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公开(公告)号：CN100460214C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610121985.9
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。
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公开(公告)号：CN101118955A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710149053.X
申请日：2003-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种低分子量全色有机电致发光设备和一种制造低分子量全色有机电致发光设备的方法，通过提供低分子量全色有机电致发光设备的供体膜，能够放大和批量生产具有高分辨率的有机电致发光设备，所述供体膜包括：基材膜；在基材膜的上部形成的光热转化层；和在光热转化层的上部形成且由低分子量材料形成的转移层。通过激光照射和加热的一部分转移层根据转移层与光热转化层的粘附力的变化而从光热转化层上分离，而没有被激光照射的转移层部分被固定至光热转化层上。
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公开(公告)号：CN1770936A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510097685.7
申请日：2001-08-24
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0009
Abstract: 在一种用于制造有机电致发光显示器的方法里，在透明的衬底上形成第一电极层，并且在第一电极层上形成空穴传输层。使用激光束扫描设置在衬底上的供体膜而在空穴传输层上形成有机发光层后，移走供体膜并且接着在有机发光层上形成第二电极层。执行扫描操作期间激光束振动来使能量分布均匀。
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公开(公告)号：CN1769066A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510113840.X
申请日：2005-10-19
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/46 , B41M5/265 , C23C14/048 , H01L51/0013 , H01L51/56 , Y10S430/146
Abstract: 一种用在有机发光显示器中的供体基板包括基底基板和设置在基底基板上的转印层。插置在基底基板与转印层之间的选择性发热结构。选择性发热结构具有通过光热转换发热的发热区和接触发热区的非发热区。由于使用供体基板，因此不需精确地控制激光束的宽度便可能形成微小的具有高精度的转印层图案。有机发光显示器的制造方法包括在受体基板上提供供体基板，将激光束照射到供体基板上，以及在受体基板的像素电极上形成转印层图案。
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公开(公告)号：CN1622710A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410089751.1
申请日：2004-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/46 , B41M5/38214
Abstract: 本发明提供一种带有具浓度梯度的光热转换层的热量转移元件，含在光热转换层中的辐射吸收物质具有浓度梯度，和激光转移有机薄膜层。所述热量转移元件包括：其是支撑衬底的基衬底；形成在所述基衬底上的光热转换层，其将入射光转换为热能并包含辐射吸收物质；以及用于图像形成的转移层，其中光热转换层的辐射吸收物质具有辐射吸收物质的浓度随辐射吸收物质接近转移层而降低的浓度分布。光热转换层的辐射吸收物质具有这样一种浓度分布，即浓度随辐射吸收物质远离基衬底并接近转移层而逐渐或阶梯式减少。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1510973A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310120585.2
申请日：2003-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L51/005 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0089
Abstract: 本发明公开了一种低分子量全色有机电致发光设备和一种制造低分子量全色有机电致发光设备的方法，通过提供低分子量全色有机电致发光设备的供体膜，能够放大和批量生产具有高分辨率的有机电致发光设备，所述供体膜包括：基材膜；在基材膜的上部形成的光热转化层；和在光热转化层的上部形成且由低分子量材料形成的转移层。通过激光照射和加热的一部分转移层根据转移层与光热转化层的粘附力的变化而从光热转化层上分离，而没有被激光照射的转移层部分被固定至光热转化层上。
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公开(公告)号：CN100448055C
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：CN200410089749.4
申请日：2004-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L51/0013 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , H01L2251/558
Abstract: 提供了一种有机发光显示器，该有机发光显示器可以如下构成：TFT衬底，该TFT衬底包括绝缘衬底和具有至少一个源电极和一个漏电极的TFT；下电极，其形成在TFT衬底上并连接到源/漏电极其中之一；绝缘层，其具有暴露一部分下电极的开口；有机薄膜层，其形成在下电极的暴露部分和绝缘层上；以及上电极，其形成在有机薄膜层上，其中绝缘层在开口的边缘具有小于40°的锥角，并且在下电极与有机薄膜层之间形成小于或等于3000埃的台阶。所述有机发光显示器可以避免器件故障。
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公开(公告)号：CN1955841A
公开(公告)日：2007-05-02
申请号：CN200610137142.8
申请日：2006-08-14
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/265 , B41M3/003 , H01L51/0013
Abstract: 一种激光诱导热成像(LITI)掩模以及利用该掩模的有机电致发光器件制造方法，提供一种LITI掩模，其中拐角区域被加固以便在受主基板的像素部分的拐角处增大受主基板和转移层之间的粘合力，以及利用这种LITI掩模的有机电致发光器件制造方法。所述LITI掩模包括：第一图案部分；和置于包括所述第一图案部分的至少一侧上顶点的部分上的第二图案部分；其中所述第二图案部分的面积范围为8至8500μm2。
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公开(公告)号：CN1944070A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610163937.6
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J2/325 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种激光诱发热成像设备及激光诱发热成像方法。激光诱发热成像设备具有处于附着框架和基底台内的电磁体，以便使供体膜紧紧附着于基底上。该激光诱发热成像设备包括处理腔室，该腔室包括供体膜和基底并用来实施将供体膜沉积到基底上的工序；具有第一电磁体的基底台，该基底台位于工序腔室内用来支撑基底；具有第二电磁体的附着框架，该附着框架位于基底台上方，供体膜和基底被设置于处理腔室内的基底台和附着框架之间；以及用于将激光输出提供给供体膜的激光振荡器。
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公开(公告)号：CN1797713A
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200510129143.3
申请日：2005-10-08
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , B41M5/38207 , B41M5/42 , B41M5/46 , B41M2205/12 , B41M2205/36 , H01L51/56 , Y02E10/549 , Y02P70/521 , Y10S430/136
Abstract: 本发明涉及施主衬底及有机发光显示器的制造方法。制造施主衬底的方法包括：准备包含至少一个转移区和至少一个非转移区的基衬，在基衬上形成光热转换层，使用遮蔽掩模在基衬的至少一个转移区中的光热转换层上选择性地沉积转移层。然后为了制造有机发光显示器，使用激光诱导热成像来将图案化的转移层从施主衬底转移至受主衬底上的显示区。
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