公开(公告)号：CN100460214C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610121985.9

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李承铉 ,  成研周 ,  宋明原 ,  俞炳旭 ,  姜泰旻 ,  成镇旭 ,  鲁硕原 ,  金茂显 ,  金善浩

IPC: B41J2/38 ,  B41J2/315 ,  B41M5/26 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。

公开(公告)号：CN1923530A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610121985.9

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李承铉 ,  成研周 ,  宋明原 ,  俞炳旭 ,  姜泰旻 ,  成镇旭 ,  鲁硕原 ,  金茂显 ,  金善浩

IPC: B41M5/26

Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。