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公开(公告)号：CN115497550A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202210035196.2
申请日：2022-01-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括缓冲器裸片和多个存储器裸片。每个存储器裸片包括存储器单元阵列、纠错码(ECC)引擎和测试电路。存储器单元阵列包括多个存储器单元行，每个存储器单元行包括多个易失性存储器单元。测试电路在测试模式下生成测试校正子和指示测试校正子的错误状态的预期的解码状态标志，接收由ECC引擎基于测试校正子来生成的测试奇偶校验数据和指示测试奇偶校验数据的错误状态的解码状态标志，并且基于测试校正子与测试奇偶校验数据的比较以及预期的解码状态标志与解码状态标志的比较来确定ECC引擎是否具有缺陷。
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公开(公告)号：CN113094203A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202010894129.7
申请日：2020-08-31
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列、纠错电路和控制逻辑电路。纠错电路包括纠错码(ECC)解码器，纠错码(ECC)解码器用于对从存储器单元阵列的目标页读取的包括主数据和奇偶校验数据的码字执行ECC解码，以校正读取的码字中的错误。控制逻辑电路基于来自外部存储器控制器的命令和地址来控制纠错电路。ECC解码器具有t位纠错能力，使用奇偶校验矩阵基于码字生成校正子，在t‑2个循环期间执行t个迭代以基于校正子生成错误定位多项式，基于错误定位多项式搜索码字中的错误位置，并且基于搜索到的错误位置校正码字中的错误。
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公开(公告)号：CN117316216A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310091427.6
申请日：2023-02-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体装置。所述半导体装置包括序列数据生成器和码元改变器，序列数据生成器被配置为生成关于多条数据线的序列数据。码元改变器被配置为通过针对所述多条数据线中的每条用替代码元替换序列数据内具有预定码元的每个位流来从序列数据生成训练模式。序列数据生成器可包括序列生成器，序列生成器被配置为基于每个时钟循环的种子值来生成伪随机二进制序列(PRBS)。
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公开(公告)号：CN116168754A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211471281.X
申请日：2022-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 公开了一种存储设备，其包括：存储单元阵列，存储第一数据和第一奇偶校验数据；纠错码ECC电路，基于第一数据和第一奇偶校验数据执行ECC解码并输出经纠错的数据和解码状态标志；以及输入/输出电路，将经纠错的数据和解码状态标志提供给存储控制器。ECC电路包括：校正子生成器，基于第一数据和第一奇偶校验数据生成校正子；校正子解码电路，对校正子进行解码以生成错误向量；纠正逻辑电路，基于错误向量和第一数据生成经纠错的数据；以及快速解码状态标志DSF生成器，在不用错误向量的情况下基于校正子生成解码状态标志。
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公开(公告)号：CN113140252A
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN202011026420.9
申请日：2020-09-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42 , G11C11/4078
Abstract: 一种半导体存储器件的纠错电路包括纠错码(ECC)编码器和ECC解码器。所述ECC编码器使用由生成矩阵表示的纠错码，基于主数据生成奇偶校验数据，并将包括所述主数据和所述奇偶校验数据的码字存储在存储单元阵列的目标页面中。所述ECC解码器基于从所述半导体存储器件的外部提供的地址，从所述目标页面读取所述码字作为读取码字，以基于所述读取码字和奇偶校验矩阵生成不同的校正子，所述奇偶校验矩阵是基于所述ECC的；并且，将所述不同的校正子应用于所述读取码字中的所述主数据，以在所述主数据中存在单个位错误时纠正所述单个位错误，或者在所述目标页面中的相邻两个存储单元中出现两个位错误时纠正所述两个位错误。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119832968A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202411015859.X
申请日：2024-07-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/42
Abstract: 本公开提供了存储器件以及操作存储器件的方法。所述存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括用以存储数据的多个存储单元；纠错码(ECC)电路；以及错误检查和擦洗(ECS)电路。所述ECC电路从所述存储单元阵列读取数据并且纠正所述数据中的错误。所述ECS电路对所述存储单元阵列执行擦洗操作，向外部电路发送基于所述擦洗操作检测到的错误地址的信号，并且存储被发送的所述错误地址。
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公开(公告)号：CN115705265A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210936829.7
申请日：2022-08-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10 , G11C29/42 , G11C11/4078 , G11C11/408
Abstract: 一种存储器设备的操作方法包括：在存储器区域中存储关于包括擦除的码字的位置信息和包括关于擦除的位置信息的擦除信息；在上电期间，将关于包括擦除的码字的位置信息加载到行解码器和列解码器；响应于来自主机的读取指令，确定与读取指令相对应的读取地址与关于包括擦除的码字的位置信息是否一致；当读取地址与关于包括擦除的码字的位置信息一致时，将关于擦除的位置信息传送到纠错码(ECC)解码器；以及由ECC解码器使用关于擦除的位置信息来纠正从存储单元阵列接收的码字中的错误。
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公开(公告)号：CN114090328A
公开(公告)日：2022-02-25
申请号：CN202110401897.9
申请日：2021-04-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G06F11/10
Abstract: 公开了存储器装置及读取数据的方法。从存储器中读取数据的方法包括：从存储器单元读取码字；当所述码字中的错误的数量小于可纠正错误的最大数量时，纠正所述错误；当所述码字中的错误的数量等于所述可纠正错误的最大数量并且所述错误与同一子字线相对应时，纠正所述错误；并且当所述码字中的错误的数量等于所述可纠正错误的最大数量并且所述错误与不同的子字线相对应时，输出指示所述错误是不可纠正错误的信号。
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公开(公告)号：CN117437966A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202310594310.X
申请日：2023-05-24
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供半导体存储器装置和包括半导体存储器装置的存储器系统。所述半导体存储器装置包括存储器单元阵列、片上纠错码(ECC)引擎和控制逻辑电路。片上ECC引擎包括第一锁存器和第二锁存器。控制逻辑电路响应于第一模式寄存器设置命令而将所述半导体存储器装置设置为测试模式。在测试模式下，片上ECC引擎切断与存储器单元阵列的连接，接收测试数据，将测试数据存储在第一锁存器中，响应于读取命令，对存储在第一锁存器中的测试数据和存储在第二锁存器中的测试奇偶校验数据执行ECC解码，并且向外部装置提供严重度信号，严重度信号指示测试数据和测试奇偶校验数据是否包括至少一个错误位并且所述至少一个错误位是否可校正。
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公开(公告)号：CN116206666A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202211076157.3
申请日：2022-09-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体存储器件包括缓冲器管芯和多个存储器管芯。多个存储器管芯内的一个存储器管芯中的纠错码(ECC)引擎对主数据执行RS编码以生成奇偶校验数据，并使用奇偶校验检查矩阵对主数据和奇偶校验数据执行RS解码。奇偶校验检查矩阵包括子矩阵，并且子矩阵中的每一个与两个不同的符号相对应。子矩阵中的每一个包括两个单位子矩阵和两个相同的α矩阵，两个单位子矩阵设置在子矩阵的第一对角方向上，并且两个相同的α矩阵设置在第二对角方向上。奇偶校验检查矩阵的第y行中的高电平值元素的数量与第(y+p)行中的高电平值元素的数量相同。
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