公开(公告)号：CN118335524A

公开(公告)日：2024-07-12

申请号：CN202310948228.2

申请日：2023-07-31

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 具本亨 ,  尹硕晛 ,  田仁浩 ,  尹秉吉 ,  金世容 ,  张玟祯 ,  金建会

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01G4/005 ,  H01G4/232 ,  H01G13/00

Abstract: 本公开提供了一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括多个介电晶粒，其中，所述多个介电晶粒中的至少一个介电晶粒包括孪晶间界，并且其中，所述介电层包括如下2μm×2μm区域：包括在所述2μm×2μm区域中的孪晶间界的长度之和大于等于1.49μm。

公开(公告)号：CN118352160A

公开(公告)日：2024-07-16

申请号：CN202311385335.5

申请日：2023-10-24

Applicant: 三星电机株式会社

Inventor： 尹秉吉 ,  尹硕晛 ,  金珍友 ,  田仁浩 ,  具本亨 ,  金世容 ,  张玟祯 ,  金建会 ,  李孝柱

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30

Abstract: 本公开提供一种多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上，其中，所述介电层包括边界部，所述边界部为与所述内电极的边界相邻的区域，并且其中，所述边界部包括满足以下原子比的区域：1.0％≤Sn/(Ba+Ti+Sn)≤1.5％。