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发明公开
半导体晶片处理装置审中-实审

公开(公告)号：CN115440565A

公开(公告)日：2022-12-06

申请号：CN202210618614.0

申请日：2022-06-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金旼俊 , 申泰善 , 李奉柱 , 刘泰钟 , 李振硕 , 赵诚一

IPC: H01J37/32 , H01L21/67

Abstract: 提供了半导体晶片处理装置。所述半导体晶片处理装置包括：腔室；以及喷头，被配置为将气体供应到腔室中，其中，喷头包括板，板包括多个第一喷射孔组和第二喷射孔组，所述多个第一喷射孔组在从板的中心开始的第一排中，第二喷射孔组在第一排外部的第二排中，其中，每个第一喷射孔组包括多个第一喷射孔，并且当L是从板的中心到每个第一喷射孔组的每个喷射孔的距离的平均值时，距板的中心的距离小于L的第一喷射孔的数量大于距板的中心的距离大于L的第一喷射孔的数量。

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