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公开(公告)号：CN116206666A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211076157.3
申请日：2022-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括缓冲器管芯和多个存储器管芯。多个存储器管芯内的一个存储器管芯中的纠错码(ECC)引擎对主数据执行RS编码以生成奇偶校验数据，并使用奇偶校验检查矩阵对主数据和奇偶校验数据执行RS解码。奇偶校验检查矩阵包括子矩阵，并且子矩阵中的每一个与两个不同的符号相对应。子矩阵中的每一个包括两个单位子矩阵和两个相同的α矩阵，两个单位子矩阵设置在子矩阵的第一对角方向上，并且两个相同的α矩阵设置在第二对角方向上。奇偶校验检查矩阵的第y行中的高电平值元素的数量与第(y+p)行中的高电平值元素的数量相同。
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公开(公告)号：CN117746941A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202310731852.7
申请日：2023-06-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/4063
Abstract: 提供电子装置、存储器装置和操作其的方法。所述存储器装置包括：存储器单元阵列，其中具有多个存储器单元行；以及行锤击管理电路，被配置为：在用于监测对所述多个存储器单元行的多个访问的监测时段期间，基于先前行锤击地址和与所述多个访问相关联的多个输入行地址中的每个检测行锤击地址。刷新控制电路被提供并且被配置为对物理上邻近与行锤击地址对应的存储器单元行的存储器单元行执行刷新操作。
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公开(公告)号：CN117746942A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311157107.2
申请日：2023-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408 , G11C11/409
Abstract: 提供了装置、存储器控制器的操作方法、存储器装置和计算快速链路存储器扩展装置，都用于管理行锤击。装置包括存储器装置和存储器控制器，存储器控制器被配置为基于输入行地址来检测行锤击攻击模式的模式大小和行锤击地址的行分布，根据行分布的类型来确定是否执行刷新管理，以及对于与模式大小对应的L次访问，向存储器装置提供刷新管理命令和目标行地址，其中，L是大于或等于1的整数。
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公开(公告)号：CN116107921A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211323041.5
申请日：2022-10-27
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体存储器装置及其操作方法。半导体存储器装置包括：包括多个存储器单元行的存储器单元阵列、行锤击管理电路和刷新控制电路。行锤击管理电路在参考时间间隔期间，从外部存储器控制器捕获伴随有从激活命令随机选择的第一激活命令的行地址，每个激活命令具有一致的第一选择概率；并且在参考时间间隔期间，从捕获的行地址中多次选择至少一个行地址作为锤击地址，选择的次数与对应于至少一个行地址的激活命令的访问计数成比例。刷新控制电路接收锤击地址，并且对与对应于锤击地址的存储器单元行物理地相邻的一个或多个受害存储器单元行执行锤击刷新操作。
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公开(公告)号：CN117316225A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310455059.9
申请日：2023-04-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408 , G11C11/4091 , G11C11/4093
Abstract: 本公开提供了一种存储器件及其刷新方法。所述存储器件可以包括：计数器，所述计数器分别对应于行并且每个计数器被配置为对相应行的访问次数进行计数；刷新控制电路；队列；以及第一标志，所述第一标志分别对应于所述行。所述刷新控制电路可以每个刷新时段改变在刷新时段内设置的第二标志，并且基于以下项来确定是否将传入行地址放入所述队列：所述计数器当中的与由所述传入行地址指示的目标行相对应的计数器的计数值，所述第一标志当中的与所述目标行相对应的第一标志的第一标志值，以及在当前刷新时段内设置的所述第二标志的第二标志值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114974336A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210135159.9
申请日：2022-02-14
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器设备，包括：存储器单元阵列，连接到多条字线和多条位线；行解码器，被配置为响应于行地址从多条字线中选择字线；列解码器，被配置为响应于列地址从多条位线中选择对应的位线；感测放大电路，具有连接到选择的对应的位线的多个放大器；行锤击检测器，被配置为当对与行地址相对应的行的访问次数为预定值的倍数时，生成刷新行地址；以及，刷新控制器，被配置对与刷新行地址相对应的行执行刷新操作。与刷新行地址相对应的行被设置为和与行地址相对应的行相邻。
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公开(公告)号：CN118366502A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410046557.2
申请日：2024-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 一种存储控制器管理刷新。该存储控制器被配置为与包括存储单元阵列的存储器件通信，该存储单元阵列包括多条字线，该存储控制器可以包括：调度器，被配置为控制向多条字线提供的命令；纠错码引擎，具有包括N个条目的寄存器，并且被配置为基于对多条字线的活动次数进行计数，将第一参数存储在寄存器中，第一参数包括多条字线中的N条字线的地址信息和活动次数信息；比较器，被配置为将第一参数与阈值参数进行比较；以及刷新管理(RFM)决策电路，被配置为基于从比较器输出的结果确定多条字线的刷新频率，并生成RFM命令。
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公开(公告)号：CN117935875A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311156643.0
申请日：2023-09-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C11/406 , G11C11/408
Abstract: 公开了半导体存储器装置和包括其的存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，具有在存储器单元阵列中的多个存储器单元行；以及行锤击管理(RHM)电路，包括锤击地址队列。RHM电路被配置为：(i)在参考时间间隔期间从外部的存储器控制器接收第一访问行地址，(ii)将从第一访问行地址随机选择的第一行地址和在选择第一行地址之后从存储器控制器连续接收的第二行地址作为候选锤击地址存储在锤击地址队列中，并且(iii)顺序地输出候选锤击地址作为锤击地址。刷新控制电路被设置以：接收锤击地址，并且对物理邻近于与锤击地址对应的存储器单元行的一个或多个牺牲存储器单元行执行锤击刷新操作。
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公开(公告)号：CN114388047A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202111209052.6
申请日：2021-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 一种半导体存储器装置包括存储器单元阵列、纠错码(ECC)电路以及控制ECC电路的控制逻辑电路。存储器单元阵列包括存储器单元以及正常单元区域和奇偶校验单元区域。在正常模式下，ECC电路接收主数据，对主数据执行ECC编码以生成奇偶校验数据，并且将主数据和奇偶校验数据存储在正常单元区域和奇偶校验单元区域中。在测试模式下，ECC电路接收包括至少一个错误比特的测试数据，将测试数据存储在正常单元区域和奇偶校验单元区域之一中，并且对主数据和奇偶校验数据之一以及测试数据执行ECC解码以将解码结果数据提供给外部装置。
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公开(公告)号：CN113764029A
公开(公告)日：2021-12-07
申请号：CN202110614942.9
申请日：2021-06-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 根据本公开的技术构思的错误校正设备包括：校正子生成电路，被配置为接收数据并针对数据生成多个校正子；部分系数生成电路，被配置为在生成多个校正子的同时，通过使用数据来生成与错误位置多项式的系数的一部分有关的部分系数信息；错误位置确定电路，被配置为基于多个校正子和部分系数信息来确定错误位置多项式的系数，并通过使用错误位置多项式来获得数据中的错误的位置；以及错误校正电路，被配置为根据错误的位置来校正数据中的错误。
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