公开(公告)号：CN109727625B

公开(公告)日：2024-03-12

申请号：CN201811257984.6

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金澈 ,  权奇元 ,  闵智绥 ,  成洛珠 ,  安成基

IPC: G11C15/04

Abstract: 一种存储设备，包括存储电路、第一驱动电路和第二驱动电路。该存储电路存储第一数据并比较第一数据和第二数据。根据通过该存储电路的第一数据和第二数据的比较结果，第一驱动电路选择性地将匹配线驱动到第一逻辑状态。第二驱动电路将匹配线驱动到第二逻辑状态，而不管比较结果如何。

公开(公告)号：CN109727625A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201811257984.6

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社 ,  成均馆大学校产学协力团

Inventor： 金澈 ,  权奇元 ,  闵智绥 ,  成洛珠 ,  安成基

IPC: G11C15/04

Abstract: 一种存储设备，包括存储电路、第一驱动电路和第二驱动电路。该存储电路存储第一数据并比较第一数据和第二数据。根据通过该存储电路的第一数据和第二数据的比较结果，第一驱动电路选择性地将匹配线驱动到第一逻辑状态。第二驱动电路将匹配线驱动到第二逻辑状态，而不管比较结果如何。

公开(公告)号：CN115497550A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210035196.2

申请日：2022-01-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 宋英杰 ,  金成来 ,  李起准 ,  安成基 ,  柳睿信 ,  李硕汉

IPC: G11C29/42

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括缓冲器裸片和多个存储器裸片。每个存储器裸片包括存储器单元阵列、纠错码(ECC)引擎和测试电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括多个易失性存储器单元。测试电路在测试模式下生成测试校正子和指示测试校正子的错误状态的预期的解码状态标志，接收由ECC引擎基于测试校正子来生成的测试奇偶校验数据和指示测试奇偶校验数据的错误状态的解码状态标志，并且基于测试校正子与测试奇偶校验数据的比较以及预期的解码状态标志与解码状态标志的比较来确定ECC引擎是否具有缺陷。

公开(公告)号：CN114388047A

公开(公告)日：2022-04-22

申请号：CN202111209052.6

申请日：2021-10-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安成基 ,  柳睿信 ,  孔骏镇 ,  李恩爱 ,  崔志显

IPC: G11C29/42

Abstract: 一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、纠错码(ECC)电路以及控制ECC电路的控制逻辑电路。存储器单元阵列包括存储器单元以及正常单元区域和奇偶校验单元区域。在正常模式下，ECC电路接收主数据，对主数据执行ECC编码以生成奇偶校验数据，并且将主数据和奇偶校验数据存储在正常单元区域和奇偶校验单元区域中。在测试模式下，ECC电路接收包括至少一个错误比特的测试数据，将测试数据存储在正常单元区域和奇偶校验单元区域之一中，并且对主数据和奇偶校验数据之一以及测试数据执行ECC解码以将解码结果数据提供给外部装置。

公开(公告)号：CN114664368A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111431156.1

申请日：2021-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳睿信 ,  安成基 ,  尹载允

IPC: G11C29/42

Abstract: 提供了一种存储器件、用于控制存储器件的控制器、包括存储器件的存储系统以及存储器件的操作方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括设置在字线和位线的交叉处的多个存储单元；纠错电路，所述纠错电路被配置为从所述存储单元阵列读取数据并且纠正所读取的数据中的错误；以及错误检查和清理(ECS)电路，所述ECS电路被配置为对所述存储单元阵列执行清理操作，其中，所述ECS电路包括第一寄存器和第二寄存器，所述第一寄存器被配置为存储在所述清理操作中获得的错误地址，所述第二寄存器被配置为存储从外部设备接收的页面离线地址。