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    多层电子组件
    1.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号：CN118824728A

    公开(公告)日：2024-10-22

    申请号：CN202311421695.6

    申请日：2023-10-30

    Applicant: 三星电机株式会社

    Inventor： 尹硕晛 ,  权亨纯 ,  田仁浩 ,  李炳虎 ,  金美良

    IPC: H01G4/018 ,  H01G4/005 ,  H01G4/30

    Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在主体上，其中，介电层包括包含稀土元素的介电晶粒和所述稀土元素的第二相，其中，介电层的平均厚度定义为td，所述稀土元素的所述第二相在介电层的厚度方向上的最大尺寸定义为D，并且所述第二相中的两个或更多个第二相满足D/td≤0.2，并且其中，介电晶粒包括具有核‑壳结构的第一介电晶粒，核‑壳结构包括核部和设置在核部的至少一部分上的壳部，在第一介电晶粒的所述壳部中，所述稀土元素的摩尔数与除氧元素之外的全部元素的总摩尔数的比率定义为RE，第一介电晶粒的壳部包括满足1.5％≤RE≤3.0％的区域。

    多层电子组件和介电组合物
    4.
    发明公开
    多层电子组件和介电组合物 审中-实审

    公开(公告)号：CN115376826A

    公开(公告)日：2022-11-22

    申请号：CN202210089214.5

    申请日：2022-01-25

    Applicant: 三星电机株式会社

    Inventor： 尹硕晛 ,  金珍友 ,  田仁浩 ,  李朱熙

    IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件和介电组合物。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在主体上并连接到内电极，其中，介电层包括第一晶粒和第二晶粒，其中，第一晶粒具有核‑壳结构，核‑壳结构包括核和壳，壳的2×Sn/(Ba+Ti+Sn)的原子比率或2×Hf/(Ba+Ti+Hf)的原子比率大于等于1.0％且小于等于5.0％，核的2×Sn/(Ba+Ti+Sn)的原子比率和2×Hf/(Ba+Ti+Hf)的原子比率小于1.0％，第二晶粒的2×Sn/(Ba+Ti+Sn)的原子比率和2×Hf/(Ba+Ti+Hf)的原子比率小于1.0％，其中，在第一晶粒和第二晶粒的总面积中由第一晶粒占据的面积比率为28.3％～82.3％。

    陶瓷电子组件及其制造方法
    6.
    发明公开
    陶瓷电子组件及其制造方法 审中-公开

    公开(公告)号：CN117995554A

    公开(公告)日：2024-05-07

    申请号：CN202311444747.1

    申请日：2023-11-01

    Applicant: 三星电机株式会社

    Inventor： 田仁浩 ,  尹硕晛 ,  金珍友 ,  尹秉吉 ,  具本亨 ,  张玟祯 ,  金美良

    IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

    Abstract: 本公开提供了一种陶瓷电子组件及其制造方法。所述陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和与所述介电层交替设置的内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述第一区域为从所述介电层与所述内电极之间的界面表面延伸到所述介电层内50nm的区域，并且其中，所述第一区域包括In和Sn，在所述第一区域中，基于除氧之外的全部元素的In的平均含量大于等于0.5at％且小于等于2.0at％，并且基于除氧之外的全部元素的Sn的平均含量大于等于0.5at％且小于等于1.75at％。

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