-
公开(公告)号：CN106856201B
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN201611127788.8
申请日：2016-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 提供了一种图像传感器、制造该图像传感器的方法和包括该图像传感器的系统。该图像传感器包括：基板，包括像素区域、第一侧以及与第一侧相反的第二侧，其中像素区域包括多个像素并且光入射到第二侧；光电二极管，布置在基板的像素的每个中；像素分隔结构，布置在基板中以使像素彼此分离并且在其中包括导电层；以及电压施加线层，与导电层间隔开并且布置为围绕像素区域的外部分的至少一部分。导电层具有是单一整体结构的网格结构，电压施加线层通过至少一个接触电连接到导电层。
-
公开(公告)号：CN110035242B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201811548357.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/70 , H04N25/76 , H04N25/78 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器中的像素阵列和图像传感器。像素阵列包括第一像素组。第一像素组包括单位像素，单位像素包括光电转换单元和被光电转换单元共享的第一信号产生单元。第一信号产生单元包括：转移晶体管，分别连接到光电转换单元；第一浮动扩散节点，连接到转移晶体管；多个驱动晶体管，连接到第一浮动扩散节点，并彼此并联连接；以及多个选择晶体管，在第一输出端子与多个驱动晶体管之间并联连接。第一输出端子输出分别与通过光电转换单元收集的光电荷对应的像素信号。多个选择晶体管的数量等于多个驱动晶体管的数量。
-
公开(公告)号：CN115513233A
公开(公告)日：2022-12-23
申请号：CN202210620801.2
申请日：2022-06-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括位于半导体衬底中的像素隔离结构。所述像素隔离结构限定多个像素区域，光电转换区域位于所述半导体衬底中并且位于每个所述像素区域上，浮置扩散区域位于所述半导体衬底中并且与所述光电转换区域间隔开。转移栅电极在每个所述像素区域上设置在所述光电转换区域和所述浮置扩散区域之间。电介质层设置在所述半导体衬底上并且覆盖所述转移栅电极。彼此间隔开的多个有源图案设置在所述电介质层的顶表面上。多个像素晶体管设置在相应的有源图案上。在俯视图中，至少一个所述有源图案与所述像素隔离结构的一部分交叠。
-
公开(公告)号：CN106856201A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201611127788.8
申请日：2016-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
CPC classification number: H01L27/14645 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14627 , H01L27/1463 , H01L27/14636 , H01L27/14685 , H01L27/14683 , H04N5/374
Abstract: 提供了一种图像传感器、制造该图像传感器的方法和包括该图像传感器的系统。该图像传感器包括：基板，包括像素区域、第一侧以及与第一侧相反的第二侧，其中像素区域包括多个像素并且光入射到第二侧；光电二极管，布置在基板的像素的每个中；像素分隔结构，布置在基板中以使像素彼此分离并且在其中包括导电层；以及电压施加线层，与导电层间隔开并且布置为围绕像素区域的外部分的至少一部分。导电层具有是单一整体结构的网格结构，电压施加线层通过至少一个接触电连接到导电层。
-
公开(公告)号：CN115207004A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210009703.5
申请日：2022-01-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：基板，包括第一表面和面向所述第一表面的第二表面；第一光电二极管，位于所述基板的第一区域中并且从入射在所述第一区域上的光生成光电荷；第二光电二极管，位于所述基板的第二区域中并且从入射在所述第二区域上的光生成光电荷；以及隔离结构，限定所述第一光电二极管所在的所述第一区域和所述第二光电二极管所在的所述第二区域，并且在所述第一光电二极管与所述第二光电二极管之间延伸。所述第二区域的面积小于所述第一区域的面积，所述隔离结构的第一端与所述第二表面共面，并且所述隔离结构在垂直方向上从所述基板的所述第二表面朝向所述基板的所述第一表面延伸。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110035242A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201811548357.8
申请日：2018-12-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/369 , H04N5/374 , H04N5/378 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器中的像素阵列和图像传感器。像素阵列包括第一像素组。第一像素组包括单位像素，单位像素包括光电转换单元和被光电转换单元共享的第一信号产生单元。第一信号产生单元包括：转移晶体管，分别连接到光电转换单元；第一浮动扩散节点，连接到转移晶体管；多个驱动晶体管，连接到第一浮动扩散节点，并彼此并联连接；以及多个选择晶体管，在第一输出端子与多个驱动晶体管之间并联连接。第一输出端子输出分别与通过光电转换单元收集的光电荷对应的像素信号。多个选择晶体管的数量等于多个驱动晶体管的数量。
-
公开(公告)号：CN117913109A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311244067.5
申请日：2023-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , G01S7/4865 , G01S7/4915 , G01S17/08 , G01S7/4863 , G01S7/4914 , H04N25/705 , H04N25/76 , H04N25/77 , H04N25/78
Abstract: 一种深度传感器包括：衬底，包括在第一方向上彼此相对的第一面和第二面；光电转换元件，设置在衬底中；以及第一抽头和第二抽头，连接到光电转换元件。第一抽头和第二抽头中的每一个包括：浮动扩散区，设置在衬底中；传输晶体管，连接到浮动扩散区；光电晶体管，连接到光电转换元件；抽头传输晶体管，连接到光电晶体管；以及存储晶体管，连接到抽头传输晶体管和传输晶体管。存储晶体管包括存储栅电极。存储栅电极包括从衬底的第一面朝向第二面延伸的第一延伸部和第二延伸部，并且第一延伸部和第二延伸部在第二方向上彼此间隔开。
-
公开(公告)号：CN115314651A
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202210198678.X
申请日：2022-03-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/357 , H04N5/345 , H01L27/146
Abstract: 提供了图像传感器和操作图像传感器的方法。所述图像传感器包括：第一导电类型的半导体基底；光电转换区域，设置在半导体基底中并且被掺杂为具有第二导电类型；第一浮置扩散区域，设置为接收累积在光电转换区域中的光电荷；传输栅电极，布置在第一浮置扩散区域与光电转换区域之间并连接到第一浮置扩散区域和光电转换区域；双转换增益晶体管，布置在第一浮置扩散区域与第二浮置扩散区域之间并连接到第一浮置扩散区域和第二浮置扩散区域；和复位晶体管，布置在第二浮置扩散区域与像素电源电压区域之间并连接到第二浮置扩散区域和像素电源电压区域，其中，复位晶体管的沟道区域具有在从第二浮置扩散区域朝向像素电源电压区域的方向上增大的电位梯度。
-
公开(公告)号：CN114979519A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210160125.5
申请日：2022-02-22
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种包括像素的图像传感器，该像素包括：第一光电二极管；第二光电二极管，具有比第一光电二极管更大的光接收区域；第一浮动扩散节点，累积第一光电二极管的电荷；第二浮动扩散节点，累积第二光电二极管的电荷；电容器，累积从第一光电二极管溢出的电荷；第一开关晶体管，具有连接到第一浮动扩散节点的第一端和连接到电容器的第二端；以及驱动晶体管，被配置为将累积的电荷转换成像素信号，第一开关晶体管在第一光电二极管的读出部分的低转换增益(LCG)模式下导通，并且在第一光电二极管的读出部分的高转换增益(HCG)模式下关断，并且读出电路基于来自第一部分和第二部分的像素信号生成图像数据。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
16
records
(took 0.032 seconds)
