数为由于光纤黑体辐射及外界杂散光触发的暗计数。所述超导纳米线单光子探测器件包括：衬底，其上下表面分别结合上抗反射层和下抗反射层；光学腔体结构；超导纳米线；以及反射镜。本发明操作简单，仅需在超导纳米线单光子探测器件（SNSPD）的衬底上集成多层薄膜滤波器，将非信号辐射过滤掉，该方法可以在保证信号辐射和器件的光耦合效率的同时，有效降低非本征暗计数，从而提高器件在特定暗计数条件下的探测效率。

公开(公告)号：US09383254B1

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：US14497238

申请日：2014-09-25

Applicant: The United States of America as represented by the Administrator of the National Aeronotics and Space Administration

Inventor： Kongpop U-yen ,  Edward J. Wollack ,  Ari D. Brown ,  Thomas R. Stevenson ,  Amil A. Patel

IPC: G01J5/02 ,  G01J5/08 ,  H01Q1/38 ,  G01J1/42 ,  H01P7/08 ,  H01L39/10

CPC classification number: G01J1/42 ,  G01J5/046 ,  G01J5/0825 ,  G01J5/0853 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/208 ,  H01L39/10 ,  H01P7/082

Abstract: The present invention relates to a symmetric absorber-coupled far-infrared microwave kinetic inductance detector including: a membrane having an absorber disposed thereon in a symmetric cross bar pattern; and a microstrip including a plurality of conductor microstrip lines disposed along all edges of the membrane, and separated from a ground plane by the membrane. The conducting microstrip lines are made from niobium, and the pattern is made from a superconducting material with a transition temperature below niobium, including one of aluminum, titanium nitride, or molybdenum nitride. The pattern is disposed on both a top and a bottom of the membrane, and creates a parallel-plate coupled transmission line on the membrane that acts as a half-wavelength resonator at readout frequencies. The parallel-plate coupled transmission line and the conductor microstrip lines form a stepped impedance resonator. The pattern provides identical power absorption for both horizontal and vertical polarization signals.

Abstract translation: 本发明涉及一种对称吸收体耦合的远红外微波动力学电感检测器，包括：具有以对称十字形图案设置在其上的吸收体的膜; 以及微带，其包括沿着膜的所有边缘布置的多个导体微带线，并且通过膜从接地平面分离。 导电微带线由铌制成，图案由转变温度低于铌的超导材料制成，包括铝，氮化钛或氮化钼中的一种。 该图案设置在膜的顶部和底部上，并且在膜上产生平行板耦合的传输线，其作为读出频率的半波长谐振器。 平行板耦合传输线和导体微带线形成阶梯式阻抗谐振器。 该图案为水平和垂直极化信号提供相同的功率吸收。

公开(公告)号：EP1965184A1

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：EP08151201.4

申请日：2008-02-08

Applicant: Valtion teknillinen tutkimuskeskus

Inventor： Seppä, Heikki ,  Helistö, Panu ,  Luukanen, Arttu

IPC: G01J5/20 ,  G01J5/24

CPC classification number: G01J5/20 ,  G01J5/08 ,  G01J5/0837 ,  G01J5/24 ,  G01J2005/202 ,  G01J2005/208

Abstract: The invention relates to a bolometer element, a bolometer cell, a bolometer camera, and a method for reading a bolometer cell. The bolometer cell comprises several bolometer elements, which comprises several bolometer elements located in a matrix, as well as conductors for detecting electrically from each bolometer element the radiation power acting on the bolometer elements, in which case each bolometer element comprises a first bolometer (601) having a first heating resistance (611) for sensing radiation power acting on the element. According to the invention, each bolometer element additionally comprises a second bolometer (602), having a second heating resistance (612), in which case in each bolometer element the first (601) and second (602) bolometers are electrically connected to each other in such a way that the heating resistance (611) of the first bolometer (601) can be biased with the aid of a voltage through the heating resistance (612) of the second bolometer (602) in order to amplify the radiation power detected with the aid of the connection. With the aid of the invention, it is possible to implement an extremely sensitive bolometer camera.

Abstract translation: 本发明涉及测辐射热计元件，测辐射热计单元，测辐射热量计摄像机和读取测辐射热计单元的方法。 测辐射热计单元包括几个辐射热量计元件，其包括位于矩阵中的几个辐射热量计元件，以及用于从每个测辐射热元件电学检测作用在测辐射热计元件上的辐射功率的导体，在这种情况下，每个测辐射热计元件包括第一测辐射热计（601 ）具有用于感测作用在所述元件上的辐射功率的第一加热电阻（611）。 根据本发明，每个辐射热量计元件还包括具有第二耐热性（612）的第二测辐射热计（602），在这种情况下，在每个测辐射热计元件中，第一（601）和第二（602）测辐射热计彼此电连接 以使第一测辐射热计（601）的加热电阻（611）借助于通过第二测辐射热计（602）的加热电阻（612）的电压来偏置，以放大由 联系的帮助。 借助于本发明，可以实现极其敏感的测辐射热量计相机。

公开(公告)号：EP3066699A1

公开(公告)日：2016-09-14

申请号：EP14793281.8

申请日：2014-11-04

Applicant: THE UNIVERSITY OF WARWICK ,  VTT Technical Research Centre of Finland

Inventor： GUNNARSSON, David ,  PARKER, Evan ,  PREST, Martin ,  PRUNNILA, Mika ,  WHALL, Terence

IPC: H01L39/22 ,  G01J5/20

CPC classification number: G01J5/046 ,  G01J5/024 ,  G01J5/20 ,  G01J2005/106 ,  G01J2005/208 ,  H01L31/09 ,  H01L39/22 ,  H01L39/24

Abstract: A bolometer is described. A bolometer includes a superconductor-insulator-semiconductor-superconductor structure or a superconductor-insulator-semiconductor-insulator-superconductor structure. The semiconductor comprises an electron gas in a layer of silicon, germanium or silicon-germanium alloy in which valley degeneracy is at least partially lifted. The insulator or a one or both of the insulators may comprise a layer of dielectric material. The insulator or a one or both of the insulators may comprise a layer of non-degenerately doped semiconductor.

公开(公告)号：US09954158B2

公开(公告)日：2018-04-24

申请号：US15126125

申请日：2014-05-12

Applicant: SHANGHAI INSTITUTE OF MICROSYSTEM AND INFORMATION TECHNOLOGY, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES

Inventor： Lixing You ,  Hao Li ,  Xiaoyan Yang ,  Weijun Zhang ,  Zhen Wang

IPC: G01J1/44 ,  H01L39/16 ,  H01L39/02 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/09

CPC classification number: H01L39/16 ,  G01J1/0433 ,  G01J1/0488 ,  G01J1/44 ,  G01J2001/442 ,  G01J2005/208 ,  G02B5/28 ,  H01L27/144 ,  H01L31/02165 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/09 ,  H01L39/02 ,  H01L39/10

Abstract: A method and a device for reducing the extrinsic dark count of a superconducting nanowire single photon detector (SNSPD), it comprises the steps of: integrating a multi-layer film filter on the superconducting nanowire single photon detector; the multi-layer film filter is a device implemented by a multi-layer dielectric film and having a band-pass filtering function. The extrinsic dark count is the dark count triggered by optical fiber blackbody radiance and external stray light. The superconducting nanowire single photon detector comprises: a substrate having an upper surface integrated with an upper anti-reflection layer and a lower surface integrated with a lower anti-reflection layer; an optical cavity structure; a superconducting nanowire; and a reflector. The present invention is easy to operate, and only needs to integrate the multi-layer film filter on the substrate of the SNSPD to filter non-signal radiation.

公开(公告)号：US20160260596A1

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：US14640257

申请日：2015-03-06

Applicant: Robert Francis McDermott III ,  Joseph Robert Suttle

Inventor： Robert Francis McDermott III ,  Joseph Robert Suttle

IPC: H01J49/02 ,  H01J49/00 ,  H01J49/40

CPC classification number: H01J49/025 ,  G01J2001/442 ,  G01J2005/208 ,  H01J49/0031 ,  H01J49/0036 ,  H01J49/022 ,  H01J49/40

Abstract: A system and method for characterizing incident ions are provided. The method includes positioning a transmission line detector to receive incident ions, the transmission line detector comprising a superconducting meandering wire defining a detection area for incident ions, and applying a bias current to the transmission line detector. The method also includes detecting a first signal produced in the transmission line detector due to an ion impacting the detection area, and detecting a second signal produced in the transmission line detector due to the ion impacting the detection area. The method further includes analyzing the first signal and the second signal to characterize the ion. In some aspects, the method further includes identifying a delay between the first signal and the second signal to determine, using the identified delay, a location of the ion on the detection area.

Abstract translation: 提供了表征入射离子的系统和方法。 该方法包括定位传输线检测器以接收入射离子，传输线检测器包括限定入射离子的检测区域的超导蜿蜒线，以及向传输线检测器施加偏置电流。 该方法还包括检测由于离子影响检测区域而在传输线检测器中产生的第一信号，以及检测由于离子影响检测区域而在传输线检测器中产生的第二信号。 该方法还包括分析第一信号和第二信号以表征离子。 在一些方面，所述方法还包括识别所述第一信号和所述第二信号之间的延迟，以使用所识别的延迟来确定所述检测区域上的所述离子的位置。