介电组合物和包含该介电组合物的多层电容器

    公开(公告)号:CN115995344A

    公开(公告)日:2023-04-21

    申请号:CN202210237061.4

    申请日:2022-03-11

    Abstract: 本公开提供一种介电组合物和包含该介电组合物的多层电容器。所述介电组合物包括:作为主成分的BaTiO3基成分;供体成分,包括第一元素和第二元素,所述第一元素和所述第二元素均具有比Ba的离子半径短的离子半径和比Ba的原子量大的原子量;以及受体成分,包括Mg、Al、Mn和V中的至少一种。所述第二元素的离子半径大于所述第一元素的离子半径,所述第二元素的摩尔含量小于所述第一元素的摩尔含量,并且所述受体成分的摩尔含量大于所述供体成分的摩尔含量。

    多层电子组件和介电组合物
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115376826A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202210089214.5

    申请日:2022-01-25

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件和介电组合物。所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极;以及外电极,设置在主体上并连接到内电极,其中,介电层包括第一晶粒和第二晶粒,其中,第一晶粒具有核‑壳结构,核‑壳结构包括核和壳,壳的2×Sn/(Ba+Ti+Sn)的原子比率或2×Hf/(Ba+Ti+Hf)的原子比率大于等于1.0%且小于等于5.0%,核的2×Sn/(Ba+Ti+Sn)的原子比率和2×Hf/(Ba+Ti+Hf)的原子比率小于1.0%,第二晶粒的2×Sn/(Ba+Ti+Sn)的原子比率和2×Hf/(Ba+Ti+Hf)的原子比率小于1.0%,其中,在第一晶粒和第二晶粒的总面积中由第一晶粒占据的面积比率为28.3%~82.3%。

    多层陶瓷电容器
    3.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109585164B

    公开(公告)日:2021-02-26

    申请号:CN201811071497.0

    申请日:2018-09-14

    Abstract: 本发明提供了一种多层陶瓷电容器,所述多层陶瓷电容器包括:陶瓷主体,介电层以及第一内电极和第二内电极交替地堆叠在所述陶瓷主体中;以及第一外电极和第二外电极,形成在所述陶瓷主体的外表面上并且分别电连接到所述第一内电极和所述第二内电极。在所述介电层的微结构中,介电晶粒按照介电晶粒尺寸被划分为均分别具有50nm的间隔的区间,在50nm至450nm范围内的所述区间中的每个区间中的所述介电晶粒的分数在0.025至0.20的范围内,并且所述介电层的厚度为0.8μm或更小。

    多层电容器及其制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118280733A

    公开(公告)日:2024-07-02

    申请号:CN202311874026.4

    申请日:2023-12-29

    Abstract: 本公开提供一种多层电容器,所述多层电容器包括:电容器主体,包括介电层和内电极,以及外电极,在所述电容器主体上,其中,所述介电层包括多个介电晶粒,所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒具有包括核和所述核上的壳的核‑壳结构,所述壳包括铪(Hf),并且在使用透射电子显微镜‑能量色散X射线分析(TEM‑EDX)对所述至少一个介电晶粒进行的线分析中,在所述至少一个介电晶粒的从所述核的中央到任意侧上的晶界的结果之中,所述壳具有第一峰,所述第一峰基于所述壳中的所有原子具有最大的铪的at%,并且所述第一峰定位为距离所述核比距离所述晶界近。

    多层电子组件
    8.
    发明公开
    多层电子组件 审中-公开

    公开(公告)号:CN118213194A

    公开(公告)日:2024-06-18

    申请号:CN202310637425.2

    申请日:2023-05-31

    Abstract: 本公开提供一种多层电子组件,所述多层电子组件包括:主体,包括介电层和内电极,所述介电层包括多个介电晶粒,所述内电极在第一方向上与所述介电层交替设置;以及外电极,设置在所述主体上,其中,所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒具有核‑壳结构,所述核‑壳结构包括核和覆盖所述核的至少一部分的壳,所述核的平均尺寸与具有所述核‑壳结构的所述至少一个介电晶粒的平均尺寸之比大于等于0.4且小于等于0.8,在所述介电层中,镝(Dy)的摩尔数与铽(Tb)的摩尔数之和与锡(Sn)的摩尔数之比((Dy+Tb)/Sn)满足大于等于0.7且小于等于1.5,并且所述介电层中的至少一个在所述第一方向上具有四个或更多个介电晶粒。

    陶瓷电子组件及其制造方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117995554A

    公开(公告)日:2024-05-07

    申请号:CN202311444747.1

    申请日:2023-11-01

    Abstract: 本公开提供了一种陶瓷电子组件及其制造方法。所述陶瓷电子组件包括:主体,包括介电层和与所述介电层交替设置的内电极;以及外电极,设置在所述主体上,其中,所述介电层包括第一区域和除所述第一区域之外的第二区域,所述第一区域为从所述介电层与所述内电极之间的界面表面延伸到所述介电层内50nm的区域,并且其中,所述第一区域包括In和Sn,在所述第一区域中,基于除氧之外的全部元素的In的平均含量大于等于0.5at%且小于等于2.0at%,并且基于除氧之外的全部元素的Sn的平均含量大于等于0.5at%且小于等于1.75at%。

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