公开(公告)号：CN100460214C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610121985.9

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李承铉 ,  成研周 ,  宋明原 ,  俞炳旭 ,  姜泰旻 ,  成镇旭 ,  鲁硕原 ,  金茂显 ,  金善浩

IPC: B41J2/38 ,  B41J2/315 ,  B41M5/26 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。

公开(公告)号：CN101212025A

公开(公告)日：2008-07-02

申请号：CN200710305867.8

申请日：2007-12-28

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 成妍周 ,  高三一 ,  俞炳旭

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/54 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L51/5234 ,  H01L27/3211

Abstract: 本发明提供了一种有机发光二极管(OLED)显示装置及其制造方法。OLED显示装置包括基底、设置在基底上的第一电极、设置在第一电极上的包括发射层的有机层以及有机层上的包括Yb和Ag的叠层的第二电极。制造有机发光二极管(OLED)显示装置的方法包括：设置基底；在基底上形成第一电极；在第一电极上形成包括发射层的有机层；在有机层上形成包括Yb和Ag的叠层的第二电极。

公开(公告)号：CN101207184A

公开(公告)日：2008-06-25

申请号：CN200710300555.8

申请日：2007-12-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 丁喜星 ,  高三一 ,  俞炳旭 ,  李城宅 ,  吴准植 ,  金建植

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5265 ,  H01L2251/5315 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明提供了一种有机发光显示装置及其制造方法，在该有机发光显示装置中，共振效应得到了抑制，透射率在可见光的波段内基本相同。该有机发光显示装置包括：基底；第一电极，设置在基底上并包括反射层；有机层，设置在第一电极上并包括白色发射层；第二电极，设置在有机层上；透射率控制层，设置在第二电极上；金属层，设置在透射率控制层上。

公开(公告)号：CN1983666A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610166777.0

申请日：2006-12-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 高三一 ,  俞炳旭 ,  成妍周 ,  李在濠 ,  李承铉 ,  蒋胜旭 ,  杨南喆 ,  宋明原

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H05B33/26 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明公开了一种有机发光装置及其制造方法，所述装置具有阳极，即由在上发光结构中的单金属层构成下电极。所述有机发光装置包括基底、设置在所述基底上并且包括金属的阳极、设置在所述阳极上的金属氟化物层、和设置在所述金属氟化物层上并且至少包括有机发光层的有机层、和设置在所述有机层上的阴极。阳极通过使用含氟的CF3气体或SF6气体的等离子体法进行表面处理时，单金属层可以被用作阳极，由此改善了发光效率。

公开(公告)号：CN1976053A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610162845.6

申请日：2006-11-24

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 杨南喆 ,  高三一 ,  俞炳旭

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L51/0016 ,  H01L27/3213 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5281 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5315

Abstract: 一种有机发光二极管(OLED)的制作方法包括：在基板上形成红色、绿色、蓝色和白色像素区；在所述基板上的各个像素区内形成第一电极，所述第一电极相互隔开；形成像素界定层，其具有局部暴露位于所述基板上的所述第一像素电极的表面的开口；形成有机层，其包括至少一个位于所述像素界定层的所述开口内的有机发射层(EML)；在所述有机层上形成第二电极；在所述第二电极上形成钝化层；并且采用激光诱发热成像法在所述钝化层上形成对应于所述红色、绿色和蓝色像素区的所述有机层的红色、绿色和蓝色滤色器层，依次形成所述红色、绿色和蓝色滤色器层，首先形成的所述滤色器层的末端与第二和第三形成的所述滤色器层重叠。

公开(公告)号：CN1923530A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610121985.9

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李承铉 ,  成研周 ,  宋明原 ,  俞炳旭 ,  姜泰旻 ,  成镇旭 ,  鲁硕原 ,  金茂显 ,  金善浩

IPC: B41M5/26

Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。