公开(公告)号：CN103198863B

公开(公告)日：2018-08-03

申请号：CN201310003599.X

申请日：2013-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全昌愍 ,  朴元虎 ,  金丙浩

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/0433

Abstract: 公开了种二晶体管快闪存储器和二晶体管快闪存储器的编程方法。二晶体管快闪存储器包括存储单元阵列、行驱动器、读/写电路、产生高压的充电泵和被配置为将高压传递给行驱动器、读/写电路和存储单元阵列的控制逻辑。如果编程,则行驱动器和读/写电路施加电压以使得在与选择的存储单元不同行上的未选择的存储单元中的单元晶体管的控制栅极浮置。

公开(公告)号：CN103198863A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201310003599.X

申请日：2013-01-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全昌愍 ,  朴元虎 ,  金丙浩

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/10

CPC classification number: G11C16/0433

Abstract: 本发明公开了一种二晶体管快闪存储器和二晶体管快闪存储器的编程方法。二晶体管快闪存储器包括存储单元阵列、行驱动器、读/写电路、产生高压的充电泵和被配置为将高压传递给行驱动器、读/写电路和存储单元阵列的控制逻辑。如果编程，则行驱动器和读/写电路施加电压以使得在与选择的存储单元不同行上的未选择的存储单元中的单元晶体管的控制栅极浮置。