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公开(公告)号：CN116666442A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310136192.8
申请日：2023-02-20
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/40 , H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 得到半导体装置，其抑制工艺成本的增加，具有包含电阻性场板的高耐压构造。电阻性场板(6)以从外侧的主电极(4)逐渐接近内侧的主电极(3)的方式，在俯视观察时配置为螺旋状。多个浮置层(8)在俯视观察时以高电位区域(1)为中心朝向低电位区域(2)配置为放射状。电阻性场板(6)隔着层间绝缘膜(10)设置于多个浮置层(8)之上，因此具有反映了多个浮置层(8)各自的膜厚的浮置台阶(S8)。即，电阻性场板(6)是以沿环绕方向重复产生浮置台阶(S8)的方式设置的。
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公开(公告)号：CN116666066A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310135786.7
申请日：2023-02-20
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供一种能够抑制对线圈的特性造成的影响且将用于线圈的导线键合的焊盘增厚的变压器元件及其制造方法、半导体装置及其制造方法。变压器元件具有：面状的第1线圈；第1绝缘膜，其设置于第1线圈的上侧；面状的第2线圈，其设置于第1绝缘膜之上，与第1线圈相对；第1焊盘，其设置于第1绝缘膜之上，与第2线圈的一端侧连接；第2焊盘，其设置于第1焊盘之上；以及第2绝缘膜，其以覆盖第2线圈的方式设置于第1绝缘膜之上以及第2线圈之上，第1焊盘和第2焊盘合起来的厚度比第2线圈厚，第2焊盘部分地覆盖第2绝缘膜。
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公开(公告)号：CN118248727A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202311729826.7
申请日：2023-12-15
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及半导体装置、半导体电路及半导体装置的控制方法。目的在于提供能够降低半导体装置的接通电阻的技术。半导体装置具有：第1导电部，其隔着第1绝缘膜而设置于第2半导体层的一部分之上；第2导电部，其隔着第2绝缘膜而设置于第3半导体层的一部分之上；第1主电极；以及第2主电极。在向第1导电部及第2导电部的一者输入了接通控制信号的情况下，第1主电极与第2主电极之间通过双极动作而导通，在向第1导电部及第2导电部这两者输入了接通控制信号的情况下，第1主电极与第2主电极之间通过单极动作而导通。
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公开(公告)号：CN118173362A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202311636959.X
申请日：2023-12-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及变压器装置以及半导体装置，其目的在于提供不使芯片尺寸增大就能够使沿面距离增大的变压器装置。本发明的变压器装置具有：第一线圈；导电体，其在俯视观察时与第一线圈相比设置在外侧，基准电位与第一线圈相同；第一绝缘层，其设置在第一线圈的上部；第二线圈，其设置在第一绝缘层的上表面；第二绝缘层，其在第二线圈与导电体之间，以与第一绝缘层之间产生间隙的方式设置；以及第三绝缘层，其覆盖第一绝缘层、第二绝缘层、第二线圈以及导电体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112802839B
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202011238738.3
申请日：2020-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 向自举电容(39)供给充电电流的半导体装置具有半导体层(1)、N+型扩散区域(5b)及N型扩散区域(2)、P+型扩散区域(4a)及P型扩散区域(3a)、N+型扩散区域(5a)、源极电极(10b)、漏极电极(10c)、背栅极电极(10a)、栅极电极(9a)。N+型扩散区域(5b)及N型扩散区域(2)与自举电容(39)的第1电极电连接。电源电压(Vcc)供给至N+型扩散区域(5a)。源极电极(10b)与第3半导体区域(N+型扩散区域(5a))连接且被供给电源电压。背栅极电极(10a)连接至与N+型扩散区域(5a)分离的区域，并且接地。源极电极(10b)与背栅极电极(10a)之间的耐压大于电源电压。
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公开(公告)号：CN117894821A
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202311298660.8
申请日：2023-10-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供能够对芯片尺寸的增大进行抑制的半导体装置。分离区域(RI)将第1电路区域(RL)和所述第2电路区域(RH)彼此分离。信号传输元件(ES)用于从第1电路区域(RL)向所述第2电路区域(RH)传输信号，具有至少1个初级线圈(120)和两个次级线圈(140)。至少1个初级线圈(120)具有与所述第1电路区域(RL)电连接的两端部，配置于分离区域(RI)。两个次级线圈(141、142)具有与所述第2电路区域(RH)电连接的两端部，配置为与所述至少1个初级线圈(120)进行磁耦合，配置于分离区域(RI)。
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公开(公告)号：CN112802839A
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：CN202011238738.3
申请日：2020-11-09
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 向自举电容(39)供给充电电流的半导体装置具有半导体层(1)、N+型扩散区域(5b)及N型扩散区域(2)、P+型扩散区域(4a)及P型扩散区域(3a)、N+型扩散区域(5a)、源极电极(10b)、漏极电极(10c)、背栅极电极(10a)、栅极电极(9a)。N+型扩散区域(5b)及N型扩散区域(2)与自举电容(39)的第1电极电连接。电源电压(Vcc)供给至N+型扩散区域(5a)。源极电极(10b)与第3半导体区域(N+型扩散区域(5a))连接且被供给电源电压。背栅极电极(10a)连接至与N+型扩散区域(5a)分离的区域，并且接地。源极电极(10b)与背栅极电极(10a)之间的耐压大于电源电压。
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公开(公告)号：CN118610170A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202410228287.7
申请日：2024-02-29
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/488 , H01L23/498 , H01L23/64 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
Abstract: 本公开的目的在于提供能够容易地形成上部元件和用于对作为上部元件的一端部的电极焊盘缓和引线结合的冲击的构造的技术。半导体装置(100)具备：基板(1)、耐压保持用绝缘膜(4)、具有下部元件(3)以及上部元件(5)的元件部、引出布线(7)、第1电极焊盘(8)、作为上部元件的一端部的第2电极焊盘(10)、以及以使得第2电极焊盘从第2接触用孔(12)露出的方式覆盖上部元件的最上层保护膜(6)。耐压保持用绝缘膜(4)以及最上层保护膜在引出布线的延伸方向上设置至比第1电极焊盘(8)靠外侧的区域为止。在第2电极焊盘的上表面设置有具有导电性的焊盘二次堆叠部(13)。最上层保护膜覆盖焊盘二次堆叠部的周缘部。
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公开(公告)号：CN113035952B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011510550.X
申请日：2020-12-18
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 涉及半导体装置及集成电路。改善在RESURF区域形成的MOSFET的耐压性能的提高与接通电阻的降低之间的折衷关系。半导体装置具有：N型扩散层(3)，形成于P型扩散层(1)的表层部，作为RESURF区域而起作用；N型填埋扩散层(2)，形成于N型扩散层(3)的高电位侧电路侧的底部，杂质峰值浓度比N型扩散层(3)高；以及MOSFET，将N型扩散层(3)作为漂移层。MOSFET具有：热氧化膜(9)，形成于成为漏极区域的N型扩散层(4)与成为源极区域的N型扩散层(7)之间；以及N型扩散层(14)，形成于热氧化膜(9)之下，杂质峰值浓度比N型扩散层(3)高。N型扩散层(14)的低电位侧电路侧的端部比N型填埋扩散层的低电位侧电路侧的端部更靠近低电位侧电路。
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