公开(公告)号：CN116031117B

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202211237942.2

申请日：2022-10-10

Applicant: 纽富来科技股份有限公司

Inventor： 小林良荣

IPC: H01J3/02 ,  H01J9/04

Abstract: 本发明提供一种能够使可得到期望的亮度分布的阴极的寿命延长的电子枪的阴极机构以及电子枪的阴极机构的制造方法。本发明的一个方式的电子枪的阴极机构具备：晶体，具有上部和下部，所述上部为柱状、圆锥台状或它们的组合，且具有通过加热而发射出热电子的第一面，所述下部与上部一体地构成，且具有与第一面大致平行且径尺寸比上部的最大径尺寸大的第二面；保持部，形成为从上表面侧具有第一径尺寸和比第一径尺寸大的第二径尺寸的不同的多个内径的筒状，在晶体的第一面比上表面突出且在筒内与晶体的第二面抵接的状态下保持晶体；以及抑制部，在晶体的下部的背面侧以避免晶体从保持部脱落的方式抑制晶体。

公开(公告)号：CN119890788A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202311385571.7

申请日：2023-10-24

Applicant: 生物岛实验室 ,  广州慧炬科技有限公司

Inventor： 卢志钢 ,  朱文基 ,  朱鑫 ,  龙仲渐 ,  刘纪凯 ,  曹峰

IPC: H01R13/52 ,  H01J37/073 ,  H01J37/065 ,  H01J3/02

Abstract: 本发明公开了一种电子枪高压插头的密封结构及电子枪，电子枪高压插头的密封结构包括基座、壳体、高压插头、气阀；基座上设置有端子；壳体为中空构造，其包括连接于基座上表面的第一端以及第二端，第一端设置有通孔，第二端设置有插接孔；高压插头插接于插接孔中并穿过通孔，其穿过通孔的端部配置有与端子接触并电性导通的公头；壳体的第一端与基座密闭配合，高压插头的外周面与插接孔的内壁面密闭配合；气阀安装于壳体外部并与壳体的内腔导通，该气阀用于在壳体内腔处于真空状态时、或壳体内腔充满绝缘气体后封闭壳体的内腔。本发明密封效果佳、绝缘性能好、易于安装，同时兼具运输方便易于操作的优点。

公开(公告)号：CN118737776B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410929705.5

申请日：2024-07-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何力 ,  李赛磊 ,  朱元昊 ,  任慧雪 ,  沈桂英 ,  伍邵腾

IPC: H01J9/02 ,  H01J3/02 ,  H01J1/304 ,  C30B29/06 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  C30B33/04 ,  C25D11/02

Abstract: 本发明提供一种多孔硅基阴极电子源及其制备方法和制备设备，涉及阴极电子发射源技术领域。多孔硅基阴极电子源的制备方法包括：通过阳极氧化法制备多孔硅层；在第一电解液中，对多孔硅层进行阴极还原处理，以使第一电解液中的特定离子钝化多孔硅层，利于多孔硅层氧化；对钝化后的多孔硅层进行电化学氧化，以使钝化后的多孔硅层均匀、充分氧化；对电化学氧化处理后的多孔硅层进行热退火。该制备方法在电化学氧化处理前先采用阴极还原对多孔硅层进行钝化，有助于电化学氧化对多孔硅层进行更完全、更充分的氧化，降低多孔硅层中的电子在隧穿加速过程中因缺陷态引起的随机散射作用，从而大幅改善器件电流及发射电流的重复性及稳定性。

公开(公告)号：CN118588513B

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410928962.7

申请日：2024-07-11

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 何力 ,  李赛磊 ,  朱元昊 ,  任慧雪 ,  沈桂英 ,  伍绍腾

IPC: H01J9/02 ,  H01J1/30 ,  H01J3/02

Abstract: 本发明提供了一种多孔硅基电子发射源及其制备方法、设备，涉及阴极电子发射源技术领域。多孔硅基电子发射源的制备方法包括：获取多孔硅层；采用恒压模式的电化学氧化法处理多孔硅层，以将多孔硅层充分且均匀氧化；对电化学氧化处理后的多孔硅层进行热退火。该制备方法采用恒压模式的电化学氧化方法对多孔硅层进行氧化处理，能够充分均匀钝化多孔硅层，从而有效提高多孔硅基电子发射源的电子发射效率。相比传统快速热氧化、高温水蒸气退火、高温热碳化等工艺，电化学氧化方法具备常温、大面积、低成本等优势，有望大规模用于制备真空微电子器件的片上高效电子源，满足未来真空微电子器件的高度集成与多功能化发展需求。

公开(公告)号：CN115295376B

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202210999141.3

申请日：2022-08-19

Applicant: 中国科学院空间应用工程与技术中心

Inventor： 李亮 ,  刘亦飞 ,  王功 ,  刘兵山

IPC: H01J3/02 ,  H01J3/18

Abstract: 本发明提供一种面向空间制造用的电子束枪小型化引出结构，包括：ECR等离子体源、电子束引出模块和电子光学模块；按自上向下方向，依次同轴设置ECR等离子体源、电子束引出模块和电子光学模块；ECR等离子体源，用于产生等离子体；电子束引出模块，用于从等离子体中引出电子，形成电子束，并对电子束实现加速和聚束；电子光学模块，用于调节控制电子束引出模块输出的电子束的束斑大小和位置。本发明提供一种面向空间制造用的电子束枪小型化引出结构，通过电极的调控稳定的引出电子以及配合电子光学模块，最终聚束成满足加工要求的束斑，本发明可以获得稳定的电子束流和高精度的电子束斑，最终满足在轨制造的需求。

公开(公告)号：CN111403251B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202010286352.3

申请日：2020-04-13

Applicant: 中国兵器科学研究院宁波分院

Inventor： 李晓静 ,  王大森 ,  张旭 ,  郭海林 ,  夏超翔 ,  张宁 ,  赵仕燕

IPC: H01J3/12 ,  H01J3/36

Abstract: 本发明涉及一种射频离子源离子束束径约束器，其特征在于：所述束径约束器包括具有可供离子束穿过的中空结构的底座、多个叶片及驱动机构；所述多个叶片设于底座一端并环绕中空结构呈圆周排布，多个叶片的尾端伸入中空结构所在区域以围合形成可供离子束穿过的光阑，所述驱动机构可驱动叶片的尾端相对叶片排布形成的圆周中心运动以调节光阑大小。本发明还涉及一种包括束径约束器的控制装置及对应的方法，采用该装置及方法进行离子束束径控制，操作方便，调节精度好，效率高，而且成本节约。

公开(公告)号：CN118231202A

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410352513.2

申请日：2024-03-26

Applicant: 中山大学

Inventor： 邓少芝 ,  韩东 ,  沈岩 ,  许宁生 ,  陈焕君

IPC: H01J1/304 ,  H01J3/02 ,  H01J3/14

Abstract: 本发明公开了一种皮秒超快超短脉冲电子枪，包括光激励部件、脉冲电子束发射部件、真空外壳和电极线；光激励部件包括超快激光器、反射镜；脉冲电子束发射部件包括阴极结构、栅极结构和阳极结构；阴极结构、栅极结构、阳极结构、反射镜形成一个整体置于真空外壳中；栅极结构、阳极结构依次与阴极结构相向设置，并相互隔开，形成真空间隙结构；阴极结构设有冷阴极；栅极结构、阳极结构的中心分别设有第一通孔、第二通孔；反射镜设置在真空外壳中，且与阳极结构相向设置，并位于阳极结构远离栅极结构的一侧；反射镜的中心开设有第三通孔，且第一通孔、第二通孔、第三通孔和阴极结构中心处于同一水平线上。本发明具有功耗低、效率高、尺寸小、响应速度快、可集成的特点。

公开(公告)号：CN117133614A

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310921255.0

申请日：2023-07-26

Applicant: 合肥工业大学

Inventor： 曹青 ,  阳芳 ,  邹鹏飞 ,  吴俊 ,  王旭迪 ,  毕海林 ,  张俊 ,  李鹏程 ,  仇建东

IPC: H01J3/02 ,  H01J41/18

Abstract: 本发明涉及一种基于热释电原理的微型离子泵，属于离子泵技术领域。该微型离子泵包括真空室，所述真空室一侧设有射频离子阱模块且另一侧设有热释电电子源；所述热释电电子源包括设于真空室底部的第一热释电晶体和用于调节第一热释电晶体温度的温控模块；所述射频离子阱模块包括密封地固设于真空室顶部的电馈通和对向设置在真空室内部的第一极板和第二极板。本发明的第一极板与第二极板形成离子阱，第一热释电晶体在温度变化的同时放电，通过极板吸收电离产生的离子，离子泵结构简单，体积小巧，能够应用于小型原子系统中，能够去除真空室中的气体且不需要外接高压电源。

公开(公告)号：CN116631825A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202310585496.2

申请日：2023-05-23

Applicant: 南京理工大学

Inventor： 张益军 ,  王东智 ,  李诗曼 ,  唐嵩 ,  王自衡 ,  童泽昊 ,  蒋煜 ,  富容国 ,  钱芸生

IPC: H01J1/34 ,  H01J3/02

Abstract: 本发明提出了一种532nm激光驱动的响应增强型光阴极电子源，该光阴极包括自下而上的GaAs衬底层、分布式布拉格反射镜结构层、AlyGa1‑yAs缓冲层、AlzGa1‑zAs发射层以及通过超高真空激活工艺在发射层表面形成的Cs/O或Cs/NF3激活层，其中分布式布拉格反射镜结构层由10～30对AlAs/AlxGa1‑xAs交叠层组成。本发明通过引入分布式布拉格反射镜结构，实现了减薄发射层厚度以提高时间响应速率的目的；同时调整分布式布拉格反射镜AlAs/AlxGa1‑xAs交叠层的层数、层厚以及Al组分值x，实现了光阴极在532nm波长处光吸收的增强和量子效率的提升。

公开(公告)号：CN114927395B

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：CN202210449439.7

申请日：2022-04-24

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 李嘉璐 ,  王晓晖 ,  张依辰 ,  全卓艺

IPC: H01J9/12 ,  H01J1/34 ,  H01J3/02

Abstract: 本发明提供一种实时控制NEAGaN电子源反射率的方法。具体方法为：建立反射率随温度变化的公式以及NEAGaN电子源反射率实时可变的模型；确定目标反射率R和工作时的入射光波长λ和初始偏离值s；获取工作温度T0以及当前NEAGaN电子源的反射率R0；将目标参数输入到温度校准模型，计算输出目标温度T1；获取温度为T1时NEAGaN电子源的反射率R1并计算偏离度s1，若s1小于偏离值s，输出温度T＝T1，若s1大于偏离值s，则根据T1、R1进行下一次修正，再次计算得到温度T2与偏离度，并与设定值进行比较。根据如上步骤校准温度，直至sn小于偏离值s，最终输出目标R对应的最优温度T。本发明通过温度控制NEAGaN电子源反射率，具有自校准的功能，且控制灵活，启动快，可靠性高，可以精确实现实时自动控制NEAGaN电子源反射率的需求，进而提高稳定性。