公开(公告)号：CN115314651A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210198678.X

申请日：2022-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文焕 ,  吴暎宣 ,  申宗润 ,  全洪贤 ,  崔河拿

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/357 ,  H04N5/345 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器和操作图像传感器的方法。所述图像传感器包括：第一导电类型的半导体基底；光电转换区域，设置在半导体基底中并且被掺杂为具有第二导电类型；第一浮置扩散区域，设置为接收累积在光电转换区域中的光电荷；传输栅电极，布置在第一浮置扩散区域与光电转换区域之间并连接到第一浮置扩散区域和光电转换区域；双转换增益晶体管，布置在第一浮置扩散区域与第二浮置扩散区域之间并连接到第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域；和复位晶体管，布置在第二浮置扩散区域与像素电源电压区域之间并连接到第二浮置扩散区域和像素电源电压区域，其中，复位晶体管的沟道区域具有在从第二浮置扩散区域朝向像素电源电压区域的方向上增大的电位梯度。