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公开(公告)号:CN114628380A
公开(公告)日:2022-06-14
申请号:CN202111496762.1
申请日:2021-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528
Abstract: 一种集成电路,包括:排列在第一行中的在第一方向上延伸并执行第一功能的第一单元,排列在第一行中并执行第二功能的第二单元,排列在第二行中的在第一方向上延伸并执行第一功能的第三单元,排列在第二行中并执行第二功能的第四单元,将第一单元中的第一通孔连接到第二单元中的第二通孔的第一连接线路,以及将第三单元中的第三通孔连接到第四单元中的第四通孔的第二连接线路,其中第一连接线路的长度不同于第二连接线路的长度。
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公开(公告)号:CN106055725B
公开(公告)日:2021-08-27
申请号:CN201610203484.9
申请日:2016-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F30/392
Abstract: 公开了一种制造半导体装置的方法,所述制造半导体装置的方法包括:提供用于形成相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元以及相邻的虚设单元和第三逻辑单元的前导电线和后导电线。来自第一逻辑单元的导电线之中的与第二逻辑单元相邻的第一导电线与来自第二逻辑单元的导电线之中的与第一逻辑单元相邻的第二导电线分隔开第一参考距离。来自虚设单元的导电线之中的与第三逻辑单元相邻的虚设线与来自第三逻辑单元的导电线之中的与虚设单元相邻的第三导电线分隔开第二参考距离。第二参考距离大于第一参考距离。
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公开(公告)号:CN114256228A
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN202111120502.4
申请日:2021-09-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L23/528
Abstract: 提供了一种包括标准单元的半导体装置。标准单元包括:有源区;与有源区交叉的栅极结构;包括第一电源线和第二电源线的第一导电结构;和设置在第一导电结构上的第二导电结构,第二导电结构包括沿着第一边界彼此间隔开并且电连接至第一电源线的第一电力分布图案、沿着第二边界彼此间隔开并且电连接至第二电源线的第二电力分布图案、设置在第一电力分布图案与第二电力分布图案之间并且与它们间隔开并且电连接至信号线的第一部分的网状金属线、以及电连接至信号线的第二部分的引脚金属线。
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公开(公告)号:CN113571509A
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN202110441277.8
申请日:2021-04-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02
Abstract: 一种半导体装置,其包括在衬底上的第一标准单元和第二标准单元,第一标准单元和第二标准单元具有各自的半导体元件和电连接到半导体元件的第一互连线。提供布线结构,布线结构设置在第一标准单元和第二标准单元上。布线结构包括电连接到第一互连线的第二互连线。第一互连线包括被构造为向半导体元件供电的第一电力传输线和电耦接到半导体元件的第一信号传输线。第二互连线包括:(i)第二电力传输线,其电连接到第一电力传输线并且延伸第一长度,(ii)第二信号传输线,其电连接到第一信号传输线,以及(iii)钉线,其电连接到第一电力传输线,在第一标准单元和第二标准单元之间的边界上延伸,并且延伸小于第一长度的第二长度。
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公开(公告)号:CN106055725A
公开(公告)日:2016-10-26
申请号:CN201610203484.9
申请日:2016-04-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5072
Abstract: 公开了一种制造半导体装置的方法,所述制造半导体装置的方法包括:提供用于形成相邻的第一逻辑单元和第二逻辑单元以及相邻的虚设单元和第三逻辑单元的前导电线和后导电线。来自第一逻辑单元的导电线之中的与第二逻辑单元相邻的第一导电线与来自第二逻辑单元的导电线之中的与第一逻辑单元相邻的第二导电线分隔开第一参考距离。来自虚设单元的导电线之中的与第三逻辑单元相邻的虚设线与来自第三逻辑单元的导电线之中的与虚设单元相邻的第三导电线分隔开第二参考距离。第二参考距离大于第一参考距离。
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