公开(公告)号：CN117176115A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310397798.7

申请日：2023-04-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佳林 ,  徐在禹

IPC: H03K3/356 ,  H03K5/13

Abstract: 公开半导体装置和包括该半导体装置的半导体系统。所述半导体装置包括至少一个触发器。触发器包括：第一锁存器，包括响应于传输信号而接收输入数据并且输出中间数据的第一数据路径、以及反馈中间数据的第一反馈路径；以及第二锁存器，包括响应于传输信号而接收中间数据并且输出输出数据的第二数据路径、以及反馈输出数据的第二反馈路径，并且第一反馈路径和第二反馈路径中的至少一个在启用第一数据路径或第二数据路径之前被禁用。

公开(公告)号：CN113921064A

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN202110742334.6

申请日：2021-07-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金佳林 ,  金炯坤 ,  李知尚 ,  张俊锡 ,  郑原宅

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/34

Abstract: 一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，其包括多个存储器单元；电压生成器，被配置为生成用于存储器单元的编程操作和验证操作的电压；以及控制逻辑，被配置为在向存储器单元阵列写入数据的同时执行多个编程循环，使得执行包括编程操作和验证操作的第一至第N(例如，N≥1)编程循环，并且当第N编程循环中的编程操作的通过/失败确定指示通过时，执行其中跳过验证操作的至少两个编程循环。

公开(公告)号：CN116646355A

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN202211546997.1

申请日：2022-12-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑学澈 ,  金佳林 ,  金仁谦 ,  韩智允

IPC: H01L27/092

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一器件区域和第二器件区域；第一有源图案，位于第一器件区域上；第二有源图案，位于第二器件区域上，具有比第一有源图案的宽度小的宽度；第一沟道图案，位于第一有源图案上；第一源极/漏极图案，连接到第一沟道图案；第二沟道图案，位于第二有源图案上；第二源极/漏极图案，连接到第二沟道图案；以及栅电极，在第一方向上从第一沟道图案延伸到第二沟道图案。第一沟道图案包括竖直堆叠且彼此间隔开的多个半导体图案。第二沟道图案从第二有源图案竖直地突出。