公开(公告)号：CN100460214C

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200610121985.9

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李承铉 ,  成研周 ,  宋明原 ,  俞炳旭 ,  姜泰旻 ,  成镇旭 ,  鲁硕原 ,  金茂显 ,  金善浩

IPC: B41J2/38 ,  B41J2/315 ,  B41M5/26 ,  H01L21/00

Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。

公开(公告)号：CN1983666A

公开(公告)日：2007-06-20

申请号：CN200610166777.0

申请日：2006-12-14

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 高三一 ,  俞炳旭 ,  成妍周 ,  李在濠 ,  李承铉 ,  蒋胜旭 ,  杨南喆 ,  宋明原

IPC: H01L51/50 ,  H01L51/52 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32 ,  H05B33/26 ,  H05B33/10

CPC classification number: H01L51/5088 ,  H01L27/3244 ,  H01L51/5218 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/558

Abstract: 本发明公开了一种有机发光装置及其制造方法，所述装置具有阳极，即由在上发光结构中的单金属层构成下电极。所述有机发光装置包括基底、设置在所述基底上并且包括金属的阳极、设置在所述阳极上的金属氟化物层、和设置在所述金属氟化物层上并且至少包括有机发光层的有机层、和设置在所述有机层上的阴极。阳极通过使用含氟的CF3气体或SF6气体的等离子体法进行表面处理时，单金属层可以被用作阳极，由此改善了发光效率。

公开(公告)号：CN1923530A

公开(公告)日：2007-03-07

申请号：CN200610121985.9

申请日：2006-08-30

Applicant: 三星SDI株式会社

Inventor： 李承铉 ,  成研周 ,  宋明原 ,  俞炳旭 ,  姜泰旻 ,  成镇旭 ,  鲁硕原 ,  金茂显 ,  金善浩

IPC: B41M5/26

Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。