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公开(公告)号：CN113764521B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202110593985.3
申请日：2021-05-28
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739 , H01L29/423 , H01L29/861
Abstract: 提供提高了恢复动作时的破坏耐量的半导体装置。半导体装置具有彼此相邻地设置于半导体基板的IGBT区域及二极管区域，该半导体装置具有：边界沟槽，其在俯视观察时在IGBT区域和二极管区域相邻的位置处，具有位于比有源沟槽或哑沟槽深的漂移层处的底面，边界沟槽具有将底面和第1主面连接且彼此相对的一个侧壁及另一个侧壁；以及边界沟槽栅极电极，其隔着边界沟槽绝缘膜面向基极层、阳极层及漂移层，在底面、一个侧壁和另一个侧壁被边界沟槽绝缘膜覆盖的边界沟槽的内部，遍及面向漂移层的区域且从边界沟槽的一个侧壁遍及至另一个侧壁而设置。
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公开(公告)号：CN107146813B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201710117505.X
申请日：2017-03-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藤井秀纪
IPC: H01L29/40 , H01L29/861
Abstract: 得到一种能够实现高可靠性的半导体装置。在主单元区域，在半导体衬底(1)的主面形成有第1扩散区域(2)，在终端区域，在主面形成有第2扩散区域(3)。绝缘膜(5、6)形成于半导体衬底(1)的主面之上，在第1及第2扩散区域(2、3)之上分别具有第1及第2接触孔(7、8)。相同材质的第1及第2电极(9、10)分别形成于第1及第2接触孔(7、8)内。半绝缘性膜(11)将第2电极(10)覆盖。第1电极(9)不将第1接触孔(7)完全填埋。第2电极(10)将第2接触孔(8)完全填埋。第3电极(14)形成于第1电极(9)之上，将第1接触孔(7)完全填埋。
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公开(公告)号：CN107251234A
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201580075783.2
申请日：2015-02-09
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/861 , H01L29/06 , H01L29/868
Abstract: p型阳极层(2)在有源区域形成于n‑型漂移层(1)的表面。n型缓冲层(7)形成于n‑型漂移层(1)的背面。n型阴极层(8)及p型阴极层(9)相互横向并排地形成于n型缓冲层(7)的背面。n型层(10)在有源区域与终端区域的边界区域，与n型阴极层(8)及p型阴极层(9)横向并排地形成于n型缓冲层(7)的背面。将有源区域的端部作为起点，n型层(10)向有源区域侧伸出的距离是WGR1，满足10μm≤WGR1≤500μm。
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公开(公告)号：CN107146813A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710117505.X
申请日：2017-03-01
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藤井秀纪
IPC: H01L29/40 , H01L29/861
Abstract: 得到一种能够实现高可靠性的半导体装置。在主单元区域，在半导体衬底(1)的主面形成有第1扩散区域(2)，在终端区域，在主面形成有第2扩散区域(3)。绝缘膜(5、6)形成于半导体衬底(1)的主面之上，在第1及第2扩散区域(2、3)之上分别具有第1及第2接触孔(7、8)。相同材质的第1及第2电极(9、10)分别形成于第1及第2接触孔(7、8)内。半绝缘性膜(11)将第2电极(10)覆盖。第1电极(9)不将第1接触孔(7)完全填埋。第2电极(10)将第2接触孔(8)完全填埋。第3电极(14)形成于第1电极(9)之上，将第1接触孔(7)完全填埋。
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公开(公告)号：CN101393937A
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200810109113.X
申请日：2008-05-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藤井秀纪
IPC: H01L29/868
CPC classification number: H01L29/868 , H01L29/66113 , H01L29/861
Abstract: 本发明提供一种可高精度进行寿命控制的半导体装置，其中，PIN二极管(2)由阳极(6、P层3、I层4、N层5)与阴极(7)构成。在正向偏压状态下注入的载流子的密度较高的pn结附近的区域或者n+n结附近的区域，作为具有成为再结合中心的结晶缺陷的规定膜，形成有多晶硅膜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114284336B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202111113515.9
申请日：2021-09-23
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 提供抑制了反向偏置安全动作区域的降低的半导体装置。晶体管二极管形成于共通的半导体基板，半导体基板具有晶体管区域二极管区域、将晶体管区域及二极管区域包围的外周区域，晶体管区域由条状的多个栅极电极区分为多个晶体管单位单元区域，二极管区域由多个栅极电极区分为多个二极管单位单元区域，多个晶体管单位单元区域具有在半导体基板的第1主面侧设置的第1导电型的第3半导体层、在第3半导体层的上层部选择性地设置的第2导电型的第4半导体层及第5半导体层，第5半导体层设置为，与在外周区域设置的第1导电型的杂质层接触或侵入至杂质层内。
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公开(公告)号：CN117637821A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311044351.8
申请日：2023-08-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/417 , H01L27/07 , H01L21/82
Abstract: 涉及半导体装置及半导体装置的制造方法。目的在于提供能够实现半导体装置的特性的稳定化的技术。半导体装置具有：半导体衬底，其设置有半导体部，该半导体部是栅极绝缘膜、pn结部和末端区域的漂移层中的至少任意1者；绝缘膜，其设置于半导体部之上；金属电极，其具有开口部，该开口部在俯视观察时与半导体部重叠，在剖视观察时相对于绝缘膜而设置于与半导体部相反侧；以及镀敷电极，其将金属电极作为被镀敷材料而设置于开口部内的至少一部分。
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公开(公告)号：CN110828315B
公开(公告)日：2023-04-11
申请号：CN201910650698.4
申请日：2019-07-18
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/304 , H01L29/06 , H02M7/5387
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法及电力转换装置。针对具备埋入扩散层的半导体装置，提供缩短了工艺流程的制造方法。半导体装置具备：第1导电型的外延层，其设置于半导体衬底的第1主面之上；第1导电型的第1半导体区域，其从外延层的最表面设置到内部；以及第2导电型的第3半导体区域，其从第1半导体区域的底面设置到半导体衬底的内部，该半导体装置的制造方法包含：工序(a)，针对至少形成有源极区域、漏极区域及栅极电极的状态下的半导体衬底，对与第1主面相反侧的第2主面进行研磨，使半导体衬底的厚度变薄；以及工序(b)，从研磨后的半导体衬底的第2主面侧进行第2导电型的杂质的离子注入，形成第3半导体区域。
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公开(公告)号：CN115706157A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210962508.4
申请日：2022-08-11
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L29/739
Abstract: 目的在于得到容易进行特性调整的半导体装置。本发明涉及的半导体装置具有：衬底，其具有IGBT区域和二极管区域；表面电极，其设置于所述衬底的上表面；以及背面电极，其设置于所述衬底的与上表面相反侧的背面，所述二极管区域具有通过所述衬底的上表面凹陷而形成得比所述IGBT区域薄的第1部分和设置于所述第1部分的一侧且比所述第1部分厚的第2部分。
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公开(公告)号：CN108028284B
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN201580083340.8
申请日：2015-09-25
Applicant: 三菱电机株式会社
Inventor： 藤井秀纪
IPC: H01L29/861 , H01L29/868
Abstract: 本说明书所公开的技术能够通过对电导率调制的水平进行调整，从而在恢复动作时抑制载流子的局部集中。半导体装置具有：第1导电型的半导体层(101)；第1导电型的第1杂质层(10、10a至10g)，其在半导体层的背面局部地扩散，且杂质浓度比半导体层的杂质浓度高；以及第2导电型的多个第2杂质层(12、13)，它们在半导体层的表面局部地扩散，第1杂质层在俯视观察时，在第2杂质层彼此之间形成于不与第2杂质层重叠的位置，在半导体层的表面处的第2杂质层彼此之间仅存在半导体层。
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