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公开(公告)号：CN100433405C
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN03145106.3
申请日：2003-06-19
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/06 , C09K2211/1003 , C09K2211/1018 , C09K2211/14 , C09K2211/1408 , C09K2211/1441 , C09K2211/18 , C09K2211/182 , C09K2211/185 , H01L51/0013 , H01L51/0037 , H01L51/0042 , H01L51/0062 , H01L51/0081 , H01L51/0085 , H01L51/5016 , H01L51/5096 , Y10S428/917
Abstract: 一种有机EL器件，其包括第一电极，空穴迁移层，发光层，及第二电极，其中发光层包括能够通过吸收能量而将能量转移给另一发光聚合物的基质发光膜，及在吸收所接收的能量之后能够以三重态发光的磷光掺杂剂。因此，发光层可以形成图案，且通过激光诱导热成像操作制备的全色彩有机聚合物EL器件的色纯度和发光特性可以得到提高。
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公开(公告)号：CN100426518C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200510129188.0
申请日：2005-10-11
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L51/0021 , H01L51/0023 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/5225 , H01L2251/5392 , H01L2251/558
Abstract: 在一个实施例中，本发明提供一种有机发光显示器(OLED)，其包括：设置在基板上的TFT；设置在TFT上且具有通孔的绝缘层；设置在绝缘层上且通过通孔连接到TFT的漏极电极的象素电极；设置在象素电极上的发射层；以及设置在发射层上且暴露通孔的至少上部分的对电极图案。这避免了对电极和象素层之间紧密的构造接近度，从而减小了短路的可能性。
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公开(公告)号：CN101186160A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200610138193.2
申请日：2006-11-16
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41J2/447 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 一种激光诱导热成像装置和激光诱导热成像方法，其能够利用磁力将供体薄膜均匀地粘合到受体基板上，以实现有效的激光诱导热成像方法；以及一种利用该激光诱导热成像方法来制造有机发光二极管的方法。所述激光诱导热成像装置包括室，其中设置有具有磁性物质的接触框架，以朝向包含磁体的受体基板挤压，所述受体基板设置于基板台上，所述供体薄膜设置于所述受体基板和所述接触框架之间；以及通过所述接触框架中的开口照射所述供体薄膜的激光振荡器。由此，所述激光诱导热成像装置提高了所述受体薄膜与所述基板之间的粘合力，从而生产出具有改进的寿命、产量和可靠性的有机发光二极管。
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公开(公告)号：CN101087013A
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200710091750.4
申请日：2007-04-09
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0037 , H01L51/0059 , H01L51/0081 , H01L51/5048 , H01L51/5088
Abstract: 提供一种有机发光器件(OLED)，包括：第一电极；第二电极；在所述第一电极与第二电极之间顺序形成的空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)和发光层，其中所述HIL的功函、IP或最高已占分子轨道(HOMO)能级的绝对值大于或等于所述HTL的HOMO能级的绝对值。在该OLED中，控制有机层之间的能量关系以促进空穴注入和优化电荷平衡。因此所述OLED的效率改善，且所述OLED的寿命增加。
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公开(公告)号：CN1966279A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610146554.8
申请日：2006-11-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导热成像(LITI)装置及使用该LITI装置制造电子器件的方法。LITI装置包括腔体、基底支撑件、晒版器件和激光源或振荡器。LITI装置将可转印层从膜供体器件转印到中间电子器件的表面上。LITI装置利用磁力来提供可转印层和中间器件表面之间的紧密接触。在LITI装置的彼此分隔地置于可转印层和中间器件表面之间的两个组件中形成的磁性材料产生磁力。磁体或磁性材料形成在下面的LITI装置的两个组件中：1)中间器件和膜供体器件；2)中间器件和晒版器件；3)基底支撑件和膜供体器件；4)基底支撑件和晒版器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1944069A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610140373.4
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明涉及一种激光诱导热成像设备以及使用该设备制造有机发光二极管的方法，其在真空中利用磁力层叠受主衬底和施主膜，且用于在该受主衬底上形成像素阵列。衬底台包括磁体或磁物质。该受主衬底具有用于形成第一、第二和第三子像素的像素区，该施主膜具有将被转移到该像素区的有机发光层。激光振荡器照射激光到该施主膜。接触框架适于设置在该衬底台与该激光振荡器之间，且用于与该衬底台形成磁力。该接触框架包括激光穿过的开口。接触框架供给机构在该衬底台的方向上移动该接触框架。
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公开(公告)号：CN1753591A
公开(公告)日：2006-03-29
申请号：CN200410103799.3
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3246 , H01L51/0013 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供了一种有机发光显示器和制造该显示器的方法。这种OLED及其制造方法能够形成一个具有开口的无机像素限定层并使无机像素限定层具有无断裂点的弯曲顶表面，其中开口用于暴露第一电极的至少一部分。由于无机像素限定层的顶表面有无断裂点的弯曲横截面，在激光诱导热成像工艺中第一电极和有机层图案紧密粘结从而能利用低能量激光束进行转印，由此提高了转印效率，提高了OLED的发光效率，并延长了OLED的寿命。
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公开(公告)号：CN1744777A
公开(公告)日：2006-03-08
申请号：CN200410094219.9
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L51/0013 , B41M5/38207 , B41M7/00 , B41M7/0027 , H01L27/3244 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种激光诱导热成像方法。该激光诱导热成像方法包括制备施主元件和基板；将施主元件的转移层朝向基板，然后将转移层构图到基板上；然后退火已构图的基板。
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公开(公告)号：CN1671260A
公开(公告)日：2005-09-21
申请号：CN200510055131.0
申请日：2005-03-17
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H05B33/14 , C09K11/06 , C09K2211/1007 , C09K2211/1011 , H01L51/0035 , H01L51/0038 , H01L51/0043 , H01L51/5016 , H01L51/5036 , Y02B20/181
Abstract: 本发明提供白色发光有机电致发光器件和含有该器件的有机电致发光显示器，该有机电致发光显示器包括第一电极、第二电极以及介于第一电极和第二电极之间的发射层。该发射层具有在其中叠层有聚合物发射层和小分子发射层的结构。
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公开(公告)号：CN1622728A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410011791.4
申请日：2004-09-29
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L51/5209
Abstract: 本发明涉及一种改进的有机电致发光显示装置。在一个实施例中，OLED包括形成在绝缘衬底上非发射区中并还具有源和漏电极的薄膜晶体管。OLED还包括形成在所述绝缘衬底上发射区中并经由接触孔连结到所述源和漏电极中的一个电极的下电极。OLED还包括形成在所述下电极上所述发射区中的有机发射层，和形成在所述有机发射层上的上电极，其中所述下电极具有其角部被圆化的表面。下电极用作像素电极。它的表面具有弄圆的角部，防止了除气造成的短路诱发缺陷。
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