公开(公告)号：CN120032999A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202411635441.9

申请日：2024-11-15

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 权亨纯 ,  金亨旭 ,  陈慧珍 ,  具本亨

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件和介电组合物。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括：主成分，由(Ca,Sr)(Zr,Ti)O3表示；第一副成分，包括从由钇（Y）、镝（Dy）和铽（Tb）组成的组中选择的至少一种稀土元素；第二副成分，包括硅（Si）；以及第三副成分，包括至少一种可变价受主元素，其中，基于100摩尔的所述主成分，所述第一副成分的所述至少一种稀土元素的含量大于等于1.0摩尔且小于等于2.0摩尔。

公开(公告)号：CN118335524A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202310948228.2

申请日：2023-07-31

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 具本亨 ,  尹硕晛 ,  田仁浩 ,  尹秉吉 ,  金世容 ,  张玟祯 ,  金建会

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/232 ,  H01G13/00

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括多个介电晶粒，其中，所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒包括孪晶间界，并且其中，所述介电层包括如下2μm×2μm区域：包括在所述2μm×2μm区域中的孪晶间界的长度之和大于等于1.49μm。

公开(公告)号：CN118352160A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311385335.5

申请日：2023-10-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 尹秉吉 ,  尹硕晛 ,  金珍友 ,  田仁浩 ,  具本亨 ,  金世容 ,  张玟祯 ,  金建会 ,  李孝柱

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括边界部，所述边界部为与所述内电极的边界相邻的区域，并且其中，所述边界部包括满足以下原子比的区域：1.0％≤Sn/(Ba+Ti+Sn)≤1.5％。

公开(公告)号：CN117995554A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311444747.1

申请日：2023-11-01

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 田仁浩 ,  尹硕晛 ,  金珍友 ,  尹秉吉 ,  具本亨 ,  张玟祯 ,  金美良

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供了一种陶瓷电子组件及其制造方法。所述陶瓷电子组件包括：主体，包括介电层和与所述介电层交替设置的内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括第一区域和除所述第一区域之外的第二区域，所述第一区域为从所述介电层与所述内电极之间的界面表面延伸到所述介电层内50nm的区域，并且其中，所述第一区域包括In和Sn，在所述第一区域中，基于除氧之外的全部元素的In的平均含量大于等于0.5at％且小于等于2.0at％，并且基于除氧之外的全部元素的Sn的平均含量大于等于0.5at％且小于等于1.75at％。