公开(公告)号：CN112786632B

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202011128619.2

申请日：2020-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文焕 ,  孔珠荣 ,  吴暎宣 ,  崔儒贞 ,  崔河拿

IPC: H01L27/146

Abstract: 图像传感器可以包括：多个第一像素，沿第一轴和第二轴布置在基板上，多个第一像素连接到第一输出线；多个第二像素，沿第一轴和第二轴布置在基板上，多个第二像素沿第一轴与多个第一像素镜像对称，并且多个第二像素连接到第一输出线；多个第一滤色器；以及多个第二滤色器。

公开(公告)号：CN115314651A

公开(公告)日：2022-11-08

申请号：CN202210198678.X

申请日：2022-03-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文焕 ,  吴暎宣 ,  申宗润 ,  全洪贤 ,  崔河拿

IPC: H04N5/374 ,  H04N5/357 ,  H04N5/345 ,  H01L27/146

Abstract: 提供了图像传感器和操作图像传感器的方法。所述图像传感器包括：第一导电类型的半导体基底；光电转换区域，设置在半导体基底中并且被掺杂为具有第二导电类型；第一浮置扩散区域，设置为接收累积在光电转换区域中的光电荷；传输栅电极，布置在第一浮置扩散区域与光电转换区域之间并连接到第一浮置扩散区域和光电转换区域；双转换增益晶体管，布置在第一浮置扩散区域与第二浮置扩散区域之间并连接到第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域；和复位晶体管，布置在第二浮置扩散区域与像素电源电压区域之间并连接到第二浮置扩散区域和像素电源电压区域，其中，复位晶体管的沟道区域具有在从第二浮置扩散区域朝向像素电源电压区域的方向上增大的电位梯度。

公开(公告)号：CN112786632A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202011128619.2

申请日：2020-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文焕 ,  孔珠荣 ,  吴暎宣 ,  崔儒贞 ,  崔河拿

IPC: H01L27/146

Abstract: 图像传感器可以包括：多个第一像素，沿第一轴和第二轴布置在基板上，多个第一像素连接到第一输出线；多个第二像素，沿第一轴和第二轴布置在基板上，多个第二像素沿第一轴与多个第一像素镜像对称，并且多个第二像素连接到第一输出线；多个第一滤色器；以及多个第二滤色器。

公开(公告)号：CN112786630A

公开(公告)日：2021-05-11

申请号：CN202010989125.7

申请日：2020-09-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金文焕 ,  吴暎宣

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括共享第一浮置扩散区域并且与单个滤色器相关联的第一像素组的单元像素，以及共享第二浮置扩散区域并且与单个滤色器相关联的第二像素组的单元像素。控制逻辑可以通过在第一时间从第一浮置扩散区域获得具有第一值的电容，并且在第一时间之后的第二时间从第二浮置扩散区域获得具有与第一值不同的第二值的电容来生成图像。第一像素组和第二像素组具有不同的灵敏度水平。

公开(公告)号：CN115249721A

公开(公告)日：2022-10-28

申请号：CN202210375248.0

申请日：2022-04-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔儒贞 ,  石峻昊 ,  金文焕 ,  崔元喆

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种包括第一像素组和第二像素组的图像传感器，第一像素组和第二像素组中的每一个像素组包括被布置为形成3×3阵列的第一像素至第九像素。图像传感器还包括：第一传输晶体管至第九传输晶体管，设置在每一个像素组中以分别对应于第一像素至第九像素，第一传输晶体管至第九传输晶体管中的每一个传输晶体管包括传输栅极和浮动扩散区；选择晶体管，设置在每一个像素组中的第四像素至第六像素中的至少一个像素中；以及源极跟随器晶体管，分别设置在每一个像素组中的第一像素至第三像素以及第七像素至第九像素中的至少两个像素中。源极跟随器晶体管的源极跟随器栅极可以与第一传输晶体管至第九传输晶体管中的每一个传输晶体管的浮动扩散区连接。